終焉したのか、ムーアの法�А�
�櫂侫Д▲船礇ぅ襯票劼離粥璽疋鵝Ε燹璽◆倣w称�S、以下同様）は1965�Qに�~�@なムーアの法�Г鮠Г┐拭�そのエッセンスは、「半導��チップに搭載されるMOSデバイスの数は、ほぼ1�Qで倍�\させることが可�Δ任△襦廚噺世Δ發里任△襦Ｈ�表された当時ムーアはロバート・ノイスと共にフェアチャイルド社を��し、そこで働いていたが、ムーアの法�Г鮑任盥�く引��したのはフェアチャイルド社ではなく、二人がアンディ・グローブと共に1968�Qに設立したインテル社である。
出�Z：インテル社ホームページ
��実、今日でも同社のホームページにはムーアの法�Ю�立の証拠として横軸に�Q度を、そして�e軸に�歓凜好院璽襪妊船奪��屬離肇薀鵐献好真瑤鬟廛蹈奪箸靴織哀薀佞�掲げられているが、その勾配は微��に変わりどちらかと言えば約2�Qで倍�\にすり��わった形になりこの�X��が�Pく��いていた。このグラフ（図）は1970�Qのトランジスタ数、約2,000から始まり2006�QのItanium 2のトランジスタ数12億まで��きほぼ直線に乗っている。2008�QのInternational Solid State Circuits Conference (ISSCC)で同社が発表した次世代MPUであるTukWilaは、チップ数が実に20億個と発表された。TukWilaは、2009�Qに量�凮始とのことである。
さて、�崕劼離哀薀佞任録�さないがTukWilaを加えてプロットすると��肩�屬�りのグラフの���AはTukWilaにおいて���A角度が鈍り、2006�QのItanium 2までの曲線と��らかに不連��に見えてその勾配の角度が約半分になってしまった。ただし1990�Q頃に導入された初代Pentiumも同様に角度が鈍かったので次の新����までプロットを見てみないとこのことを��定するのは時期尚早であろう。ともかく同社はこの半�歓凜廛蹈奪箸��k直線で��く限りムーアの法�Г�機�Δ靴討い襪箸領�場なのである。
�k�機▲燹璽△遼��Г禄�焉した、�{しくは破�Vしているとする�b調も�Hくある。Semiconductor International Japanの2007�Q10月�､��k例である。もう�kつの例は独立法人�噞�\術総研の原史�rが発表した解説で「ムーアのビジネスモデルの破�V」と��された文章である。
実はムーアの法�Г魑��Δ気擦進未例~�@な法�Г�あり、それは何かといえばスケーリング�Г任△襦�IBM社のR. H. Dennard等は、“Design of Ion-Implanted MOSFET's with Very Small Physical Dimensions,” IEEE J. Solid-State Circuits SC-9, 256_268 (1974)、と��する�b文を�o開している。ムーアの法�Г�発表されてから9�Q�`のことであった。この骨子はMOSデバイスのシュリンク�tち縮小化をガイドする理�bである。�tち、デバイスの�∨，�1/K倍するモデルを彼らは作った。新デザインのパターンを1/KでシュリンクさせてMOS�v路を設��する時、チップ�C積は、1/Kの二乗で縮小する。ここで�R�Tしないといけないのは、スケーリング�Г砲�いてゲート�┣祝譴慮�さも1/K倍になり膜厚を��らすことになる。この理�bでは縮小の�T果、�v路の�]度、チップ�C積、消�J電��の性�Δ�向�屬垢襪海箸鮓���に��すことができ、たいへん好都合であった。ここで仮に1/K = 0.7を��ぶと1/Kの二乗は0.49でほぼ1/2なので、2�Qごとにこのようなデザインルールの縮小化を実行することでムーアの法�Г望茲擦襪海箸�できる、と当時は考えられ最初はその通りに進んだ。
ただし、その後いろいろな問��が出てくる。�k例は�┣祝譴任△襦�1970�Q当時は�┣祝豸�1000オングストロームがふつうであった。これを0.7倍でスケールして見ると、2�Q後700、4�Q後490…と��けて28�Q後は���Q�屬�7オングストロームと言う�T果になる。ただ、�┣祝譴慮胸甸嶮{�`は約5オングストローム。�tち、7オングストロームを���]することはできない。この問��を解��しなくてはならなかった。
もちろん、7オングストロームまで行く�iにトンネル電流によるゲートリーク電流が顕在化する問��があった。この問��を解いたのが等価�┣祝豸�の考え�気�High-k材料のHfO2（ハフニゥムオキサイド）は比誘電率が約25と高い値を�eつ。シリコン�┣祝譴糧耆凝杜┐�3.9なので、ハフニゥムオキサイドで膜厚を�nぐことができた。7 X 25 / 3.9 = 45オングストロームであって、これなら厳しいがどうにか���]できるしトンネル電流も無��できよう。だが最早ほぼ限�cであろう。この次はどうするのだろうか？
他に発�Xやリーク電流などさまざまな問��が後から後へと発�擇靴燭�、半導��業�cは現在までに相当な努��を�T集し、何とか図のような成果を挙げて40�Qで6桁、1,000,000倍の高性�Σ修鮹�成して来た。なお、1970�Q頃はDRAM 1Kビット����が約10ドルであったことを考えればLSIワンチップの値段もこの40�Qでほぼ不変であり桁が�屬�ることはなかった。もちろん、この��実は良く�瑤蕕譴燭海箸覆里世�改めて半導��業�cの偉�jな成果に�[いを馳せることになる。
現在の金融不況は�|々の努��で沈��化するだろう。ただ、その後ムーアの法�Г呂匹��t開するのだろうか？�R�`して見守りたい。
