スパンションに見る、2四半期連���\収�\益達成の秘�S
2010�Qに経営破たんしたスパンションが再建から成長へ進み、さらなる成長戦�Sの絵を�Wき、順調に推�，靴討�た。この��3四半期には�i期比で2期連���\収�\益となった。その秘�Sについて、同社CEOのジョン・キスパート��(hu━)(図1)に電�Bインタビューで聞いた。 [→��きを読む]
セミコンポータルによる分析
アルテラ、FPGA企業からソフトとシリコンの融合半導��企業へ
アルテラは、FPGA企業から脱皮してシリコンとソフトウエアの融合の時代にふさわしい企業になる、と新戦�Sを発表した。同社はSoC FPGAと�}び、C言語ベースでプログラミングするOpenCL開発ツールを�Dえることで、28nmから20nmへの�々圓皀好燹璽垢砲覆襪箸垢襦� [→��きを読む]
ルネサスのMCU、MPU����ポートフォリオ拡充から見えてくる戦�Sの転換
ルネサスエレクトロニクスは、スマート社会に向けた半導��ソリューションを提供するという戦�Sを進めているが、�R��していく応��分野を��確に��(j┤)した。コネクティビティ、ヒューマンインターフェース、センシングそしてドライブ/パワー、である(図1)。これまではマイコンや、アナログ、SoCといったデバイス�笋�らの切り口しか見えてこなかった。 [→��きを読む]
日本��半導�����]����のB/Bレシオ低下が��く、0.65に
![日本��半導�����]����のB/Bレシオ低下が��く、0.65に](/assets_c/900px/121022-bbratio.png "日本��半導�����]����のB/Bレシオ低下が��く、0.65に")
先月SEAJが発表した半導�����]����とFPD���]����の販売�Y統��から��(f┫)�]��向(参考�@料1)、と表現したが9月もその��向は��いている。半導��のB/Bレシオは0.65となった(図1)。やはり�p�R�Yの��(f┫)少が��いているため警���X(ju└)��だ。�k��(sh┫)、FPDは、2.45という異常に高いB/Bレシオ(図2)になっているが、販売�Yが��く�{いついていない�X(ju└)��になっている。 [→��きを読む]
効率29%でフレキシブルな�陵枦澱咾���(sh━)ベンチャーがサンプル出荷、来�Q量��へ
プラスチック基���屬忘遒辰��陵枦澱咾蓮▲侫譽�シブルで折り曲げ�O�y(t┓ng)なため、電柱の柱に�pって設��したり、�O動�Zの屋根やボンネットの�屬棒���したりすることができる。反�C、光電変換効率が�Kく、せいぜい8%��度しか�u(p┴ng)られなかったため、広い�C積に渡って設��しなければ使い�颪砲覆蕕覆�った。今�v、フレキシブルながら効率28.8%という優れモノが登場した。 [→��きを読む]
パソコンの出荷��数から見えるIT�噞の陰り、半導��は要�R�T
IT景気に陰りが見えてきた。2012�Q��3四半期におけるパソコンの出荷��数が�i�Q同期比8〜9%��度、��(f┫)少したことを�x場調�h会社2社が発表した。IDCは-8.6%、ガートナーは-8.3%になったとする。�{�Jの違いはあるものの、共にほぼ同じ��度のパソコン出荷��数を見積もっている。 [→��きを読む]
�j(lu┛)学発ベンチャーのイニシアム、分子間��や微量な��量の小型�R定�_(d│)を開発
アルバックの100%子会社であるイニシアムは、たんぱく��や微��子などの��量や分子間相互作��などをリアルタイムに�R定できる小型の����AFFINIX Q8を発売した。ノートパソコンとイーサーネットケーブルでつなぎ、�R定�T果を表��(j┤)する。 [→��きを読む]
22/20nm時代のIDMは3社に絞られる−ICインサイツの調�h
ロジック半導��チップの�攵�がIDM（��(k┫)直統合型半導��メーカー）からファウンドリへ���]にシフトしていることを、��(sh━)�x場調�h会社のICインサイツ（Insights）が��(j┤)した。130nm時代には22社ものIDMがあったが、22/20nm時代にはわずか3社に��(f┫)るとしている。 [→��きを読む]
広���xのアスカネット、CEATECで空間に映�機Σ��気魃任圭个�
ごく普通の空間に映�機Σ��気魃任圭个晃�学システムをアスカネットが開発した(図1)。格子�X(ju└)のミラーを使って、画�気魘�間に映し出す。��点を空間の�k平�C�屬帽覆蟾�めるように反�o(j━)ミラーを工夫することで実現した。空間�屬鳳��気箍��気鮴^し込む夢のディスプレイの実現に�k歩�Zづく。同社はCEATEC2012で�t��(j┤)した。 [→��きを読む]
Transphorm、GaN on Siプロセスによる600VのパワーHEMTをサンプル出荷
��(sh━)南カリフォルニアを本社とするベンチャーのトランスフォーム（Transphorm）社（参考�@料1）は、耐圧600VのGaNパワーHEMTとGaNショットキダイオードを限定ユーザーにサンプル出荷している。2007�Qに設立された同社にこのほど日本インターと�噞革新機構がそれぞれ500万ドル、2500万ドル出�@した。トランスフォームはこれらの�@金を�u(p┴ng)て、GaNの����化を先�~けたいと語る。 [→��きを読む]
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