半導��プロセスはビッグデータ解析で�攵掚向�屬悄�AEC/APC Sympo2013から

 2013年11月14日 ｜会議報告（プレビュー）

半導�����]におけるプロセスパラメータがあまりにも膨�j(lu┛)になり、まるでビッグデータそのものの扱いと同様な分析法が求められるようになりつつある。さまざまな検索データや通信ログ、などの膨�j(lu┛)なデータをクラウド�屬能萢�するビッグデータの解析�}法が、半導��プロセスのデータにそっくりそのまま当てはまるのである。 [→��きを読む]

���]�\術で�_要性を�\すソフトウエア�\術、AEC/APC Symposiumプレビュー

 2013年9月27日 ｜会議報告（プレビュー）

半導�����]プロセスにおいてソフトウエアが�j(lu┛)きな�T在を��めるようになってきた。AEC/APC Symposium Asia 2013では、価値ある解析とイノベーティブな���R�U(ku┛)御�\術をテーマとする。���]プロセスに�T果を予�Rするアルゴリズムを����内に組み入れ、バラつきの少ないプロセスを作り出すことが狙いである。VM（Virtual Metrology)と�}ぶ仮�[�R定�\術が今�v�R�`される。 [→��きを読む]

A-SSCC、初めてシンガポールで開��(h┐o)、ハイレベルの�\術発表を予定

 2013年9月20日 ｜会議報告（プレビュー）

半導���v路の国際会議ではずっと�iからISSCC（International Solid-State Circuits Conference）が誰もが応募して�\術��を��(j┤)したい発表の場であるが、最�Zはアジアのプレゼンスの高まりと共にA-SSCC（Asian Solid-State Circuits Conference）もエンジニアにとって権威のある国際会議になりつつある。 [→��きを読む]

��湾、モバイルDRAMをバネに復���`指す-21�vISSM/eMDC合同シンポから

 2013年9月 9日 ｜会議報告（プレビュー）

21�vを迎えたISSMと、��湾TSIA主��(h┐o)のe-Manufacturing & Design Collaboration Symposium (eMDC)のジョイントシンポジウムが9月6日、��湾、新�艚xのAmbassador Hsinchu Hotelにて開��(h┐o)され、260�@の参加�vが集った。会場はTSMCを中心とした��湾の�{いエンジニアが����の8割以�屬鰒�め、��気溢れる会合であった。 [→��きを読む]

ミニマルファブ、LED光源のリソ����でMEMSカンチレバーを作��

 2013年7月 5日 ｜会議報告（プレビュー）

ミニマルファブのプロジェクトが組�E化され、昨�Q12月のセミコンジャパンにおいて初めて����のモックアップが�t��(j┤)された。今どこまで進�tしたのか。その��1�vの報告会とも言うべき「ミニマルファブ・シンポジウム2013」が東�B��川で開��(h┐o)された。 [→��きを読む]

EIDEC、グローバル協��で10nm��の加工にEUV導入�`指す（3）〜レジスト

 2013年5月31日 ｜会議報告（プレビュー）

フォトレジストでは、昨�Qまではポジ型レジストを使い、解�掬�16nm以下、LWR（線幅の��さ：line width roughness）1.3nm以下、感度10mJ/cm2以下、という数値を�u(p┴ng)ていた。解�掬戮�LWR、感度の��つのパラメータはトレードオフの関係にあるため、��つのパラメータを最適化させる��要がある(図8)。今�Qは、ネガ型レジストを使ってどこまでいけるかの実�xである。 [→��きを読む]

EIDEC、グローバル協��で10nm��の加工にEUV導入�`指す（2）〜マスク検�h

 2013年5月31日 ｜会議報告（プレビュー）

EUVは����を透��(c┬)しやすいX線の�k�|であるため、光学�Uにはレンズではなく反�o(j━)��を�W(w┌ng)��する。反�o(j━)光学�Uのマスクブランクスは、W/Moの繰り返し積層構�]を採っている。ここに�L(f┘ng)陥が入るとパターンが歪んでしまうため、無�L(f┘ng)陥にしたい。マスク検�hは不可�L(f┘ng)である。 [→��きを読む]

EIDEC、グローバル協��で10nm��の加工にEUV導入�`指す（1）〜��要

 2013年5月31日 ｜会議報告（プレビュー）

EUVのマスク、レジスト�\術開発のコンソーシアムである、EUVL基盤開発センター（EIDEC）が最�Zの��動報告を行った(図1)。�S長13.4nmのX線を使うEUVリソグラフィでは、ASMLだけが露光����を開発しているが、EIDECは露光����以外のEUV基本�\術を�pけ�eつ。出�@は国内13社で、�L(zh┌ng)外5社も共同研�|で参加、��原��作所とレーザーテックは����開発パートナーとして参加、3�j(lu┛)学と�噞�\術総合研�|所も参加する�k�j(lu┛)コンソーシアムだ(図2)。 [→��きを読む]

「日本発のLSIが日本と世�cにもたらす価値に関する調�h研�|」
財団法人機械振興協会　経済研�|所

 2010年2月 1日 ｜会議報告（プレビュー）