次世代TFET、共鳴TFET、finFET��FDSOIなど新デバイスが集まったIEDM2013
IEEE IEDM（International Electron Device Meeting）では、トンネルFET（TFET）をはじめとする次世代半導��の発表がさまざまな研�|所、�j(lu┛)学、企業からあった。TFETにはサブスレッショルド電流の���Aを��峻にできるというメリットがあるため、�Q(ch┘ng)社はこれを�擇�し、5nmノードを狙い、0.5V以下の電源電圧を狙う。 [→��きを読む]
