Infineon TechnologiesがSiC戦�Sを�j(lu┛)きく変える。これまでのJFETからMOSFETを充実させる��(sh┫)針を��らかにした。耐圧1200Vでオン�B�^11mΩ〜45mΩの����、CoolSiCシリーズをサンプル出荷し始めた。さらにCreeの子会社Wolfspeed社を�A収、SiC材料を�}に入れ、SiCとGaN����（GaN-on-SiC）のポートフォリオを拡�j(lu┛)できる���Uを�Dえた。 [→��きを読む]
7月18日月曜日のお昼に何気なくFacebookを見ていたらBBCニュースでARMのソフトバンクによる�A収のニュースが流れた。240億ポンドで�A収するという。3兆3000億����度の巨�j(lu┛)な金�Yである。BBCニュースが流れた後で、同日の�D��(sh┫)、ソフトバンクは英国で記�v会見を開いた。なぜソフトバンクはARMを�A収するのか。 [→��きを読む]
�毫x場調�h会社のIC Insightsは、スマートフォンを含む携帯電�B向けのIC�x場が2019�Qまでに�Q平均成長率CAGR 6.7%で成長していくという予�Rを発表した。携帯電�Bそのものの�Pびは鈍化する��向にあるが、ICは成長していく。電�Bの��数や売り�屬屋��屬�����の�Pびは�j(lu┛)きい。ある��度在�Uを��かなければならないからだ。 [→��きを読む]
2016�Q6月にルネサスの代表�D締役社長兼CEO（最高経営責任�v）に��任した呉文�@��。呉��は、経営を業��とする�Oを2003�Q以来歩んできた。GEフリートサービスで代表�D締役社長を経�xした後、2008�Qにカルソニックカンセイの社長、そして2013�Q日本電��の副社長を経て、今�Qルネサスのトップに��いた。ルネサスをどう引っ張っていくか、語った。 [→��きを読む]
National Instrumentsは、帯域幅1GHzと広い無線通信の設��・テストを行う��2世代のVST（ベクトル信��(gu┤)トランシーバ）�R定�_「NI PXIe-5840」を発売する。帯域幅が広いため、��5世代の携帯通信(5G)やIEEE802.11ac/axに��拠するデバイスのテストなどRFトランシーバやチップをテストする。 [→��きを読む]
小松��作所の100%子会社であるギガフォトンは、EUVリソグラフィの実��化レベルに�Zい出��250WのEUV光源を開発したと7月6日発表した。EUVは今やオランダのASMLしか�}�Xけておらず、同社が微細化�\術を先行している。先週は久しぶりにリソグラフィ����の発表があり、キヤノンが半導��向けのリソグラフィ����を2機、発表した。 [→��きを読む]
Rick Shen��、eMemory Technology Inc., President メモリIPベンダーである��湾のeMemory社。これまでも日本の顧客とは��き合いが長い。東��やルネサスエレクトロニクスをはじめとする�Hくの半導��メーカー�D引してきた。最�Z、メモリIPを使ったセキュリティ分野にも進出(参考�@料1)、来日した同社社長のRick Shen��にセキュリティ�x場、IoT、VR（仮�[現実）など新トレンドを聞いた。 [→��きを読む]
![DRAMの単価はNANDフラッシュにつられ、�fを�]ったか](/assets_c/900px/160707-dramprice.png "DRAMの単価はNANDフラッシュにつられ、�fを�]ったか")
��湾の�x場調�h会社TrendForceのメモリ�靆�DRAMeXchangeは、2014�Q10月から��いてきたDRAM価格の下落は6月に入って�Vまり、�fに来たようだと伝えた。��3四半期には�峺�に転じると見ている。 [→��きを読む]
ルネサスは、IoTデバイスに使うマイコン内�陲飽賭�(gu┤)化キーを格納するIPを開発、それをマイコンに集積しセキュアに守るという仕組みを導入した(図1)。このマイコンRX231は、センサ機�Δ魴eつIoTデバイスをサイバー��撃から守ることができる。 [→��きを読む]
2016�Q6月に最もよく読まれた記��は、「東��、NANDフラッシュの微細化にナノインプリント」であった。これは6月3日に日本経済新聞が�Dり�屬欧拭▲淵離ぅ鵐廛螢鵐閥\術を使ってNANDフラッシュを開発する、というニュースを解説したもの。 [→��きを読む]
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