モバイル通信の新しい��格6G（��6世代のモバイル通信��格）のディスカッションが3GPP（3rd Generation Partnership Project）で始まった。3GPPは欧�Δ鮹羶瓦縫皀丱ぅ訥命�の�Y����格を��める団��。基本的には5Gの��長としての通信となるが、�W��する周�S数帯をはじめとする無線�\術RAN（Radio Access Network）と、SA（System Aspect）から�W��シーンの議�bが始まっている。高周�S�R定�_が�u�TなKeysight Technologyも積極的に参加している。 [→��きを読む]
![ICの�n働率が�v復���屐����]����の売れ行きも鈍いが24�Qの半導��は好調に](/assets_c/900px/240220-icmarketsemi.png "ICの�n働率が�v復����、���]����の売れ行きも鈍いが24�Qの半導��は好調に")
2024�Qの世�cの半導���x場は、2023�Q��4四半期の実績から2024�Q��1四半期の見通しはかなり��るくなりそうだ。SEMIが�x場調�h会社のTechInsightsとパートナーシップを組んで調�hしたSemiconductor Manufacturing Monitorは、電子機�_の販売�Y、IC販売�Yから工場�n働率の�峺���向を予�[している。 [→��きを読む]
再び設��投�@、研�|投�@が��発になってきた。キオクシアがWestern Digitalと共同で運営するフラッシュメモリ工場の設��投�@に7290億��を投じると発表した。福�K県でも半導��研�|に2億8300万��を予�Q化し、レゾナックは半導��・電子材料に�R��することを�x言した。日本��策投�@銀行も1500億��を集中投�@する。ソニーの2023�Q10〜12月期���Qが報告され、半導���靆腓�21%成長を��した。 [→��きを読む]
Si基���屬�Ge層を�]時間で�W価に作��する�桔，鯏賤離▲襯潺縫Ε爐�開発した。Ge層の厚さを�O�yに変えられるだけではなく、ストイキオメトリ（化学組成）も�U御できる。今のところ高価なGaAs�U半導��向けの基��としての�Oを提案している。�W価な�陵枦澱咾�Siフォトニクス、スピントロニクスなどの基��材料への応��を狙っている。 [→��きを読む]
ルネサスエレクトロニクスは、�盜颪離汽鵐妊�エゴに本社を��くPCB（Printed Circuit Board）設��ツールベンダーであるAltium社を約91�|億ドル（約8879億��）で�A収すると発表した。半導��メーカーであるルネサスはPCB設��ツールベンダーを�A収して何をしようとしているのか。ルネサスCEOの��田英�W��の発言とAltiumの����ポートフォリオから読み解くことができる。 [→��きを読む]
世�cの半導���x場が2023�Q9月以来、4カ月連��プラス成長で、��に12月単月では�i�Q同月比が2カ月連��2桁成長の19%�\という�T果になった。SIA（�殀焼���工業会）の発表した3ヵ月の�‘以振冀佑�11月にプラスに転じたと発表しているが、単月では9月からプラスになっている。セミコンポータルでは�垉遒飽�きずられない単月の金�Yで表している。 [→��きを読む]
先週も2023�Q10〜12月期の���Q発表が相次ぎ、ルネサス、Infineon、キオクシア、東�Bエレクトロンなどから発表があった。�O動�Z・�噞向けについてルネサスとInfineonが�款氾�な�T果で、この四半期ではルネサスはまずまずだが、Infineonが�jきく落ち込んだ。キオクシアは���Cだったが、�v復の兆しが見えてきた。また東�Bエレクトロンも��るさを見せてきた。 [→��きを読む]
2023�Qのシリコンウェーハの出荷�C積は、�i�Q比14.3%��の126億200万平�汽ぅ鵐舛世辰燭�SEMIのSMG（Silicon Manufacturers Group）が発表した（参考�@料1）。ウェーハ売り�屬欧�、10.9%��の123億ドルになった。2019�Qから3�Q連��ウェーハ�C積は拡�jしてきたが、2023�Qになって落ち込みを迎えた。 [→��きを読む]
2024�Q1月に最もよく読まれた記��は、「元日の�ε佝���地震、半導��工場やシリコン�T晶工場は現時点で影�x少ない」であった。1月1日午後4時10分に��きた�ε佝����j地震は、居住�vと共に半導��関係工場も被�uした。��月休み��けにいち早く、半導��関係工場の様子をその時点でわかる�J囲で報じた。 [→��きを読む]
化合�颯僖錙屡焼���のGaNデバイスの逆バイアス信頼性�h価法（図1）がJEDECで�Y��化された（参考�@料1）。JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）はメモリのピン配��などの�Y��化をみんなで��めるための世�c的な�Y��化団��。ここで��まった仕様は半導������の�Y��となり、����の普及だけではなくコストを下げる役割もある。 [→��きを読む]
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