筆�vらは、Japanese Journal of Applied Physicsという欧文誌に1969�Qに投�Mした。それはShort Noteで�]い�b文を�T味していた。���@は、"Effect of the Crystal Orientation upon the Electron Mobility at the Si-SiO2 Interface"（参考�@料1）というものだが、和文は筆�vの試�lでは、「Si-SiO2�c�Cに�Pける電子�‘暗戮��C�軌粍踊T性」となる。その著�vは、�j和田、�i田、田中（以下��て�w称�S）の連�@であった。当時、良い性�Δ�MOSFETを���]する�\術が求められていたので、この報告もその�k環と言える。

内容を�~単に述べると、まず単�T晶シリコンウェーハを5�|類の�T晶�Cで切り出した。そして、それぞれの�C指数が、(110)、(111)、(112)、 (113)、そして(001)であった。そのウェーハが��て互いに誤りなく区別できるように、番�､���けて1ロットとして扱い、同�kの��浄と�i処理を施し同じ炉で表�Cを�┣修靴拭Ｋ豸�が2400Å（オングストローム）と、昨今のデバイスと比べて相当に厚いのが気になるが、1969�Q当時は普通のMOSFETはそのようなものだった。何しろ��電破�sを��こしてはならない。

試作したMOSFETはリングゲート構�]であって、これは���k級の教科書によった。教科書のタイトルは、"Physics and Technology of Semiconductor Devices (1967, John Wiley, New York)"。その著�vはフェアチャイルド社�\術研�|所所長、A. S. Grove。よく�瑤蕕譴討い襪�Groveはその後インテル社の社長・会長になった人である。リングゲート構�]のMOSFETは通常の構�]と異なり������なのでゲートの終端の影�xを�pけない。このため、�R定�T果がきれいに出やすい。リングゲート型のMOSFETは添��の図1にも��したが、そのレイアウトは中央に��形のドレイン拡�g層を�~し、その�vりをリング�Xにゲートが囲む。その外�笋�ソースであり基��と同電位にしておく。

図1　リング構�]のMOSFETで実�x　出�Z：Japanese Journal of Applied Physics

このMOSFETを使った電子�‘暗戮留R定�T果は図1に��したが、�|々の理�yで使われていた(111)�Cで��作したデバイスはその�‘暗戮���極管�覦茲留R定で450 cm2/Vs��度と低かった。それが(001)�Cのウェーハを使ったデバイスになると、800 cm2/Vs��度になった。もちろん、�‘暗戮禄jきい�気�好ましい。だから�T�bは当��、MOSFET量�����]には(001)�Cウェーハを使うべしということになった。図に��すデータにおいて、�R定�T果は�i田が���Qし、点線で��した理�b値とうまく�k致した。�k応の成果は出たのである。ところが、�j変不思議に思ったのは、MOSFET量�����]�\術において、1960�Q代に日本と同等もしくは越えていた欧�櫃慮��|が少なくともこのテーマであるウェーハ�C�軌未亡悗靴神�果が�k切出てこなかったことだ。

実はこの�b文以�iに早い段階で、日立��作所の�j野、川地、桃井が同じような主旨で����出願をしていた。その�o報は���o昭42-21446で、その出願は1964�Q2月。詳しくは述べないが、他にもウェーハ�C�軌未亡悗錣�MOSFETの研�|は日本のみからであった。この出願の���o昭42-21446は�|々の反�乾�レームを乗り越えて日�櫃覇�立の権�Wになった。�|々の��情に��み、�o��性も考えて筆�vらは����出願をしていない。

それからずいぶん時が経った2008�Q、SEMI News vol. 24, No. 5に�j野�O身が�峙�の����出願に関わる顛��を書いている。それによると、�j野は�T晶鉄の磁化率の軸依�T性について茅理�bを�瑤辰討い拭３�は東���j金�鏈猯糎��|所出身でその後、東�j総長にもなった人だ。�j野は直感から茅理�bとの相関を�[定し、�C指数を�|々変えたMOSダイオードを作った。そのC-V��性を�R定し、(001)�Cダイオードの好��性を見出し、その再現性を調べた。MOSFETも作��し、(001)�Cデバイスの好い��性を確認し発��を出願した。筆�vと同様に、(001)�CMOSデバイスの研�|が�盜颪能个討海覆�ったその不思議な気�eちをも�j野はSEMI Newsに書いている。しかもわざわざRCA社の�瑤蟾腓い吠垢い導稜Г鬚靴討い襦��盜颪任藁匹ぅ如璽燭�出なかった、とのことだ。

参考�@料
1. Ref: A. Ohwada, H. Maeda and K. Tanaka: JAPAN. J. APPL. PHYS 8 (1969) 629-630.