GaN-on-Siのベンチャー��出、白色LED・パワーHEMTを狙いVCも��発に投�@
Siウェーハ�屬�GaNをエピタキシャル成長させ、GaNパワーデバイスや白色LEDを実��化させるベンチャー企業が�盜颪鮹羶瓦又�出している。このGaN-on-Si�\術はもはや研�|フェーズではない。実��化開発に��点が�，辰討い襦８堕螢罅璽供叱�けにサンプル出荷をしている所もある。
図1 レアアース�┣祝譴鮠W��したトランスルーセント社のGaN-on-Si�\術
出�Z：http://www.translucentinc.com/documents/presentation_ICNS9.pdf
GaN-on-Si�\術の主たる狙いはもちろん、�j口径ウェーハによる白色LEDのコストダウン。シリコンなら8インチウェーハはもっともこなれた口径であり、このウェーハ�屬�GaN層をエピタキシャル成長しようというもの。つい数日�i、世�cの半導��業�cを驚かせた�櫂屮螢奪献薀奪�ス（Bridgelux）社は8インチSiウェーハ�屬縫�ラックのないGaN層を成長させた（参考�@料1）。シリコンバレーにあるフリーモントから30km��東に位��するリバモア（Livermore）に本社を構える同社は、小��模な試作ラインを�eちエピ�T晶成長だけではなくLEDも試作できるチームを�eつ。ただし、量��できるほどの��模ではないため、この�\術をライセンス供与することを考えている。2�Q以内に商��化を�`指すとしている。
GaN-on-Si�\術のベンチャーはブリッジラックスだけではない。シリコンバレーのパロアルトで��業したトランスルーセント（Translucent）社は4インチのGaN-on-Siウェーハを商��化したと発表した。このウェーハは、レアアース（希土類）�┣祝譟�REO）をバッファ層としSiウェーハの�屬�GaNを成長させている(図1)。
バーチャルGaN基��と同社が�}ぶこの�\術は、(111)Si基���屬�REO膜（Gd2O3など）、さらに(111)Si膜、REO膜、(111)Si膜と交互に形成した後、最後にGaN層を形成する。白色LED（��確には�E色LEDであり、その�屬鵬�色の蛍光塗料をコートする）やパワーFETは最後のGaNに形成する。�T晶REO膜がストレスを緩和しウェーハを平たんにする緩衝材となる。
白色LEDなどの光デバイス（LED）では、SiとREO膜を交互に積んでいく��格子構�]にすることでDBR（distributed Bragg reflector）ミラーを作りLEDの光を無�Gなく�i�Cに放�oすることが可�Δ砲覆�。6インチと8インチのウェーハは来�Q、商��化する予定だとしている。トランスルーセント社はオーストラリアの研�|開発企業Silex Systems社（参考�@料2）の98%子会社。
高耐圧のパワートランジスタを狙ったGaN-on-Siデバイスのベンチャーも登場している。�櫂肇薀鵐好侫�ーム（Transphorm）社はパワー半導��向けのGaN HEMTを開発、耐圧600V、オン�B�^310mΩと小さい����TPH2002PSおよび180mΩのTPH2006PSを限定ユーザーにサンプル出荷している。2011�Q��には����認定を�耀uする予定だ。
GaN HEMTはノーマリオン型であるためこのままでは使いにくい。日本国内も含め、ノーマリオフ型のパワーGaN HEMTを開発している研�|開発機関はあるが、このやり�気任�6V以�屬療徹気魏辰┐襪海箸呂任�ない。パワートランジスタなのにドレイン電流をさらに�\やすためのゲート電圧をかけられない、という�U約がある。これに�瓦靴篤閏劼魯痢璽泪螢�ン型のまま、MOSFETをカスコード接��することで実��的にノーマリオフ型デバイスにしてパワーエレクトロニクス企業に売り込む��画だ。
南カリフォルニアのゴレタ（Goleta）に設立した同社には、クライナーパーキンスやグーグルベンチャーズなど�@高いベンチャーキャピタル（VC）5社が投�@しており、その��来性が��望されている。
ベルギーの研�|開発機関であるIMECに�櫂哀蹇璽丱襯侫．Ε鵐疋蝓璽困�参加し、GaN-on-Si�\術を開発することが��まっている。IMECではSiウェーハメーカーのドイツSiltronic社、�櫂泪ぅ�ロンテクノロジー社、�櫂Ε襯肇薀謄奪�社、�櫂▲廛薀ぅ疋泪謄螢▲襯瑳劼覆匹�参加してGaN-on-Siプロジェクトのプロセスおよび����開発を進めている。
GaN-on-Siデバイスの商��化ではルネサスエレクトロニクスが1GHz帯のパワーアンプモジュールを6月に発売し先行した。ただし、3インチウェーハ�屬忘���し、しかもパワーアンプとはいえ数Aも電流を流す����ではない。��来通りのノーマリオフ型であるため、ゲート電圧を�jきく印加できないという弱点があり、�j電��パワーデバイスはまだ先になりそうだ。
参考�@料
1. 8インチSiウェーハ�屬坊狙�した白色LEDが160 lm/Wの��度を達成 (2011/08/15)
2. Silex社ホームページ
3. ルネサスがSiウェーハ�屬坊狙�したGaNのRFパワーアンプをサンプル出荷 (2011/06/29)
