図1　グローバルファンドリーズのCEO、ダグ・グロース��

グローバルファウンドリーズ（GF）社は2010�Q1月にチャータードを�A収、今や150社の顧客を�eち、��業�^1万1000�@のファウンドリ企業に成長した。顧客にフォーカスした戦�Sで「最も�_要なことは、Time to volumeである」（グロース��）というように、いかに早く量��するかであり、そのために新テクノロジを開発し、カスタマに価値を与えるソリューションの提供に�愎瓦垢襦�

ファウンドリトップの��湾TSMCが28nmプロセスを揃えることでアルテラがローエンドからハイエンドまで�k気に����を出せるようになったのと同様に、TSMCに��れずに28nmプロセスを提供することに今は�R��している。28nmプロセスの��長は、HKMG（high-k＋メタルゲート）を��いたゲートファースト・プロセスだ。これは��来のポリシリコンゲート・プロセス同様に、ソース・ドレインの形成�iにゲートを先に形成する�桔，任△襦�このため、40nmプロセスとの�M��性がある半�C、イオン�R入、アニールに耐えられる��性を�eつ��要がありゲート材料に���Iの幅がない。このため、インテルなどはソース・ドレインを先に形成するゲートラスト・プロセスを使っている。

図2　28nmではゲートファーストを採��

ただし、ゲートファーストのHKMGプロセスは32nmプロセスから使っており、すでにAMDのクワッドコアマイクロプロセッサLlanoを数�h個サンプル出荷した実績がある。またサムスン向けにも32nmのHKMGプロセスによるSoCを納めている。

28nmのHKMGプロセスは、IPシャトルにも使われ、すでに使える�X況にある。最初のカスタマは2011�Qの��2四半期にテープアウトする予定になっている。GF社は3バージョンの28nmプロセスを���Tしており、SLP（スーパーローパワー）の��低消�J電��プロセスと、HPの高性�Ε廛蹈札后△修靴�HPPというハイエンドプロセスである。

28nmの先のシュリンクにはどう�官�するか。28nmの次は22nmをスキップして20nmプロセスへ向かう。グロース��は22nmを通るメリットがないからだという。20nmプロセスでは、これまで確立してきたゲートファースト・プロセスを捨て、ゲートラストにシフトする。20nmでは、「ゲートラスト・プロセスだとカスタマの�mに応えられるからだ」とグロース��は語る。20nmの試作は進めており2011�Q後半にはシャトルプロセスで�W��できるようにする��画だ。

今�Q度のGF社の設��投�@�Yは54億ドル、と2010�Qより倍�\させる。主な����はドイツのドレスデンにある300mmウェーハのFab1の処理�ξ�を拡張することに加え、ニューヨーク�Δ貌各�を��画しているFab8の建設と���]����の搬入を行い、中東アブダビにおける半導��工場建設のためのインフラを�D�△垢襪海函△任△襦�

図3　3次元ICへのロードマップ

ウェーハプロセス�\術を�擇�す3次元集積化にも��を入れ、インターポーザやTSVなどのパッケージン�\術の開発も進め、信頼性を�屬欧襪海箸鰆`指す。

GF社は微細化�\術をさらに進�tさせ、20nm以�Tのプロセスノードを�`指してEUVリソグラフィを導入、ニューヨーク�ξ��j学のアルバニーに設��されたアルファ機を�W��して、�攵�に向けて開発を進めている。それまでは��来通りの�]浸リソを使う。

�攵�レベルのEUV����をまずニューヨーク�Δ�Fab8に2012�Q後半に設��し、20nmの試作を始める。2014〜2015�Qまでに量��を�`指す��画だ。EUVではプリプロダクション��の����の導入はスキップする。