2018�Q�嵌彰�世�c半導��トップ15社ランキング
2018�Q�嵌彰�の世�c半導��企業トップ15社ランキングが発表された。メモリバブルの影�xは�咾�、メモリメーカー3社のSamsung、SK Hynix、Micronがトップ5社内に入っている。残りは2位Intel、4位TSMCとなっている。やはりDRAM単価がいつものように下がってこなかった、という異常����がこの順位を�dいた。ルネサスは15位圏外に落ちた。 [→��きを読む]
セミコンポータルによる分析
半導��バブルが終わり、��実な成長期へ向かう気配
半導���噞がメモリバブルを脱却し、ようやく��実な成長期にやってきそうだ。��湾の主要IT19社の業績が発表され、7月の売�幢Yは�i�Q同月比13.5%�\になった、と15日の日経�噞新聞が報じた。NANDフラッシュは歩�里泙蠅��屬�り設��投�@は�Vまってきた。長期的にAI（機械学�{・ディープラーニング）を使った応��が広がっている。 [→��きを読む]
NANDフラッシュ、単価下落でも売�幢Yは�\加
NANDフラッシュの��給�X況は、供給が��要を���vり、単価が下がっている。��2四半期（2Q）には、単価は�i四半期比10%��度下落した。しかしビット��要が高まり、2Qの販売�Yは3.5%�峺�した、と�x場調�h会社のTrendForceが発表した。メモリ単価の下落はビット��要を押し�屬家稜糀Yはむしろ�\加する、という本来のメモリビジネスを�Dり戻した。 [→��きを読む]
DRAMの単価�峺�がようやくピークに、ビット数量が�\�j
DRAMの�攵盋がようやく�屬�ってきた。2018�Q��2四半期における世�cのDRAM販売�Yは�i四半期比11.3%�\の256億9100万ドルと史�嶌嚢發鮨�しながらも、DRAMモジュールの平均単価は同3%しか�屬�っていない。この売�幢Yは��湾�x場調�h会社のTrendForceが調べたもの（参考�@料1）。 [→��きを読む]
半導��関連の宴は終わりなのか
半導�����]����が�k�K、という��点で7月��に記��(参考�@料1)を執筆したが、8月11日の日本経済新聞は敏感に反応、「半導��関連、宴の終わり？」というタイトルを��けた。先週も、というべきだがAIがあらゆる�噞に浸透し始めたことが報�Oされている。AIが定��するようになるとAIチップも浸透するようになる。巨�jな�x場になりそうだ。 [→��きを読む]
DRAMバブル、今�Qいっぱい��きそう
DRAMは今�Qも�j幅な成長を�~げそうだ。�x場調�h会社のIC Insightsは（参考�@料1）、2018�QのDRAM販売�Yは、�i�Q比39%�\の1016億ドル（11兆��）になるという予�Rを発表した。昨�QのDRAMは75%��度の成長だったが、その勢いは収まらないため、当初は24%成長とみていたが、���巨T��したことになる。 [→��きを読む]
データセンターのストレージが変わる
データセンターのストレージシステムが変わりそうだ。巨�jなCPUを集め、巨�jなストレージをつなぐことのできるデータセンター向け�j��模ストレージシステムを新インターフェース��格NVMe（Non-Volatile Memory Express）でつなぐようなシステムに向け、共�~型の高�]ストレージへと向かうという。��Pure Storage社が�j��模システムに向けた高�]ストレージ����FlashArray IIXファミリを発売する。 [→��きを読む]
50周�Qを迎える国際�w��素子材料コンファレンス
半導��の学会として日本で出発、発�tしてきた国際�w��素子材料コンファレンス（SSDM: International Conference on Solid State Devices and Materials）が今�Q50周�Qを迎える。現在の半導���噞が隆�rを迎えた背景には、さまざまなエンジニアや研�|�vの努��がある。今�vは9月9日から13日まで東�B�j学本���鮗�(図1)で開��する。通常の講演やショートコースに加え、��別シンポジウムやインダストリセッションのイベントもある。 [→��きを読む]
スマホを値�屬欧靴討盻于搗�数を維�eできたApple、時価総�Y1兆ドル突破
�盜饂�間7月31日、Appleを巡る二つのニュースが発表された。�x場調�h会社のIDCから世�cの出荷��数でAppleが2位から3位に落ちた、という負のニュースが出た�k�機�Appleが時価総�Y1兆��を突破した、という��のニュースも発表された。どちらも��しい。なぜ�h価が分かれるように見えるのか。その�j本の原因はメモリバブルにある。 [→��きを読む]
7月に最もよく読まれた記��は96層・4ビット/セルのNANDフラッシュ
7月に最もよく読まれた記��は「3D-NANDフラッシュは96層・4ビット/セルの時代に」であった。東��メモリとWestern Digitalがそれぞれ最新のNANDフラッシュを発表したことを報じた。このメモリは、3D-NANDで96層のメモリセルを�eち、かつ1セルの電圧レベルを0000から1111まで16分割した、4ビット/セル�擬阿鮑涼�したもの。平�C�屬�1ビットに相当する�覦茲任△蠅覆�ら、96セル×4ビット/セルの384ビット（48バイト）分の高いメモリ密度を�eつ。 [→��きを読む]
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