変容するファンドリのビジネスモデル
プロセスノードが28nmになりfinFETが登場したT果、LSIの集積度は凄まじく屬った現在、ファンドリに深刻な問が発擇靴討い襦finFETは3次元的な構]をWして集積度を屬欧襪海箸可Δ(図1、参考@料1)。ファウンドリ問を記述するiにファブレス企業とファンドリの関係を筆vなりにD理し理解をしたのでそれを共~しておこう。
![図 finFETの基本構] 出Z:稲聡著「Advanced FINFET Process Integration Technology for 32nm Node and Beyond" finFET」(参考@料1)](/archive/blog/insiders/oowada/img/INS120921-01a.gif)
図 finFETの基本構] 出Z:稲聡著「Advanced FINFET Process Integration Technology for 32nm Node and Beyond" finFET」(参考@料1)
今やLSIチップ屬離肇薀鵐献好真瑤20億個を越えつつある。x場の要个らすれば、もっと高機Δ任發辰畔雑な動作でもっとW価なチップが要なのだ。
業cでは周瑤里茲Δ1980Q代後半からファブレス型の業vなどがアメリカ等で\えてきた。彼らはあるセグメントのx場にに詳しく、その立場をWしてx場にpけ入れられそうで、しかもまだT在しないチップを[定し基本設する。そしてファブレスデザインハウスはファウンドリと]ち合せ、そのプロセスメニューをび、峙のチップのQフォトマスクをデザインしワークステーション内のGDS llフォーマットデータとして出する。このテープがマスクショップにУ襪気譴謄泪好セットが作られ、マスクはファウンドリに渡る。
k機1987Qにモーリス・チャンはTSMCを創業、ファブレス企業にとって好都合のファウンドリが擇泙譴拭ファウンドリはファブレスのマスクをuてチップを試作することが可Δ砲覆辰拭こうしてファブレス企業が試作ウェーハを入}できる環境が1980Q代後半からD△気譴討い拭ファブレス企業はウェーハをテストし良が採れれば試作デザインが成功したことを祝うが、さもなければエラー霾を再設しなければならない。設し直したテープから改・泪好を調達し、再びファウンドリに試作させ改・ΕА璽呂鯑}し再びテストする。ファブレス企業はこのサイクルを繰り返した後、良好なマスクとウェーハが再現性良く連して]できるXに進む。ファブレス企業にとって開発チップの売屬てだ。売屬膨jであればW益も膨jだ。こうしてファブレス企業とファウンドリ企業は「eちつeたれつ」で互いに\け合い共に発tしてきた。
さて本に入ろう。ファンドリのビジネスモデルに、今果たして何がきているのだろうか?7月の報O(http://eetimes.jp/ee/articles/1207/05/news040.html)によると、ファブレス半導ベンダーであるQualcommはTSMCからの納入が未達で困惑している。この時点では28nmノードの歩里泙蠅呂泙昔匹なっていない。もし、歩里泙蠅高ければ納入の未達が発擇靴覆い里半導業cの常だ。もちろん、28nmのノードになるとウェーハ屬縫僖拭璽鵑あって凹も加味されるとそのリソグラフィとエッチングなどの加工は限cにZい。3次元のfinFETにおいては]経xが浅いこともあって、高い歩里泙蠅倭蠹にMしい。デザインハウスがQ社Q様に微に違うレイアウトをeち込むことも考えると、ファンドリが高い歩里泙蠅冒瓩ぅ蕁璽縫鵐哀ーブで到達することは至Mだ。こうしてきた動きはファンドリの仮[IDM化だと言う。IDMとは、Integrated Device Manufacturerのことであって東やインテルなどH数の会社が成功している半導業モデルである。IDMは新を企画し設し、設データからフォトマスクを入}し、O社保~のファブにて]し、完成を顧客に納入する。仮[IDMのX況は下記だ。
LaPedusが電子メディアSemiconductor Manufacturing & Designに報告した内容では、(http://semimd.com/blog/2012/07/31/firms-rethink-fabless-foundry-model/)ファウンドリはファブレスの設チームとより密接な協業(コラボレーション)をすることが要だ。設チームはファブのZくに常駐し、]問が出たら直ちにけつけなければならない。さもなければFirst Siliconはuられない。TSMCが画する仮[IDMとは、LaPedus報告によれば_要顧客別の個別ファブを作ることだという。グローバルファウンドリーズ社で考えているのは、ファブ内に作る専モジュールだ。そしてIBMから20nmのfinFET\術を供与されたUMCは、新たに開始するファブ投@の10%分の@本を提出するように顧客に}びXけている。星グループのファンドリである星電子はアップルに向けたチップの専ファブを作った。
QualcommはJに述べたように機会失が発擇靴督┐蠅燭里、O社ファブを建設してより良い]コントロールをするべく検討している、とLaPedusは述べている。果たしてできるのか?報OによればVLSI Research社のHutchesonは「Qualcommの売崋太咾覆蕕修虜睥はeっている」としているが、「ファブレスがファブを建設して運して成功するチャンスは高くない」と述べている。リスクはjきくJもビリオンドルの世cだ。tち$15B〜$25Bの投@が要だ。そしてファブ運の経xをeたないQualcommにはファブ業はjきなリスクになる。それでも挑戦するのだろうか?Qualcommにとって椶泙靴い里蓮▲魁璽疋諭璽Snapdragon(スナップドラゴン)のようなスマホ向けのチップでトップにある納入責任を果たさなくてはならないことだ。
半導]のMしさは歩里泙蠅良W定さであって、筆vの経xでは突に歩里泙蠅改することもある。ただ、歩里泙蠅麓,糧細なノードになると、再び下がる向にある。最Z、28nmの例で歩硫したとの報告もあるようだが、この次は22nm/20nmである。これほど微細化が進むと、LSI]のMしさはさらに\すだろう。
コラボレーションが要なファブレスとファウンドリが陥りやすいのはe割の弊害だ。常駐するといっても別会社なら命令U統は別だし限cがある。先端ファウンドリのZ未来はどうなるのか`が`せない。
参考@料
1. Advanced FINFET Process Integration Technology for 32nm Node and Beyond" finFET、稲聡、