図1　��21�vISSM/e-Manufacturing & Design Collaboration Symposium (eMDC)会場

eMDCの主���vであるTSIAのプレジデントにこの4月に��任したNicky Lu��（Etron）は、冒頭の開会の挨拶で、巨�j化したTSMCでさえもアントレプレナーシップを原点としており、これからの成長に向けて、�@金集めにトップが奔走していると述べた。今後20〜30�Qを��野に入れた成長を�{求するためには、イノベーションへの積極的な�Dり組みが��要であり、�{い世代に�jいに期待したいと締めくくった。

ISSM組�E委�^長の齋藤������（東��）は、半導��サプライチェーンを通じて、リソースやコストやリスクのシェアを図るために、�\術的・��業的課��の提案と�b議がなされることを期待すると述べた。半導���噞�cをますます�咾�していくための新しいイノベーションを創�]したいとも語った。両��とも、2�v�`となるジョイントシンポジウムが��なる発�t形となるコラボを�t開することを確認した。

キーノート講演の�k人は、��湾工業�\術研�|院（ITRI）のIndustrial Economics and Knowledge Research Center (IEK)のセンター長である、Stephan Su��で、同��はNext Step for Taiwan Memory Industryと��した講演を行った。Su��の講演��要は次のとおり；

「2013�QにおけるDRAMの世�c�x場は、Micron Technologyとエルピーダメモリの合��のみならず、�jきな変革期を迎える。モバイルDRAMは、PC向けDRAMに��わってDRAMの主流となる。また��来的には、クラウドにおける次世代スマートデバイスやスマートサーバーへの��要が高まり、これに伴い、高エネルギー効率・高機�Δ悗離▲廛蹇璽舛���須になろう。世�cDRAM�x場における��湾のシェアは、�Q々下がっており、2012�Qには1桁（7.6%）に低下した。しかしながら、��湾DRAM�Q社における2013�Qの設��投�@�Yは�\加しており、��湾のDRAM�噞の�_要性は変わらない。今後、世�cのDRAM�x場は、2015�Qには10%��と厳しい�X況となるものの、2016�Qには5%�\、2017�Qには10%�\の成長が期待される。

2017�Q以�Tには、3Dや次世代メモリへの開発に主軸を�，靴討い�ことになる。次世代メモリとして期待の高いのが、DRAMの代��として�R�`されるSST-MRAM、PCM、そしてNANDフラッシュの代��としてのRRAM（ReRAMともいう）である。��湾では、今�vMRAMとRRAMにおける��躍が�R�`される。

また、ROI（投�@収益率）の最�j化のためにも、Transnational Alliance（国を越えたアライアンス）が��要となっている。今�Qの8月に��湾行��院が最初のプログラムを始動させた、�O�y経済モデル区（Free Economic Demonstration Zone：FEDZ）への期待が高い。FEDZでは、外国籍法人による��動を��可。また、現在は���Uが厳しい中国�j陸からの人材�pけ入れも緩和し、1カ月以内の�]期ビジネスでの�]在時の身分審�hなどを免除する。さらに、中国を含む外国籍の専門職の所�u税も�k定期間��税し、��来的には�J�Tの��区よりも���U緩和などの�J囲を広げ、�L外から幅広く投�@や人材を�}び込むというものである。」

ISSMとeMDCのジョイントシンポジウムは、2011�Qに��き、今�vが2�v�`となった。ただし、2012�QはISSM日本開��のため、ジョイントシンポジウムは行っていない。今�vのジョイントシンポジウムは、キーノートセッションを始め、Big Dataと半導���噞という��別企画セッション、Engineering Excellence, Fab Management等のセッションなど、3つの並行セッションにて、9�Pの�d待講演、37�Pの�k般投�Mの講演、合��46�Pの講演となった。このうち、日本からの�b文応募による発表�P数は、24%となる9�P（東��、ルネサス エレクトロニクス、東�Bエレクトロン、�j成建設、筑�S�j学）であった。

ジョイントシンポジウム開��にあたっては、応募された�b文アブストラクトのレビュー作業が、eMDCの�b文委�^会と、ISSMの�b文委�^会の協業で実施され、さらには、当日の運営にあたっても、セッションチェアマンも双�気琉刎^会の委�^が��任し、進行を��めた。