メモリは2023�Q��2四半期も悲惨だが、光��も見えた
Samsung、SK Hynixの2023�Q��2四半期（2Q）���Qが発表になった。それぞれ営業��益は、4兆3600億ウォン、2兆8820億ウォンの�j幅な���Cとなった。メモリはファウンドリと比べるとキズは深い。逆に好調なときはファウンドリより�W益が�jきい。また�Zい��来、SEMICON Indiaが開��されそうになってきた。その���△�進んでいる。 [→��きを読む]
セミコンポータルによる分析
Micron、24GビットのDRAMダイをTSVで8��スタックした24GB HBM3を出荷
Micron Technologyがメモリ容量24GB（ギガバイト）で、転送レート（バンド幅）1.2TB/sという巨�jなHBM（High Bandwidth Memory）メモリを開発、サンプル出荷を開始した。このHBM3 Gen2を開発した理�yは、�收�AIの学�{に向け、学�{時間の�]縮を狙ったためだ、と同社コンピュート&ネットワーキング��業�靆� VP 兼 ゼネラル・マネージャーのPraveen Vaidyanathan��は言う。 [→��きを読む]
シリコンウェーハの出荷�C積は�x場�v復の兆しを反映
2023�Q��2四半期におけるシリコンウェーハの出荷�C積は、�i四半期比2.0%�\の33億3100万平�汽ぅ鵐舛箸覆辰�。�i�Q同期比ではまだ10.1%��だが、ようやく下げ�Vまり、これから�v復に向かう兆しが見える。2022�Q��3四半期の37億4100万平�汽ぅ鵐舛鬟圈璽�に下がり��けてきたが、ようやく下げ�Vまった。 [→��きを読む]
GaN�T晶からウェーハにスライスするレーザー�\術で�攵掚を�屬欧�
GaNパワーデバイスがすでにスマートフォンの���]充電�_などに使われているが、GaN�T晶の加工にもメドがついたようだ。SiC同様、GaNバルク�T晶も�wく、バルクのインゴットからウェーハにスライスすることが�Mしかった。ディスコが比較的�~単にスライスできる�\術を開発、ウェーハとして使える収量も37.5%�\やせることがわかった。 [→��きを読む]
TSMCの23�Q2Q���Qから見える半導��不況の現�Xと今後
2023�Q��2四半期（2Q）におけるTSMCの業績が発表され、2023�Qの売�幢Y見通しが約10%��と発表された。TSMCの儲け頭は、5nm/7nmプロセスノードを�W��するHPC（高性�Ε灰鵐團紂璽謄�ング）とスマートフォン向けのプロセッサだが、スマホ向けが�jきく落ちている。また�Z載向けはこれまで最高の8%にもなっている。 [→��きを読む]
シリコンウェーハの出荷�Y、23�Qは7%��だが24�Qは8%�\へ
2023�Qのシリコンウェーハの販売�Yは、半導��不況の影�xを�pけ、�i�Q比7%��という数�Cが見込まれているが、2024�Qには�v復し�i�Q比8%成長で戻ってくると期待されている。これは、半導��材料専門の�x場調�h会社であるTechcet社が最新のレポートで予�[したもの。 [→��きを読む]
AIの学�{・推�bに�咾�Nvidiaが�收�AIでも�咾ね��y
Nvidiaが半導��メーカーの中で唯�k、時価総�Y1兆ドルを��えた。同社の2024�Q度��1四半期（2023�Q2〜4月期）の売�幢Yはまだ�i�Qの金�Yにも達しなかったにもかかわらず、次の四半期売�幢Yを�i四半期比53%�\の110億ドルとの見通しを発表したためだ。その原動��は�收�AI向けのGPUだ。��に最高性�Δ�H100というGPUの供給が�Bりないため、�收�AI業�vはチップを���]するTSMCから順番待ちを�咾い蕕譴討い襦� [→��きを読む]
Infineon、ドイツ、日本、�盜颪離泪ぅ灰�����ポートフォリオを拡�j
パワー半導��に�咾�Infineon Technologiesがマイコン（マイクロコントローラ）の����ポートフォリオを拡�jし、現在から��来にわたり成長性が約�JされているIoT分野を�U覇しようという狙いが見えてきた。3�Q�iCypress semiconductorを�A収、マイコン����がハイエンドからローエンドまで揃い、これから先の狙いがIoTに定まった。独日�櫃淋�つの文化を�咾澆吠僂┐討い�可��性も�咾泙辰討い襦�参考�@料1）。 [→��きを読む]
�Z載半導���x場の成長と共に拡�jするSiC�x場
パワー半導���x場が�k般�噞��から�O動�Z��へと拡�jするにつれ、SiCパワーMOSFET�x場も拡�jしている。それに合わせて新工場の設立や8インチ化の開発が進んでいる。�Z載�x場もこれまでのEV（電気�O動�Z）化からインホ��ールモーター（IWM）や、ステアリング-バイ-ワイヤー（Steering by Wire）などへ拡�j、SiCやGaNの�x場は拡�jする勢いだ。 [→��きを読む]
23�Qの半導�����]�����x場、�i�Q比18.6%��だが、24�Qは14.8%プラス成長へ
![23�Qの半導�����]�����x場、�i�Q比18.6%��だが、24�Qは14.8%プラス成長へ](/assets_c/900px/230713-semiforecast.png "23�Qの半導�����]�����x場、�i�Q比18.6%��だが、24�Qは14.8%プラス成長へ")
2023�Qの世�c半導�����]�����x場は、�i�Q比18.6%��の874億ドルに下がるものの、24�Qには�v復に�Zづき1074億ドルに復��に�ZづくとSEMIは、最新の予�Rで述べた。おりしもSEMICON Westが開��されていることから、それに合わせて予�Rを発表した。 [→��きを読む]
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