≪最先端�\術の最�i線≫

SPIE Advanced Lithography conference(SAN JOSE, Calif.)にて、��微細化リソグラフィ�\術の最新の�Dり組み�X況が、�Q社から発表されており、�`に��いたいくつか、次の通りである。"驚き"、"かけ�`れ"という表し�気�伴なう現�Xの�pけ�Dりとなっている。

◇SPIE: Samsung wants EUV by 2012 (2月21日��け EE Times)
→日曜21日のLithoVision 2010イベントにて、Samsung Electronics Co. Ltd.が驚くべき発表：extreme ultraviolet(EUV)リソがそのときまでに間に合わない雲行きがあるにも拘らず、2012�QまでにEUVを欲する旨。

◇SPIE: Intel to extend immersion to 11-nm (2月22日��け EE Times)
→Intel社、驚きのロードマップ：193-nm immersionが11-nmロジックノードまで��びる見込み、extreme ultraviolet(EUV)はまたまた��れる旨。

◇Maskmakers Struggle to Find the ROI on EUV Masks-Like others with a stake in EUV lithography development, maskmakers are being asked to contribute money to a Sematech effort to close the funding gap in mask inspection development.
It's a tough question, however, given the low probability of a return on that investment anywhere in the near future.(2月24日��け Semiconductor International)
→半導��業�cはEUVリソ開発に��常に�jきな投�@、22-nm half-pitch以�Tの�v路patterningを行う�\術として�pけ入れられているが、コスト見積りがしばしば現実的な数�Cからかけ�`れているところがある旨。

EUVリソの�M�譟∪蒄�ばしがまたも、という感じがあるが、��微細化の軸は����的な�x場�v収の�`処が立たないと、設��投�@にモチベーションがなかなかかからないというところはあると思う。今�vのconference����を通した以下の総括記��は、�v復にゆっくりとした�B�Dりで向かう現在の景況下での開��ならではの溢れる思いを感じ�Dっている。

◇10 observations from SPIE Litho (2月26日��け EE Times)
→今�QのSPIE Advanced Lithographyイベントの主��は、��らかに''D and D''。EUV、masklessおよびnano-imprintのdelaysの"D"と、それ故半導��メーカーは193-nm immersionの�Sに引き��き乗らなければならず、double-patterningに�R�`ということで"D"。以下、今�vの�荵々獪`：
1. EUV woes.
2. Self-assembly grabs the spotlight.
3. Direct-write litho still facing uphill climb.
4. Nano-imprint still stuck in R&D.
5. Tool vendors are cautious despite the upturn.
6. Where's the booths?　 →今�v見られない�j�}のブースも
7. Let's laugh a little.　…TSMCのプレゼンから
8. M&A in the air?
9. We want to party!　…少なくなったreceptions
10. No time to party.　…EUV, ML2, nano-imprint, self-assemblyなど�Hすぎる項�`

�B変わって、��く新しい発�[の革新�\術2�Pである。次のjunctionlessトランジスタは、20-nm���]ノードで商��化インプリの可��性があるとのことである。

◇Junctionless transistor could simplify chip making, say researchers(2月22日��け EE Times)
→nanoelectronics���]および半導��業�cに�j変革を��こす可��性の動き、Tyndall National Institute(Cork, Ireland)が、世�c初、junctionless Trを設��、��作の旨。直径a few dozen atomsのシリコンwireを�Dり囲むコントロールゲートの運��にブレイクスルーがある旨。���C模式図、下記参照。
⇒http://i.cmpnet.com/eetimes/news/online/2010/02/junctionless_transistor400.jpg

もう�kつ、n型およびp型ドーピングが1ステップで行える、という�}��のような�\術である。

◇CMOG Devices Near Implementation-A simple one-step process that produces both n- and p-type doping of large area graphene surfaces may facilitate its use for future electronic devices. The technique can also increase conductivity in graphene nanoribbons used for interconnects.(2月25日��け Semiconductor International)
→商��で出ているspin-on-glass(SOG)材料をgrapheneに適��、それにE-beam照�oすることにより、Georgia Institute of Technologyが、単に露光時間を変えてn-型およびp-型dopingを作り出すことができ、高エネルギーレベル�笋�p-型�覦茵⌒k�議礇譽戰��笋�n-型が�uられる旨。complementary metal oxide grapheme(- CMOG -) Trs���]を可�Δ砲垢�1ステップである旨。
・graphene�屬�spin-on-glassパターンによるp-n接合：下記参照(Source: Georgia Tech)
⇒http://www.semiconductor.net/photo/255/255167-P_n_junction_using_patterned_spin_on_glass_on_graphene_Source_Georgia_Tech_.jpg

このようなイノベーション�\術の順調な�攬蕕��咾�願うものであるが、まさにこれを�мqする連携��動が、�盜颪砲�Intel主導で次の通り行われるとのことである。下記連載の≪グローバル雑学�棧笋離魁璽福爾如�現在の�盜颪林X況について読み進めているが、今後の世�cを切り開いて引っ張っていくスタンスの風土を改めて感じている。

◇Intel-led alliance pledges $3.5B in venture funds-Group promises to hire 10,500 college grads in 2010(2月23日��け EE Times)
→Intel社が主導、25のventure capitalおよびハイテク17社のグループ、Invest in America Allianceが��曜23日お披露�`、向こう2�Qにわたり�盜餠\術startupsに$3.5B出�@、また2010�Qに10,500ほどのcollege studentsを採��していく旨。この採���pけ入れを表��している会社：
Accenture,
Adobe Systems,
Autodesk,
Broadcom,
Cisco Systems,
Dell,
eBay,
EMC社,
GE,
Google,
Hewlett-Packard,
Marvell Semiconductor,
Microsoft,
Yahoo

≪�x場実��PickUp≫

Intel社がAtomプロセッサ���]について、TSMCとの連携を発表したのは次の通り1�Q�iのことである。

◇Intel to port Atom cores to TSMC's tech platform(2009�Q3月2日��け EE Times)
→Intel社とTSMCが月曜2日合�T発表、Intelが不��定のAtomプロセッサコアを、プロセス、IP、ライブラリおよび設��フローなどTSMCの�\術プラットフォームに�／△垢觧檗�

設��と���]のトップ連携ということで�R�`していたが、ここにきて暗礁に乗り�屬欧討い詁阿�である。

【Intel-TSMCのAtom連携冷却化】

◇Update: Intel-TSMC Atom partnership on hold (2月25日��け EE Times)
→Intel社が�v曜25日、TSMCにより���]されたAtom半導��を�x場投入する当�Cの��画はないと認めた旨。

早�]、業�c筋からの見�機�憶�Rである。

◇Intel alliance with TSMC "fizzles" - bad news for Atom versus ARM in smartphones (2月25日��け ZDNet)
→ARMが現在Atomに�瓦靴討發塚グ明�として下記がある旨。
　- It has a large library of designs that companies can combine into custom chips. Atom does not.
　- ARM consumes very little power and it is a smaller design ? all very important in mobile markets.
　- ARM has a large installed base in smartphones, which means there is a large community of developers in the smartphone market with experience with the architecture.

◇Six reasons why no one wants an Atom-based SoC-Intel's fear of the processor core business may be the root(2月26日��け EE Times)
→�菁暗�な憶�Rで以下の旨。
1) Intel is charging high royalties
2) Intel has some other nasty business terms
3) Intel is not providing adequate visibility into its core
4) The design might be a dog
5) No one wants to go first
6) Intel doesn't know how to sell processor cores

さて、2010�Qの半導��業�cの数�Cはどうなるか、��新データを以下見てみる。世�c半導��販売高について、積極的な���巨T��のGartner社と抑えめなThe Information Networkによる以下の見�気任△襦�

【今�Qのグローバル半導��販売高】

◇Gartner: Chip revenue to rise 20% in 2010 (2月24日��け EE Times)
→Gartner社(Stamford, Conn.)発。2009�Qの9.6%��を経て、2010�Qのグローバル半導��売�屬欧�、19.9%�\の$276Bに達すると見込む旨。昨�Q後半時点では、2010�Q約13%�\と見ていた旨。

◇WW semi revenue expected to grow 20% in 2010, Gartner says-Thanks to strong demand for PCs combined with DRAM prices that are on the rise, DRAM revenue is expected to grow more than 55% this year, the market research company said.(2月25日��け Electronics Design, Strategy, News)

◇Mid-year slump to limit chip market growth, says analyst(2月23日��け EE Times)
→The Information Network(New Tripoli, Pennsylvania)のRobert Castellano��。�ｲし从僂�mid-year低迷でconsumer electronics消�Jが抑えられ、半導���Q間売�屬欧��Pびが2010�Q11.2%�\に�里泙襪噺�る旨。
　2009�Q　　2010�Q
　$220B　　$245B

半導��設��投�@について、IC Insights社のデータである。Samsung, IntelおよびTSMCの3社で4割�Zくを��める見�気箸覆辰討い襦�

【今�Qの半導��設��投�@】

◇IC Insights: Top 10 to Spend Aggressively in 2010-IC Insights said the Top 10 capex spenders will account for 66% of capital expenditures in 2010, with Samsung, Intel and TSMC representing 38% of capital outlays. Samsung and Toshiba are investing heavily this year to meet high demand for NAND memories, while TSMC will spend $4.8B this year, a 79% increase, the market research firm said. (2月24日��け Semiconductor International)
→IC Insights社(Scottsdale, Ariz.)発。今�Qの半導��設��投�@は、Samsung, Intel, TSMCおよび東��が引っ張って、トップ10社で2/3を��める見込みの旨。データ内容、下記参照。
⇒http://www.semiconductor.net/photo/254/254914-Despite_high_investments_this_year_the_chip_industry_could_see_shortages_develop_in_the_second_half_of_2010_Source_IC_Insights_.jpg

≪グローバル雑学�棔�86≫

��二次世�c�j戦後60�Q余りの�盜餬从僂諒冑�を、

『アメリカを�瑤襦�(実　哲也 著：日経文�U1213)…2009�Q12月 1版1刷

より改めて辿ってみる。まさに小�擇硫罎��Oを振り返るのと同じ時間軸であるとともに、電子工学、半導��、シリコンバレーなどが�I�`のキーワードとなって、�盜餬从僂��Sにもまれながら現在に至っている我が国の半導��・デバイス業�cというものが浮き彫りになってくる。

[IV]　�盜餬从僂��，衒僂錣�

1　戦後秩�M再�擇伐�金時代
(1)ゆたかな社会
・�盜餬从僂量Oのり
　＊　1960�Q代まで…世�cに類のない繁栄の時代
　＊　ベトナム戦争を経て、どん�fの1970�Q代
　＊　「日本脅威�b」から徐々に経済再�擇妨�かう1980�Q代
　＊　冷戦後の経済グローバル化の中、再び����を�Dり戻す1990�Q代以�T
・���k次�j戦ごろにかけて���]に�Pびた工業�攵���や�\術革新
・戦争が�盜餬从僂鬚發��k段飛躍させるきっかけを与えた�Cも
・���B肝いりの新�\術開発　…電子、�豢�など
(2)�j企業が�W定雇��を創出
・1960、70�Q代ごろまでは�O動�Zをはじめ�盜颪亮舁廚����]企業では、�k�敍韻顕饉劼望�める人も�H々
　→企業も個人もともにハッピーな黄金時代
(3)社会保障の拡充
・1950�Q代の国内総�攵�(GDP)統��では、実��経済成長率が7%以�屬魑��{している�Qが4�v
　…消�Jと企業の投�@の拡�jを背景に、�盜餬从僂蝋發だ�長を�e��
　⇒ほとんどすべて�盜餽馥發厘�要
(4)パックス・アメリカーナ
・1960�Q代まで…　�盜颪棒つcが経済も国際秩�M維�eも頼る「パックス・アメリカーナ」の時代
・1944�Q7月、�櫂縫紂璽魯鵐廛轡磧��Δ離屮譽肇鵐Ε奪困如∪鏝紊旅餾欸从冀痿Mづくりのための会議
　⇒IMF(国際通貨基金)、IBRD(国際復興開発銀行)、GATT(関税と��易に関する�k般協定)の創設
・ブレトンウッズ���U　→ドルが基軸通貨として��易や��済の�}段として世�c中で����

※1950�Q代の�盜颪留媛擇魏�めて認識している。我が国の高度成長時代、そして現時点の中国の経済成長と、�jきな時間軸、時代軸で繰り返す�S模様を思い浮かべている。

2　ドル�e機とインフレから再�擇�
(1)ニクソン・ショック
・1971�Q8月15日　…戦後の世�c経済を�Г┐織屮譽肇鵐Ε奪����Uが崩�sした瞬間
・ニクソン・ショックをもたらしたもの
　→�盜颪����]業の��争�屬陵グ明�が薄れ、��易収�Г��K化したこと
　　…1971�Qには戦後初めての���Cを記�{
　→膨らんでいった財�����C
・1971�Q12月のスミソニアン合�T
　→ドルと�Q国通貨の交換レートが改定、360��が308��に
・1980�Q代から1990�Q代に加�]していく日�沛�易�C�o
　→1974�Q通商法での301条が威��を発ｧ
(2)石��ショックでどん�f時代に
・1973�Q秋の石��ショック　→エネルギー価格が���_
　→�餡舛��峺�と失業率の�峺�が�k緒に��きるスタグフレーションへの突入
(3)ボルカーのインフレ���E
・1979�Q��、ボルカー��をFRB(�殤∨����⇒���会)議長に任命
　→通貨供給量の管理を金融��策の�`�Yとする新しい�}法
　⇒�K性のインフレは鎮��化へ、ただ、景気には深刻な�]撃
・1981�Qから8�Q��くレーガン��権の供給サイドを�_��する経済��策につながる
(4)レーガン革命と双子の���C
・レーガン��策の最�jの柱　…思い切った��税の実施
　→財�����Cが���]に膨らんで、最初からつまずく
・財�����Cの拡�j、��易収�Г����Cも����に拡�j、�jきな「双子の���C」の�椶�
(5)ドル�Wと日本脅威�b
・1985�Q9月、プラザ合�T　→1�Q後には1ドル＝150����まで低下
・1987�Q10月、�盜馮�の株価の�j暴落「ブラックマンデー」
・�盜馮焼���業�cが日本�x場の閉鎖性を理�yに通商法301条に基づく提訴
(6)経済復��の芽
・1980�Q代は�盜餬从僂�1970�Q代の�Z�Mから徐々に立ち直る時期にも
・シリコンバレーを中心にハイテク拠点の勃興
・新興企業に�瓦垢襯戰鵐船磧璽�ャピタルによる出�@の拡�j

※日�殀焼����C�oに至る�盜餬从冖詫佑両���な変貌経�圓髻�頭の中で�D理している。小�擇�半導��業�c��動に入ったのは、現在冬��オリンピックが行われているバンクーバーでの日�盜臍Tの後、1996�Q秋のことである。

3　独り�Mちからバブルへ
(1)財��収�Г硫���と福�R改革
・冷戦の終�T、経済�Cも含めて�盜颪瞭箸蟇Mちが1990�Q代の半ばごろから
・クリントン�j統�襪侶从冢�策　…当初の予�[よりも保守的
　→財�����Cの削��努��　⇒��権��期の1999、2000�Qには���Cに転換
　→福�R��策：ドル�W志向の為����策：�O�y��易優先の考え
(2)����源は�c間企業と��業家
・1990�Q代に�盜餬从僂���性化させた主役
　→���Bというよりも�c間企業や��業家たち
・��々と�}開いたベンチャー企業
・�j企業は���]業を中心に引き��き試�aを経�x、�擇�残りをかけて変身
　IBMの例：　ソフトウェアやサービス�_��
(3)行きすぎた楽���b
・�盜餬从僂��戮辰審����bが頂点に　
　→1999�Qから2000�QにかけてのITバブル　→景気後��
　⇒���BやFRB、積極的な経済刺��と金融緩和
・今�vの金融�e機の�a�o

※1990�Q代後半から現在に至るまでの��ぎ�Bのレビューである。�盜餬从僂凌��，鮓�てきて、我が国は今後どのように進むべきか、�j�妓世錣譴討い覺超�、エネルギーなど我が国の誇る、我が国ならではの�\術の�_点�啣修覆鼻△笋��鞠＿燭鬚い蹐い躪佑┐気擦蕕譴襦�