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50周Qを迎える国際w素子材料コンファレンス

半導の学会として日本で出発、発tしてきた国際w素子材料コンファレンス(SSDM: International Conference on Solid State Devices and Materials)が今Q50周Qを迎える。現在の半導噞が隆rを迎えた背景には、さまざまなエンジニアや研|vの努がある。今vは9月9日から13日まで東Bj(lu┛)学本鮗(図1)で開する。通常の講演やショートコースに加え、別シンポジウムやインダストリセッションのイベントもある。

図1 50周Qを迎えるSSDMの会場、東Bj(lu┛)学

図1 50周Qを迎えるSSDMの会場、東Bj(lu┛)学


半導は、スマートフォンやパソコン、インターネット、ワイヤレス通信、GPSなど世の中をj(lu┛)きく変えた。トランジスタが発されて60Qたつが、実際に現在のデジタルトランスフォーメーションを可Δ砲垢襪泙波焼噞を押し屬欧晋尭偉は、何と言ってもマイクロプロセッサとメモリの発であった。プロセッサとメモリの組み合わせは、ハードウエアを共通にしてソフトウエアを変えるだけでO分の欲しい機Δけられるマシンを実現する。現在のコンピュータシステムだけではなくcや玩困任気─∩箸濆みシステムという@iによってWく提供できるようになった。

Intelは人間の頭Nをすインテリジェンスから、その社@をけたといわれている。マイクロプロセッサとメモリは、インテリジェンスを表現するデバイスのkつでもある。その企業が誕擇靴萄cQで50周Qを迎える。SSDMもちょうど50周Qになる。

半導噞にとってちょうど半世紀になる今Q、SSDMは別な企画を立てている。9月10日の午後から、半導シリコンMOSトランジスタの開発に尽した東Bj(lu┛)学@誉教bの菅野Rd、半導レーザーの開発を進めた東B工業j(lu┛)学の@誉教bの松W晴がSSDMと半導開発のB跡を紹介し、さらにIntelの会長をめムーアの法Г買~@なGordon E. Mooreと、IBMフェローで微細化の指針となるスケーリング理bを唱えたRobert H. Dennardのビデオメッセージもある。

このセッションは垉遒鮨兇衒屬襪世韻任呂覆ぁE鰭曄Ε戞璽だけで~機フィルムのペロブスカイト構]ができ、しかも効率がシリコンT晶並みに高い陵枦澱咾魍発した横pj(lu┛)学教bの宮Z、電導や原子技1董∽┣FETなど材料にR`したドイツMax-Planck研|所のJochen Mannhart、1M量子ビットが可Δ文量子コンピュータ開発にDり組んでいる東Bj(lu┛)学教bの古澤は、未来のデバイスや材料を語る。

講演会の基調講演(プレナリセッション)では、材料を数学的に解析する東j(lu┛)学教bの小谷元子、コンピューティングデバイスとしてのCMOSをえる未来を語るIntelのIan Young、そして、~機エレクトロニクスで材料とデバイス開発にRするStanfordj(lu┛)学教bのZhenan Baoが登場する。

ショートコースは来、新人教育的なチュートリアルな内容であったが、今vはエンジニアが参考になるようなレベルの内容にEり下げた。例えば、IBM ResearchのJames H Stathisは、信頼性科学(Reliability Science)と@けて、ゲート絶縁膜の経時破sやホットキャリヤによるダメージなどMOSトランジスタの信頼性問を議bし、IRDS(International Roadmap for Devices and System)チェアマンのPaolo Garginiによる「次なるロードマップ」とした講演や、東Bエレクトロンの関口章久の「プロセス\術と]のサイエンス」、Samsung Electronicsのi田などの講演がある。

また、日本の半導噞をГ┐拭元日立作所の浅井彰二rや、元k橋j(lu┛)学教bで半導噞を研|してきた中[洮、元噞\術総合研|所でMOSトランジスタの開発期に躍した林l、元東の半導靆腓鮖ァした竸、元日経エレクトロニクス集長の吉dらによるインダストリセッションもある。このパネルディスカッションでは9日に半導噞の垉遏現在、未来に向けた議bを行う。

(2018/08/07)
ごT見・ご感[
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