IoT時代に向けセンサやヘルスケアチップが���\するVLSI Symposium
6月9〜12日、ハワイで開��(h┐o)されるVLSI Symposium では、IoT（Internet of Things）時代に向けセンサやヘルスケア関係の�b文が���\した。デバイス・プロセス関係のTechnology�靆腓任蓮�応募総数224�Pの内85�Pが採�I(m┌i)され、Circuits�靆腓任脇�420�Pの内96�P採�I(m┌i)された。センサ・ヘルスケアはCircuitsに�Hい。
Technologyにおける初日の基調講演はARM社フェローのRobert Aitken��(hu━)が「IoTのデバイスと�\術実�◆廖▲愁法爾龍���執行役�^SVPの��田啓�k�r��(hu━)は「情報爆発時代の顧客の価値創�]」と��してそれぞれ行う。やはり、IoTは時代のキーワードだ。投�M�P数に�瓦靴萄隣I(m┌i)の比較的�Hい分野は、プロセスとノンSi、アナログ/RF/MEMS。
10nm、14nm時代ではFINFET��FDSOI（fully-depleted silicon on insulator）のトランジスタの検討をIBMとSTMicroelectronicsが行っている。FINFETは、ドレイン空��層を3��(sh┫)向から閉じるが、FDSOIは�峅爾�2��(sh┫)向から空��層を閉じる。どちらもリーク電流を小さくできる点で同じであるが、作りやすさにおいては�h価が分かれる。基��コストはSOIの��(sh┫)が高いが、��来のプレーナMOSFET�\術を使える。FINFETはバルク主��であるため基��コストは�Wいものの3次元加工が�Mしい。総合的なコストの�h価を待ちたい。今�vは、10nmでもFINFET�\術を使えることを、�峙�2社の他、Samsung、GlobalFoundries、UMCも共同で��(j┤)す(図1)。またFDSOIは14nmまでは微細加工可�Δ覆海箸�IBM、STMicroelectronicsとCEA-LETIが共同で発表する。14nm時代まではFDSOI��FINFETだが、10nm以�TではおそらくSOIを�W(w┌ng)��するFINFET時代になろう。リーク電流�敢�が完璧になるからだ。
図1 FINFET�\術は10nmでバルクもSOIでも形成できる 出�Z： 2014 Symposium on VLSI Technology �b文番��(gu┤)T2.2 Samsung, IBM, STMicroelectronics, GlobalFoundries and UMC
Technology�靆腓亡悗靴討脇�本の採�I(m┌i)数は、21�Pになり、ここ数�Q�j(lu┛)きな変化はない。半導��メーカーの発表は少なく、複数の発表は東��の4�P、その次は東�Bエレクトロンの2�Pのみ。LEAP（��低電圧デバイス�\術研�|組合）が3�P、�噞�\術総合研�|所が2�Pあり、残りは�j(lu┛)学という�X(ju└)況だ。これは��1著�vの所�錣鬟戞璽垢某瑤┐据P数であり、����で最も�Hい�P数はIMECの10�P。次がIBMの5�Pとなり、1位との差が�j(lu┛)きい。
Circuitsではセンサ・�~線通信・PMICが�P�t
Circuits�靆腓糧�表分野では、デジタル、通信、メモリ、アナログに分けると、アナログが最も�Hく43�P、次がデジタル27�P、通信18�P、メモリ8�Pとなる。これらはバランスも考えながら採���b文を��められるが、投�M�b文で最も�Pびている分野はセンサ・バイオ・ヘルスであった。ここでは2012�Qから毎�Q39�P、46�P、62�Pと�\加してきた。投�M�b文での�Pびが顕著な分野は、ほかに�~線通信とパワーマネジメントがある。�~線通信は28�P、37�P、46�Pと�\え、パワーマネジメントも40�P、42�P、51�Pと�\加��向にある。
�R�`された�b文では、セキュリティ�\術を集積したICをIntelや、神戸�j(lu┛)・東���j(lu┛)の共同チームなどが発表する。プローブ接�Z情報��(l┬i)盗への�敢�や暗��(gu┤)化アクセラレータなどで�棺茲垢襦�また、消�J電��を削��(f┫)するためにセンサをオンチップに集積し電��を�O���U(ku┛)御するICや、ワイヤレスセンサの医��への応��が�j(lu┛)学を中心に発表される。�C白い試みでは、ボンディングパッドが��くないチップがUC BerkeleyとStanford�j(lu┛)学から発表される(図2)。これはエネルギーハーベスティングの応��で、マイクロ�Sを照�o(j━)して電��変換し無線チップを動かしデジタル変調したミリ�Sを出��するというもの。タグへの応��が可�Δ砲覆襦�
図2 ボンディングパッドのないチップ 電�Sを�pけて電�Sを出して動く 出�Z： 2014 Symposium on VLSI Circuits �b文番��(gu┤)C7-1、UC Berkeley and Stanford University
Circuits�靆腓任蓮∈隣I(m┌i)数の�Hい機関はミシガン�j(lu┛)学の7�P、そしてオレゴン�ξ��j(lu┛)学の5�Pが��く。採�I(m┌i)数3�P以�屬��岼�13社の中に日本の機関が�kつも入っていない。ただし、国別の採�I(m┌i)数は、��(sh━)国51�Pの次に日本と��湾が共に14�P、以下�f国の6�Pが��く。2012�Qまで日本の採�I(m┌i)数は20�P以�屬鮨��，靴討い燭�、それ以�Tは��(f┫)少��向が��く。
