≪それぞれ��情&�X況含みのしのぎ合い≫

昔�Uかしい感じ�気��i�v思わずあらわしたTSMC Technology Symposiumであるが、我が国内開��のご案内をいただいて出かけたのが、2000�Q代はじめのこと。本�Qは次の開��予定とあらわされている。
　6月16日　����(シリコンバレー)
　6月20日　欧��
　6月30日　中国
　8月30日　��湾

���櫃任�TSMCシンポジウムを�pけて、�i�vと�_複するが、以下を��していた。

◇TSMC says it will have advanced ASML chipmaking tool in 2024 (6月16日��け Reuters)

◇TSMC to start mass production of 2-nanometer chips by 2025‐TSMC plans volume production of 2nm chips by 2025 (6月17日��け Focus Taiwan)
→��湾積��電路(TSMC)が、同社の3nmプロセス�\術に��いて、2-nanometerのfeaturesを�△┐身焼���の�j量�攵�を�`指している旨。TSMCは、2024�Qに最新のASML extreme ultraviolet(EUV) lithographyシステムを�uる旨。

◇TSMC Readies Five 3nm Process Technologies, Adds FinFlex For Design Flexibility (6月16日��け AnandTech)
→TSMCが�v曜16日、2022�QのTSMCテクノロジーシンポジウムを開始、該シンポジウムでは、同社は伝統的にプロセステクノロジーのロードマップと��来の拡張��画を共�~している旨。TSMCが本日発表する�_要なことの1つは、今後数�Q間で高度なCPU、GPU、およびSoCの���]に使��されるN3(3 nmクラス)およびN2(2nmクラス)ファミリーに�錣垢觝農菽爾離痢璽匹任△�、N3は、今後3�Q間で5つのノードがある旨。

さて、その後に�`にした内容を以下��している。TSMCが2024�Qに�}に入れるというASMLのEUV lithographyシステムについての関連記��から。

◇High-NA EUV May Be Closer Than It Appears‐High-NA EUV process tech may arrive in 2025‐Tools are coming, but advanced resists and masks need to keep pace. (6月16日��け Semiconductor Engineering)
→Intelのdirector of lithography hardware and solutions、Mark Phillips��が、high numerical-aperture(高開口数)のextreme ultraviolet(EUV) lithography�\術が2025�Qに�W��可�Δ砲覆襪藩襲Rしている旨��「しかし、SPIE meetingで��らかになったように、High-NA露光システムは、リソグラフィエンジニアの���△�できているかどうかに関係なく、すぐにさらに��雑になっていく」と、Semiconductor Engineeringのtechnology editor、Katherine Derbyshire��が�T�bづけの旨。

�\術プレゼンの骨子は、2-nm、N2プロセスに向けてナノシートGAA(gate-all-around)トランジスタ搭載が��されるとともに、3-nm FinFETプロセスノードについて顧客が����によって��べる��数のバージョンが提��されている点、という理解である。以下、関連の記���Dり�屬欧任△�。

◇TSMC FINFLEX(TM), N2 Process Innovations Debut at 2022 North American Technology Symposium (6月17日��け TSMC)
→TSMCは本日、同社の2022 North America Technology Symposiumにて、先端ロジック、specialty, および3D IC�\術における最新の革新を披露、nanosheetトランジスタ搭載次世代最先端N2プロセスおよびN3とN3Eプロセスに向けた独�OのFINFLEX(TM)�\術がお披露�`の旨。

◇TSMC debuts N2 process utilizing nanosheet transistors (6月17日��け DIGITIMES)
→TSMCが、���欷�けの同社の�Q次�\術シンポジウムで、ナノシートトランジスタを搭載した次世代のN2プロセスを発表、N2は2025�Qに�攵�を開始する予定の旨。

◇TSMC to get advanced chipmaking tool in 2024‐HIGH-NA EUV: Getting its hands on the ASML tool ahead of Intel would allow TSMC to continue to lead in developing the most advanced chip technology, an analyst said (6月18日��け Taipei Times)
→��湾積��電路(TSMC、��積電)の���陲��v曜16日、2024�QにASMLホールディングNVの最先端の半導�����]ツールの次のバージョンを入�}すると発表した旨。
"high-NA(Numerical Aperture) EUV"と�}ばれるこのツールは、集�J光のビームを�收�し、電�B、ラップトップ、�O動�Zおよびスマートスピーカーなどの人工����(AI)デバイスで使��されるコンピューター半導���屬鉾�細な�v路を作成する旨。

◇TSMC Creates Design Options for New 3nm Node (6月22日��け EE Times)
→��湾積��電路(TSMC)が、今�Q後半に立ち�屬�る予定の3nm FinFETノードのバージョンを作成、これにより、半導��設���vは、パフォーマンス、電��効率、およびトランジスタ密度を向�屬気擦襪�、これらのオプションのバランスを���Iできる旨。TSMCの3nmテクノロジーは、2022�Q後半に�攵�を開始し、パフォーマンスのために3−2フィン構成、電��効率とトランジスタ密度のために2−1フィン構成、または効率的なパフォーマンスのための2−2フィン構成を�△┐榛Y��セルの���I肢を提供する同社のFinFlexアーキテクチャを��徴としている旨。

◇TSMC sees major clients queue up for 3nm process capacity‐Sources: TSMC's 3nm process capacity draws big clients (6月23日��け DIGITIMES)
→���]����メーカー筋発。TSMCの3-nanometerプロセス�\術は、�Hくの�_要な顧客を引き��けている旨。シリコンファウンドリーの同社は、3nm FinFETプロセスノードの��数のバージョンを提��している旨。

TSMCは、我が国で、�y本工場に��いて、つくばの研�|拠点に進出、以下の通りオープンしている。こちらでは、先端微細化と並ぶ��次元実�△離▲廛蹇璽舛��t開され、今後に�R�`である。

◇TSMC誘致、国策拠点が始動、半導��5000億���мqを検証 (6月24日��け 日経 電子版 16:57)
→半導���j�}の��湾積��電路���](TSMC)は24日、茨城県つくば�xに設けた研�|開発センターを本格始動した旨。日本���Bが約190億��の�\成で誘致し、次世代半導��の���]�\術の確立を狙う旨。日本はTSMCが�y本県に建設する新工場にも�\成を��めたばかり。経済�W��保障�屬覆匹��菘世�ら��約5000億��に�屬�TSMCへの�мqが��要との立場だが、日本は果たして巨�Y�мqに見合った果実を�uられるのか。

◇TSMCの研�|拠点、半導���噞に貢献、国際連携が�_要＝���敕跳仂旔 (6月24日��け ロイター)
→���敕銚��k経済�噞相は24日、茨城県つくば�xで行われた「TSMCジャパン3DIC研�|開発センター」の開所イベントで、先端半導��の���]拠点における�W定的な�攵�を�Г─�我が国の半導���噞の発�tに�M��的に貢献するものだと��迎の�Tを��した旨。また、国際連携の下での�\術開発となることの�_要性を�喞瓦靴浸�。
��湾の半導���p�m���]�j�}、TSMCが昨�Q3月に設立した子会社のTSMCジャパン3DIC研�|開発センター(横�p�x�ｶ�)が�噞�\術総合研�|所の施設を借り�pけ、イビデン、キーエンス、新光電気工業など国内企業20社��と3DICパッケージ�\術の共同開発を行う旨。総��業�J370億��の約半分に当たる190億��を日本���Bが�\成する旨。

次に、TSMC�{い越しを図るSamsungであるが、これも�i�vより引��、Samsungのトップのオランダ・ASML社訪問関連である。

◇Samsung's Lee visits ASML to expand cooperation, secure vital chip equipment (6月15日��け Yonhap News Agency (South Korea))

◇Samsung Elec chief strengthening networking for nano chip power in Europe‐Top Samsung executive visits ASML (6月16日��け Pulse by Maeil Business Newspaper (South Korea))
→Samsung ElectronicsのVice Chairman、Lee Jae-yong(李在�~)��が今週、ASMLのCEO、Peter Wennink��と会い、半導��業�cの問��、��に先端メモリ半導��やその他のデバイスを���]するためのextreme ultraviolet(EUV) lithographyシステムの供給について�Bし合った旨。Samsungは、��湾積��電路(TSMC)に挑戦することを�`指して、シリコンファウンドリ�x場でより��争��を高めたいと考えている旨。

以下、その後の内容であるが、�f国���Bの�官�について業�cからの�R文が端的にあらわされている。

◇Chipmaking slowed by red tape in Korea (6月19日��け Korea Joong Ang Daily)
→�Hくの業�c筋によると、���Bの官�^機構が�f国の半導�����]�ξ�の構築を��らせている旨。�p�Rを�耀uするための鍵は、容量を迅�]に�\やし、顧客の��要を満たすことができることであるため、これは��争��の�菘世�ら�jきな問��であると彼らは言っている旨。

3-nmからGAAプロセスに先行して�Dり組むとしているSamsungであるが、歩�里泙蠅量筱�が�Dり沙�Xされた経�圓�あり、立て直しの�k報が待たれるところという理解である。来週に予定という量�僝発表に�R�`である。

◇Betting on GAA Technology to Catch up with TSMCSamsung Looking to Begin Mass Production of GAA-based 2-nm Products in 2025 (6月20日��け Business Korea)
→3-nano gate-all-around(GAA)プロセスは、ファウンドリ業�cのゲームチェンジャーになると期待されている旨。サムスン電子は、今後3�Q以内に3-nano GAAプロセスを確立することにより、世�c�kのファウンドリー会社、��湾のTSMCに�{いつくことを��画している旨。

◇Samsung expected to announce mass production of 3nm chip next week‐Sources: Samsung to start volume production of 3nm chips (6月22日��け Yonhap News Agency (South Korea))
→Samsung Electronicsが間もなく、gate-all-around(GAA)プロセス�\術に基づいた、3-nanometer features搭載microchipsの量��を開始する旨。

昨�Q半導��サプライヤーランキング��位を奪�欧靴燭噺世錣譴�Samsungは、�啜い療蟀@��画を�]ち�屬欧討い�。

◇Is acquisition a cure for Samsung weakening foundry business? (6月22日��け DIGITIMES)
→Samsungは、今後5�Q間で450兆ウォン($346.5 billion)の投�@を行う��画を発表、新しい�@金の60%以�屬�、半導����業の�ξ�と��争��を�啣修垢襪燭瓩里發痢�

さて、長きにわたる半導��業�cのリーダー、インテルは、微細化で後れとされ、挽�vを図る��画が昨�Qあらわされている。以下、これも�i�vからの引��であるが、VLSIシンポジウムにて、7-nm、すなわちIntel 4プロセスへの�Dり組みが以下の通りプレゼンされている。今後のマイルストーンのクリアの推�，��R�`するところである。

◇Intel details 13 chip inventions at tech symposium (6月12日��け VentureBeat)
→Intelが、来るVLSI Symposium chip design conference(6月13-17日：HILTON HAWAIIAN VILLAGE, HONOLULU, HAWAII)に向けて、半導�����]における革新を�△┐�13の�b文の詳細を共�~する旨。

◇Intel Reports Good Progress On Intel 4 Process Node At IEEE Symposium (6月12日��け Forbes)
→今週、Intelは2022 IEEE Symposium on VLSI Technology＆Circuits(VLSI)で、以�iは7nmとして�瑤蕕譴討い身焼���プロセス�\術であるIntel4に関する同社の進歩を説��する5つの�b文を発表する旨。Intel 4は、Intelの�々團廛蹈札垢任△�、これは、deep-UV immersion lithographyの代わりにEUV(extreme ultraviolet, すなわちsoft x-rays)リソグラフィを使��する最初のIntelプロセスノードである旨。

◇Intel details advances to make upcoming chips faster, less costly‐Intel provides details on faster, cheaper chips‐X86 giant says it's on track to regaining manufacturing leadership after years of missteps (6月13日��け The Register (UK))
→Intelが、今週の2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits(6月13-17日：HILTON HAWAIIAN VILLAGE, HONOLULU, HAWAII)にて、Intel 4として現在�瑤蕕譴討い�7-nanometerのプロセス�\術の詳細を提��する旨。
該新���]�\術は、Intel Design Engineeringチーム、Intel LabsおよびIntel Technology Developmentによって開発された旨。

先端微細化とともに�盜馥發任����]�啣修��g��課��のインテルであるが、�]ち�屬欧�Ohio�Δ凌�fabについて、半導��法案の�盜餤腸颪任虜能�調�Dが�}間�Dっている現�X、��工を再検討せざるを�uないと、議会への憤懣があらわされている。

◇Intel warns Ohio factory could be delayed because Congress is dragging its feet on funding‐Intel waits on Chips Act to solidify Ohio fab cluster size (6月23日��け CNBC)
→インテルは、議会がそのプロジェクトをサポートする法��を�U定しなかった場合、Ohio�Δ�fab clusterキャンパスを開発する��画を縮小する可��性がある旨��「Chips Actに基づいて、我々はゆっくりと小さくなっていくか、あるいは�jきくて�j胆になるかだ」と、IntelのCEO、Pat Gelsinger��。

◇2 huge chip makers warn of expansion delays as subsidies bill languishes‐Intel postpones Ohio groundbreaking as Congress faces a do-or-die moment on legislation to provide $52 billion for domestic computer chip production (6月23日��け The Washington Post)
→インテルおよびGlobalFoundriesの2社。

◇Intel warns Congress about Chips Act (6月24日��け Electronics Weekly (UK))
→Intelは昨日、Ohio�Δ�fabサイトで��画されていた��工をキャンセルし、8月までにChips Actが可��されない場合、Ohio�Δ悗療蟀@を縮小する可��性があると�盜餤腸颪坊拗陲靴浸�。

最先端�\術の�����]ち�屬欧箸いΔ海箸�、Micronに�R�`。�Z載�W��性の�M関�Y��の認定クリア、世�c初のNANDおよび�x場初のDRAMが、以下あらわされている。

◇Micron Readies for Level 5 Autonomy with LPDDR5 DRAM‐Micron offers LPDDR5 DRAMs for Level 5 autonomy in AVs (6月21日��け EE Times)
→1)レベル5の�O��性への�Oのりは当初の予�[よりも時間がかかっているが、Micron Technologyは、メモリコンテンツが��日の信頼性要�Pを本日満たすように�科�に���△垢襪海箸鯊��Iしている旨。Micronは本日、同社のLPDDR5メモリがISO 26262に基づくAutomotive Safety Integrity Level(ASIL) D認定を�pけたことを発表、これは、�O動�Z�W��性に向けた最も厳しい�W��完��性レベルの1つと見なされている旨。
　2)Micron TechnologyのLPDDR5メモリデバイスが、ISO 26262機���W����格の下でAutomotive Safety Integrity Level Dの認定を�pけている旨��「メモリとストレージは、�Zの後�雕太覆�ら�i�雕太覆��‘阿靴拭廚�、Micronのsenior director of Automotive Systems Architecture and Segment Marketing、Robert Bielby��。

◇Micron aims 1.5TB microSD card at video surveillance market‐Ideal for corporate fleet dash cameras, smart home security, police bodycams, VSaaS and more, says chip giant (6月21日��け The Register (UK))
→半導��メーカー、Micronが、4か月間�M��して記�{される防�瓮�メラの映�気鯤欸eするのに�科�な1.5TBの容量を�△┐秦箸濆�みアプリケーション向けのmicroSDカードを提供している旨。ドイツのニュルンベルクで開��されたEmbedded World 2022カンファレンスで発表された、Micronの新しいi400は、これまでで最�j容量のmicroSDカードであるとされ、�噞グレードのビデオセキュリティアプリケーションに�_点を��いて設��された旨。

◇Micron Unveils World's First 1.5TB microSD Card and Automotive Functional Safety-Certified Memory (6月21日��け SEMICONDUCTOR DIGEST)
→Micron Technology社が本日、インテリジェントエッジでの��雑なメモリとストレージの��要に最適化された�嗄�なソリューションを提供するために組み込み����ポートフォリオとエコシステムパートナーシップの拡張を発表した旨。以下のキーポイント：
　＊世�c初、176-layer 3D NAND
　＊�x場初、1α(1-alpha)プロセスnodeに基づくLPDDR5 DRAM
　＊functional safety�Y��

関連する内容を最後に。3D NANDフラッシュの層数について、中国・Yangtze Memory(YMTC)の�Dり組みである。

◇Yangtze Memory to move directly to 232-layer 3D NAND production‐Sources: Yangtze Memory plans to start 232-layer 3D NAND (6月14日��け DIGITIMES)
→中国業�c筋発。中国のNANDフラッシュメモリデバイスメーカー、Yangtze Memory Technologiesが、現在の192層�\術を引き�Mぎ、232層のNANDフラッシュメモリ半導��の�攵�を開始する旨。この動きは、YMTCのキオクシア、マイクロンテクノロジーおよびサムスン電子との��争��を高める�`的の旨。

�峙�に��した先端微細化のトップ3について、現時点のあらわし�気任△�。

◇Challenges for semiconductor sector (2): What it takes to get to the top (6月17日��け DIGITIMES)
→サムスン電子、インテルおよびTSMCは、7nmの高度なプロセスへの参入を発表した世�cの半導��業�cのトップ3企業。�j�}企業は����的に互いに��しい��争にさらされているが、Intelはその高度なプロセス����をTSMCにアウトソーシングしている旨。

なかなか理解が行き届かない最先端微細化�\術であるが、関連記��より以下その��要抽出の試みである。
＊半導��の微細化プロセス�\術をリードしてきたFinFET�\術は沈み、GAA�\術が新たに浮�屬靴討い�。
＊平�Cトランジスタは、ゲートは基��に�瓦靴栃森圓�1�Cだけ。FinFETは、ゲートが3�Cに形成される(チャネルがフィンのように見えるのでFinFETと�}ばれる)。リーク電流が��らせるため、トランジスタの�~動�ξ�が�屬�る。　GAAトランジスタは、ゲートを4�妓�(��周)に�\やしたもので、FinFETよりもさらに�~動�ξ�が高い。チップ�C積を��らせるというメリットも。
＊主要5ヵ国の����を分析した�T果、これまで半導��の微細化プロセスの主��であったFinFET�\術の����が2017�Qから下落��向に変わり、GAA�\術の����が�\加��向を��していることが分かった。
　(2021�Q7月20日　出所: �f国����庁)

最先端の�\術開発、そして�攵僝&����化の絶え間ない�t開の�O筋に�R�`していく。

コロナ�官�の完��には収まりきらない�X況推�，��瓦靴�、直�Cする����への警��感を伴った舵�Dりが�Q国それぞれに引き��き行われている中での世�cの��況について、以下日々の���E経済の動きの記��からの抽出であり、発信日で��している。

□6月20日(月)

我が国の今�Qの設��投�@の見通しである。�雕爐龍ゝ詆夬Bが�_を引かない�i提ではある。

◇設��投�@�v復25%�\、2022�Q度、脱炭素などで積み残し挽�v‐本社調�h　供給�U約が実現左�� (日経 電子版 20:00)
→日本経済新聞社がまとめた2022�Q度の設��投�@動向調�hで、���噞の��画�Yは�i�Q度実績比25%�\える見通し。�Pび率は1973�Q度以来の高水��で投�@�Yは2007�Q度に次ぎ�垉�2番�`に�Hい旨。サプライチェーン(供給��)の混乱などで2021�Q度に積み残した投�@を挽�vする動きが�f�屬欧垢觧檗Ｃγ坐任覆匹悗療蟀@が�`立つが、�雕爐龍ゝ��U約が長引けば、��画が下振れする可��性がある旨。

□6月22日(水)

���Wが��く�X況である。

◇��下落、�k時136����に、日�欟眈W差拡�jで売り��く (日経 電子版 05:25)
→21日の外国為���x場で��が�乾疋襪撚射遒�、�k時1ドル=136�����i半を��けた旨。136����は1998�Q10月以来、約24�Qぶり。�殤∨����⇒���会(FRB)が金融引き締めのペースを引き�屬欧襪箸慮��気��咾泙諳k�機�日銀は金�Wを抑え込む�e勢を�z��にしている旨。日�欟眈W差の拡�jを材料にした��売りが��いている旨。

月曜がお休みの今週の�盜餝�式�x場、3万ドルを割った後のなお低い水��ということで、4日のうち3日は�屬欧箸覆辰討い�。

◇NYダウ反発641ドル高、�O��反発を見込んだ�Aい (日経 電子版 05:52)
→21日の�欒�式�x場でダウ工業株30�|平均は3営業日ぶりに反発し、�i営業日の17日に比べて641ドル47セント(2.1%)高の3万0530ドル25セントで終えた旨。終値で3万ドル��を�v復したのは15日以来。�欒�式相場が�i週��にかけ�j幅に下落し、�]期的な�O��反発を見込んだ�Aいが優勢だった旨。このところ下げのきつかったハイテクや消�J関連株を中心に幅広い銘柄に�Aいが入った旨。

□6月23日(�v)

景気後��の要因が�_なる現況、世�c経済�K化の以下の内容である。

◇石炭��要、世�cで再拡�j、アジア・欧�Δ嚢碣_、エネ供給不�W、今�Q投�@10%�\ (日経)
→石炭の��要が世�cで再び�\えている旨。ロシアのウクライナ侵��に端を発したエネルギーの供給不�Wを�pけ、欧�Δ農价��v帰が���]に進む旨。クリーンエネルギーへの転換が��れるアジアの新興国でも��要が�Pび��ける旨。��給逼��で価格が�峺�し、国際エネルギー機関(IEA)は2022�Qに石炭への投�@が�i�Q比約10%�\えるとの見通しを��した旨。

◇U.S., European Economies Slow Sharply as Recession Risks Grow‐Economic slowdown seen across US, Europe this month‐Business surveys point to declining manufacturing output and weaker services growth as price rises hit households (The Wall Street Journal)
→�盜颪肇茵璽蹈奪僂����]とサービスに関する6月のデータと調�hでは、すべての分野で���]が見られ、景気後��の可��性が高まっている旨。インフレ、サプライチェーンの課��、金�Wの引き�屬欧修靴謄蹈轡△離Ε�ライナ侵��が景気後��の要因として挙げられている旨。

◇NYダウ反落、47ドル�W、根�咾し糞し�念が�_荷 (日経 電子版 05:42)
→22日の�欒�式�x場でダウ工業株30�|平均は反落し、�i日比47ドル12セント(0.2%)�Wの3万0483ドル13セントで終えた旨。�殤∨����⇒���会(FRB)の積極的な�W�屬欧鉾爾Ψ糞し�念から売りが優勢となった旨。FRBのパウエル議長の議会証言を無�Mに通�圓靴燭海箸�ら�i日終値を���vる場�Cもあったが、�D引終了にかけて下げに転じた旨。

□6月24日(金)

◇NYダウ反発194ドル高、ハイテク株に�Aいも�崔幼_く (日経 電子版 06:08)
→23日の�欒�式�x場でダウ工業株30�|平均は反発し、�i日比194ドル23セント(0.6%)高の3万0677ドル36セントで終えた旨。�殤∨����⇒���会(FRB)の積極的な金融引き締めが景気�K化を�dくとの懸念は根�咾�、相場の�崔佑歪_かった旨。その中で銘柄��別が進み、ハイテク株の�k角やディフェンシブ株が�Aわれ、相場を押し�屬欧浸檗�

□6月25日(土)

◇NYダウ���P、823ドル高、���]な�W�屬��莟Rが緩和 (日経 電子版 05:42)
→24日の�欒�式�x場でダウ工業株30�|平均は���P、�i日比823ドル32セント(2.7%)高の3万1500ドル68セントで終えた旨。今月に入って�i日までに2300ドルほど下げており、�]期的な戻りを期待した�Aいが入った旨。消�J�vの期待インフレ率の低下を��す�欸从兒愃Yの発表を�pけ、�殤∨����⇒���会(FRB)の���]な�W�屬��莟Rがやや和らぎ、株�Aいを後押しした�Cもあった旨。

≪�x場実��PickUp≫

【�歟罎糧焼���関連】

�屬砲眇┐譴��盜颪糧焼���法案であるが、�c主党�^のどれだけかどうか、可��に積極的なスタンスがあらわされてはいる。

◇Democrats in Congress 'optimistic' chips deal can happen soon‐Chips bill passing soon, Congressional Democrats say (6月21日��け Reuters)
→�盜颪琉c主党�^が��曜21日、�盜颪糧焼������]に�\成金を�У襪�、中国の�\術との�盜颪零�争��を高めるために、$52 billionの��党派の合�Tに達することを望んでいると述べた旨。

�盜颪��U裁を�pけ、都�x封鎖にも見舞われた中国の半導��業�c。果たしてその実��は如何、以下の見�気�ある。

◇US Sanctions Help China Supercharge Its Chipmaking Industry‐China's chip industry grows despite US trade sanctions ‐Most of the world's fastest-expanding chip firms are in China‐White House curbs on Huawei ignited demand for homemade chips (6月21日��け Bloomberg)
→Huawei Technologiesや他の中国企業に�瓦靴洞\術輸入を禁じる�盜��U限は、該人�c共和国がmicrochipsの国内�攵��ξ�を構築するように導いた、とこの分析は��に言及している旨��「根�fにある最�jの��向は、Covid-関連の封鎖によって触��された、サプライチェーンにおける�O給�O�Bへの中国の探求である」と、Morningstarのアナリスト、Phelix Lee��。

◇中国半導���噞の実��、「�O給率」で�Rる�Mしさ科学記�vの�`　アジアテック担当�霙后��囘勅�平 (6月22日��け 日経 電子版 02:00)
→中国の半導���噞の実��を�Rる指�Yとして、�O給率に関心が集まっている旨。中国���Bが�噞振興策に数値�`�Yを�rり込み、その達成度合いは経済�W��保障を巡る議�bなどで�`�Wとなっている旨。ただ、�O給の定�Iなど見�擬���で数値が�jきく変わるため、中国半導��への�h価がブレる�k因にもなっている旨。

【新しいfabsの�Dり組み】

新fab��画が��湾はじめ数�Hく�]ち�屬欧蕕譴討い襪�、成�^世代��の�攵�への影�xの見�気任△�。

◇EOL: The Chip Shortage You Don't See Coming (6月20日��け EPS News)
→世�cの半導��業�cが数�欧凌靴靴ぅ侫．屬望��}するにつれて、半導��メーカーが�x伝したくない副作��があり、それは����の陳�慍�。現在のサプライチェーンのダイナミクスは、�H数の��命��期(EOL)半導��を供給不�Bに�{い込む可��性がある旨。

GlobalFoundriesのシンガポールfabの現況である。

◇GF starts equipment move-in at new Singapore fab‐GF initiates IC gear move-in at Singapore wafer fab (6月23日��け DIGITIMES)
→GlobalFoundriesが、シンガポールキャンパスにある同社の新しい拠点で����の搬入を開始し、最初のツールであるLam Research��の�x場をリードするエッチングツールを拠点のクリーンルームに入れた旨。

DRAMの��湾・Nanya Technology社が、$10Bウェーハfabの��工式を行っている。

◇Nanya Technology breaks ground on semiconductor fab in New Taipei‐Nanya Technology starts building $10B wafer fab in New Taipei (6月23日��け Focus Taiwan)
→DRAM半導��の��湾の�j�}メーカー、Nanya Technology社が、Taishan District, New Taipei(新���x�S�儷�)にある新工場の��工式を�v曜23日に開��、蔡英文総統が出席の旨。

◇��湾・南亜科�\、DRAM�攵��ξ�2.2倍、1.3兆��新工場��工 (6月24日��け 日経)
→半導��メモリーのDRAM�j�}、��湾の南亜科�\(ナンヤ・テクノロジー)が23日、���陲凌訣��xで新工場の��工式を開いた旨。総投�@�Yは3000億��湾ドル(約1兆3600億��)で、2025�Qから順次、�n働を始める旨。�B元のDRAM��要は世�c的なインフレなどを�pけ���]しているが、長期的な�x場成長を見込み投�@を進める旨。

メモリ半導��の中国・Yangtze Memory(YMTC)、本拠地、��漢での��2工場の�Dり組みである。

◇China's Yangtze Memory takes on rivals with new chip plant‐Yangtze Memory to open a new fab in Wuhan by year's end ‐Company aims to close technology gap with players like Samsung, Micron (6月23日��け Nikkei Asian Review (Japan))
→本�Pに詳しい情報筋発。中国のメモリ半導��メーカー、Yangtze Memory Technologiesが、今�Qの終わりにも本社のある��漢に2番�`の工場をオンラインにする予定であり、同社の�\術と�攵盋の�f国のSamsungや�盜颪�Micron Technologyなどのグローバルリーダーとのギャップをさらに縮める可��性がある動きの旨。

�f国・SK Hynixの�k�j$92.3Bプロジェクトへの���}である。

◇After a year delay, SK hynix ready to break ground for four-fab Yongin chip cluster‐SK Hynix ready to start construction on $92.3B Yongin fab cluster (6月23日��け Pulse by Maeil Business Newspaper (South Korea))
→�f国のSK hynixが来月、��画が発表されてから3�Q後、Yongin, Gyeonggi Province(�B���O龍�n)で120 trillion won($92.3 billion)の野心的な半導��クラスタープロジェクトについに���}する旨。

【「Qualcomm AI Stack」】

Qualcomm Technologiesが、「あらゆる��業分野における�w�~のAIニーズ」に�官�するものという、AI分野の開発�v向けランタイム(プログラムの実行フェーズ)����「Qualcomm AI Stack」ポートフォリオを発表している。

◇Qualcomm unifies its AI efforts with new stack‐Qualcomm debuts a new stack for AI tech (6月22日��け VentureBeat)
→Qualcomm AI Stackは、人工���Ε▲廛螢院璽轡腑鵑鬟汽檗璽箸垢襪燭瓩�Qualcommによって改�､気譴燭發�。Qualcommクアルコムの�`�Yは、すべてのAIソフトウェアツールを1つの統合プラットフォームにまとめることである旨。

◇Qualcomm goes 'full stack' with unified AI software approach (6月23日��け FierceElectronics)
→Qualcomm Technologiesが、Qualcomm AI Stackポートフォリオを発表、��数の異なるQualcomm����にわたってAIアプリケーションを作成するための統合ソフトウェアアプローチをもたらす旨。

【Meta(旧Facebook)関連】

Metaはじめ関係�Q社が、Metaverse Standards Forumを設立、捉え�気�様々な��念であり、オープンなメタバースの構築に��要となる相互運��の�Y��化に向けて�Dり組むとしている。

◇Meta, Microsoft, NVIDIA, Unity and others form Metaverse Standards Forum‐Tech companies establish Metaverse Standards Forum (6月21日��け TechCrunch)
→Meta、Microsoft、Nvidia、Sonyおよびその他のテクノロジー企業が、metaverse応��がさまざまなプラットフォームで動作できるようにすることを�`的として、Metaverse Standards Forumを設立の旨��「インターネットのように、metaverseは国境を越えて相互接��されたシステムになり、管轄区域を越えて動作できるようにするための�o的および�M的な基��、���Jおよび���Г離ΕД屬���要になる��」とMetaのpresident of global affairs、Nick Clegg��がブログ投�Mにて。

Metaの次世代VR端��の試作の�Dり組みである。

◇メタが次世代VR端��の試作��、小さく軽く、開発��ぐ (6月21日��け 日経)
→�櫂瓮燭�20日、仮�[現実(VR)端��の試作��「ホロケーキ2(Holocake 2)」を�o開、映�気鯢戎�するディスプレーと��点を合わせるのに��要なレンズの間の�{�`を�]くして小型軽量化する旨。高性�Δ蔽蒔�が次世代のインターネットと位����けるメタバースの実現に不可�Lとみており、現実の景色の再現を�`�Yに開発を��ぐ旨。

【巨�jIT���U関連】

我が国でも、�L外の巨�jITに�瓦�、法人登記を求める動きが以下の通りである。�盜颪呂犬畄Q国で���U&監���啣修�行われる中、罰�Ь}��きをとる�Dり組みである。

◇未登記の�L外ITに罰金へ、���B､メタ･Twitterなど監���啣宗撻ぅ屮縫鵐哀好�ープ】 (6月20日��け 日経 電子版 18:00)
→日本で��業を�t開する�L外IT�j�}が法人登記をしていない問��で、���Bは登記しない企業に罰�Ь}��きをとる�疑砲鯢wめた旨。3月��までに�櫂瓮�(旧フェイスブック)や�櫂張ぅ奪拭次��櫂亜璽哀襪覆�48社に登記を求めたが、応じない企業があるとみられる旨。�Q国は�W���v保護の�菘世�IT�j�}への���Uや監��を�咾瓩討�り、日本も厳格に�官�する旨。

◇�L外IT、法の��逃れ成長、�Q国が税・登記巡り�官� (6月21日��け 日経 電子版 02:00)
→���Bは�L外IT�j�}に法人登記を求め、���Uや監��を�咾瓩觧�。SNS(交流サイト)�屬任涼��a問��や偽情報への�官�など、IT�j�}を巡る課��は�Hい旨。しかし�L外のIT�j�}は現地での税負担や���U�官�を�cけており、�Q国の当局は課税だけでなく法的な権限すら行使できない�X況が��いてきた旨。�L外ITの�T在感は日本でも�jきく、監�Hを�咾瓩���要に��られている旨。