半導チップをシャワーのように冷やすImecの新冷却\術
高集積ロジックICやパワー半導を効率よく冷却することは、チップの消J電を下げることとほぼ同様にLかせない\術となる。巨jなデータセンターでは、サーバーを冷却する消J電の気サーバーの消J電よりもjきい、という現実がある。半導チップの新しい]冷\術をベルギーの半導研|所Imecが開発した。ICパッケージ内を冷却するImecのこの]冷\術を紹介する(セミコンポータル集室)
著v:Herman Oprins、Imec主任研|^、機械的・X的モデリングとh価\術担当
空冷か]冷か
データセンターの電子機_を冷却することは価格に反映されることになる。世c中の電のほぼ半分が空気を冷やすことに使われていると見積もられている。しかし、電を消Jする応が\えサーバーの密度が\加すると、すぐ限cに達してしまい、サーバールームは空調機のファンを設けるスペースがなくなってしまう。冷却の設C積を考えると、]冷は今後の経済的な代}段となりそうだ。
このためj型データセンターでは空冷から]冷へと進んでいる。このためさまざまな疫\術が出てきている。共通するのは冷却を使うことだ。流路を設けた金關が]を導き、半導チップ屬棒楙剤で直接くっつける。この場合のL点は、Xインターフェイス材料(TIM)をいるためにk定のXB^をeち、チップ表Cとの間でa度勾配ができてしまうことだ。に接剤があると、Xを除去する屬破榲のX的ボトルネックになり、冷却システムを最適化する屬婆できなくなる。そこで、]をジェットで吹きける桔,~効かもしれない。チップの裏Cを開け、]Xの冷却材をチップに直接コンタクトさせることによって、TIMXB^を除去できる。加えて、e妓にジェット衝撃を与えると、チップ表Cに吹きけられる]は、]の出口と同じa度を保てる。
]冷の経済性
この\術は、チップやスタックした3D-ICチップの裏Cに冷却直接吹きける擬阿任△蠅覆ら、ポリマーで封Vするという低コストですませる\術である。カギとなる霾は、チップに吹きけるシャワーヘッドとなるようなノズルのアレイとなる。
このノズルアレイは、ノズルXに]の入り口と出口を設けておく。入口のチューブは充填霾の入り口につながっており]をノズルから吹きけられるようになっており、出口のチューブは、外へ吐き出される]を集めるノズルにつながっている(図1)。入口と出口での流れの相互作でキャビティ霾ができ、ここで流がチップとコンタクトする。
図1 3Dプリンタで作るICパッケージの]冷却_のC
実は、この衝撃冷却ソリューションは、kWクラスのj電パワーエレクトロニクスのj型モジュール(30〜50cm)で成功を収めてきた。チップあるいはパッケージレベルまで集積すると、ベアダイ冷却ソリューションがH数提案されてきたが、ほとんど高価なソリューションに里泙辰討い。Imecは、低コストながらも、3Dプリンティング\術をベースとしたX効率が良い\術を提案した。ノズルのjきさはSiの微細化\術は要がない。開口径が小さいほどX性は高くなるのは実であるが、ノズルを通圓垢詢を導くポンプの圧を咾する要があるため、T局歩里泙蠅慮衆Δ来ることになる。加えて、ImecはシミュレーションとR定\術が優れているため、同様な性Δmmサイズのノズルでも科達成できるので、コストを下げることができる。
チップ冷却にはシャワーヘッドはいくつあるべきか
ノズルの最適な数やノズルのピッチや直径の最適値をh価するため、Imecの研|vたちは8×8cm2のテストチップでシミュレーションした。ノズルがHければHいほど、a度が下がり(図2)、a度プロファイルは均kになることがわかった。しかも、チップC積がk定の場合、ノズルの数がHければHいほどノズル径は小さくなる。小さな径のノズルの数がHければ、X性Δ浪される、すなわちXB^が下がるが、その分、ポンプのパワーが要になる。
図2 ポンプのパワー(Wp)がk定なら、8×8ノズルアレイをえるとX性は和する
同様に、流量を\やせば、X性Δ藁匹なるが、圧はもっと高くなる。X性(XB^)とポンプのパワーの間のトレードオフを考えると、mm2当たりの1個以屬離離坤襪鮖\やすとエネルギー効率が高くなることがわかった。このT果、1mm2ユニットセルあたりのノズルの直径は性Δ和する時点では数ミクロンのJ囲になる。このシミュレーションT果は、8×8mm2のテストチップを作し、テスト衝撃冷却_で確認した。
冷却ξの高い材料とは
ノズル数とノズル径のIが要な]\術に影xを及ぼすことになる。微細なノズル径だともっと高価なプロセスがI肢となる。8×8mm2のテストチップと、それの伴うノズル径に瓦靴、3Dプリンタ\術が実行可Δ並I肢となる。この\術の最新の進化では、直径100µm〜1µmのJ囲で構]をプリントすることができる。シリコンのプロセス\術では直径10µm以下の穴をあけるのにDRIE (Deep Reactive Ion Etching) \術を使えば作できる。しかし、シリコンプロセス\術は他の桔,鉾罎戰灰好箸高い。その屐▲離坤襪猟招造鬚気蕕望さくする要がないことがシミュレーションでわかっている。X性Δ和するからだ。
ポリマー]\術がシリコンプロセス\術よりもWくできるが、これは同じ性格に合っているだろうか?T局、ポリマーはシリコンよりもX伝導率がずっと低い。このT果、XB^、X性がKい。このため、CuやAiのようなX伝導率の高い導が放Xフィンなどに使われている。ポリマーのような絶縁とはく反瓦性をeっている。ところが、実際にはポリマー冷却_はシリコンや銅の冷却_と同じ性Δ魴eつことがシミュレーションでされた。この場合の徐Xは、冷によるU肝が配しているからだ。このためI肢としては、ポリマーベースの低コスト]\術(図3)を使うことになる。
図3 Imecが開発したジェット衝撃冷却_ ノズルアレイのスプレイ冷却]がチップの裏Cに直接達し、チップを冷やす 出Z:Imecの厚Tによる
Imecのチップ冷却_はどのくらい冷えるか?
この冷却_の見通しはどうか。これまでo表されている他の衝撃冷却_のデータをXB^とポンプパワーに関して比較してみた。冷却_はいくつかの材料で作られた;シリコンとセラミック、金、プラスチックである。Imecの冷却_は8×8のノズルアレイに1000ml/分の流量、入口と出口での圧の低下が0.3barという条Pで、0.13cm2K/Wと最も良いX性をした。すなわち、この冷却_をいるとチップは100W/cm2の電を消Jしても、Xは13°Cしか屬らないのである。この電はY的なプロセッサのZ型的なパワー密度である。通常は、プロセッサのa度限cは100°Cだから、このX性Δあれば、500W/cm2の冷却ξが可Δ砲覆、これまでの冷却_の中のトップクラスのX性Δ世箸いΔ海箸砲覆襦
唯k、µmピッチのノズルをeつSiベースの冷却_だけがこれにMてるだろう。しかし、これらの冷却_はポンプのパワーを5倍に屬押△気蕕帽皺舛砲發覆。今日現在、価格も_要なベンチマークh価の指Yのkつである。ある]法や材料でIすることが、ポンプのパワー当たりの冷却ξを屬欧襪箸いχ`Yにうことになる。しかし、それは冷却_の価格をめることでもある。さもなければデータセンターのエネルギーコストを巨jにしてしまう。これら冷却\術の新発見は、巨jなデータセンターの「]い」霾のI約に加えられるだろう。