これらの��例について、日本人は誇りを�eって良いと思う。�_要なのは�|々の�J�|に しばられずに�O�y��争できる環境を作ることであろう。そのような場があれば、日本人が世�cレベルの成果を出して�jきく貢献できる。半導��ビジネスにおいて、最�Zは�f国や��湾企業に押され気味の日本国ではあるが、�\術のブレークスルーではアジアの中で����のトップを走っていると、言える。�f国や��湾において江崎、�r�K、中��に匹�發垢訐�果を筆�vは�瑤蕕覆ぁ�実際、そのような例が�T在するだろうか？
江崎は神戸工業の時代に構�[を�Qき、ソニーの�i身であった東�B通信工業に�，辰謄殴襯泪縫Ε爐���異なPN接合を研�|した。�tち極端に狭い�����覦茲鱆~するPN接合を創り量子��学的なトンネル効果を電気��性的に�`に見えるようにした。�T果は負性�B�^を�~するダイオードのエサキダイオードが実現した。
その頃の半導���\術は黎��期で、どのような現��やデバイスが出来ても不思議でなかった。その後、残念ながらエサキダイオードは実��性に�Lけることが判��したが、世�cはその業績を称え、江崎はノーベル賞を�b与された。
東��の総合研�|所で研�|成果を出した�r�Kは、1984�Qフラッシュメモリーを�盜颪燃�かれた国際会議に報告した。その�h価は高かったが、日本では東��を含めてあまり�R�`されなかった。��な�Bだ。日本人が�Qえる問��の�kつは、他人（��に日本人）の業績を��しく�h価する��がないことだ。
ただし、今や半導����業でトップを走る�櫂ぅ鵐謄觴劼��r�Kを�{い、フラッシュメモリーを実��化した最初の企業になった。インテルが偉�jなのは発���v�r�Kに心から�w�Tを表したことだ。
�r�Kに倣ってこの新しいメモリーにインテルはフラッシュの�@を踏��した。�k時は不思議なことにインテルが�r�Kを賞賛し、東��が�r�Kを冷遇したこともあった。
日亜化学工業と東��は互いに業��の��く異なる会社だが不思議にも共通点がある。それは優れた発��をして貢献した��業�^を、共に�科�に�h価しなかったことだ。報�Oによれば共に不満を�Qいた発���vが訴えて訴�e沙�Xになった。
このことは、�j変に残念な����だと思う。�咾の�場にある会社�笋�反省し考えなくてはならないことだと思う。�咾でvが�j人の�官�をすることが不可�Δ世辰燭箸蓮�到�f思えないからだ。
さてブレークスルーは、雰囲気が�j��であることも述べてみたい。例えば1960�Q代の日本は現在と比べて、不思議にもＲ＆Ｄ志向が�咾せ�代であった。
ショックレーが�~�@なショックレー研�|所を運営し、Ｒ＆Ｄに専念していた。今から50�Q�iの�Bである。そこに働いていたゴードン・ムーア、ロバート・ノイスら8人は叛旗を翻しフェアチャイルド･セミコンダクター社を興した。彼らは世�cに先�~けてプレーナートランジスタを育てた。そのプレーナ構�]とプロセスが後にノイスによる集積�v路の発��につながった。
�k�機▲謄�サス�Δ任魯献礇奪�・キルビーが��く別のアプローチから集積�v路を����出願した。今では集積�v路の発���vはこの二人とされる。後に、ムーアとノイスはベンチャー企業のインテルを興した。
これを見ていたのが�諒人里里海舛��笋砲い親�本人達であった。時代はMOSデバイスが�擇泙譴��iであった。1960�Qの初頭になってもMOSはなかなか実��化できなかった。日本の�{�vはそれらの��実に�Hいに刺��を�pけた。
MOSが実��化できなかったのは�┣祝譴�不�W定であったからである。当時、C-Vカーブのデータを最も�Hく�Dり��けたのは日本のエンジニアであったといえる。その�k人であった�兀蟒慂燭癲�MOS構�]でC-Vカーブにヒシテリシスを見出していた。
�兀蠅�他と異なるのは仮説を立てて、�┣祝戝罎堀T在するシリコン・ナノパーティクルが電子やホールのトラップセンターなるに違いない、と考えたことである。そしてこの原理に基づくデバイスをシリコン・クラスタ・メモリーデバイスとして発��し、それを昭和45�Qに����出願をしている。�兀蠅糧���はこのように早かった。
�兀蠅呂海糧���がフラッシュメモリーの先�~であると考えている（�兀蝓■稗釘釘���１６�v�嗟凝���応��国際会議）。この発��が�r�Kのデバイスと異なるのは単�kデバイスとランダムアクセス�v路の違いであり、数��万デバイスをワンショットのフラッシュのように�k度に消去する発�[は、�r�Kを待たねばならなかった。