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セミコンポータルによる分析

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NvidiaがASML、TSMC、Synopsysと組み、��Q機リソで2nmノードを突破へ

NvidiaがASML、TSMC、Synopsysと組み、��Q機リソで2nmノードを突破へ

プロセスノード2nm以�Tの次世代半導��チップ���]に�Lかせない、��Q機リソグラフィ(Computational Lithography)のエコシステムをTSMCとNvidia、ASML、Synopsysが設立した。3nmノードの実チップ�屬任虜脳�∨,�13nm�までやってきて、�S長13.5nmのEUVリソでもOPC(光�Z接効果��)の導入が�Lかせなくなってきた。��Q機リソはそのための�\術である。 [→�きを読む]

23�Qの半導�����]����x場は�i�Q比22%�の760億ドルとSEMIが下�巨T�

23�Qの半導�����]����x場は�i�Q比22%�の760億ドルとSEMIが下�巨T�

今�Qの半導�����]����x場は�i�Q比22%�と、昨�Q�のセミコンジャパンで予�[した16%�よりも下�巨T�の760億ドルに低下すると発表した。2022�Qは980億ドルという販売�Yで�垉邵嚢發鮨�していた。2023�Qは�i�Qよりも予�[以�屬傍Kそうだ。 [→�きを読む]

配線金�鑠譴鬚匹里茲Δ粉韶�にも��韻蕕譴�i-SB�\術を岩�}�jが�業化へ

配線金�鑠譴鬚匹里茲Δ粉韶�にも��韻蕕譴�i-SB�\術を岩�}�jが�業化へ

プリント基�だけではなく、テフロンなどの基�にも密�性の良い配線を形成できる�\術を岩�}�j学が開発、高周�S��性の優れた�v路を容易に形成できるようになる。岩�}�jのi-SBと�}ばれる�\術は、分子接合材を�いる異�|材料接合�\術である。�業�cもすでに��`し始め、実�化に向けたエコシステムの構築中だ。この�\術を普及させるためのプラットフォームを今秋には構築する�画で進めている。 [→�きを読む]

Samsungが20�Q間で31兆�投�@、�菱電機は8インチのSiCラインに投�@

Samsungが20�Q間で31兆�投�@、�菱電機は8インチのSiCラインに投�@

Samsungが�f国内に今後20�Q間で300兆ウォン(約31兆�)を投じ、新たな半導���攵妌場を設立すると表��靴拭�泙拭�鐱椶任�f国との懸案�項であった半導��材料3���`の輸出管理を緩和すると経済�業省が発表した。また、�菱電機は�y本のパワー半導��工場において1000億�を投�@、SiCのための新棟を建設する。Infineonが�Z載マイコンでUMCと長期契約した。 [→�きを読む]

Imec、脱炭素のためのリソとエッチング工�の�h価�}法を開発

Imec、脱炭素のためのリソとエッチング工�の�h価�}法を開発

半導��工場の脱炭素化が求められるようになってきたが、ベルギーの研�|開発会社であるimecは、リソグラフィとエッチング工�における環境負荷を定量的に�h価するシミュレーションを発表した。半導��プロセスの環境�h価によりCO2削�への�敢��]つことができる。まずはリソとエッチング工�でEUVの優位性が�された。 [→�きを読む]

半導��の人材育成、プログラムを創設する経�省、レゾナックは新人��U度

半導��の人材育成、プログラムを創設する経�省、レゾナックは新人��U度

半導���業がかつてないほど�rり�屬�蠅鮓�擦討い襪�¬筱�となっている人材育成に関して経済�業省から新しいプログラムを創設するという�画が発表された。旧昭和電工は日立化成を�A収してレゾナックと社�@を改め、半導��を念頭に�いた人��U度を刷新する。��L�Oもラピダス�мqの新組�Eを作る。�盜颪魯ぅ鵐匹犯焼��で協�するという覚書を交わした。 [→�きを読む]

Omdiaも2022�Q世�c半導��トップ10を発表、Gartnerと比較する

Omdiaも2022�Q世�c半導��トップ10を発表、Gartnerと比較する

2022�Qの世�c半導���x場と�岼�10社ランキングを�x場調�h会社のOmdiaが発表した。Gartnerと同様(参考�@料1)、1位はSamsung、2位Intelだが、3位にはSK Hynixを�sいてQualcommが入った。また、5位にはMicronを�sいてBroadcomが浮�屬靴拭F鵑弔猟�h機関の違いは何で�まるのであろうか。 [→�きを読む]

2023�QはDRAMの主��がモバイルからサーバー向けに�jきく転換する�Qに

2023�QはDRAMの主��がモバイルからサーバー向けに�jきく転換する�Qに

サーバー�のDRAMが2023�Q中にモバイルDRAMを記憶容量のビット数で�えるという見込みをTrendForceが発表した。DRAMの総ビット出荷量は、サーバー向けが37.6%になるのに�瓦靴謄皀丱ぅ觚�韻�36.8%に�里泙襪藩女[した。つまりこれまで、DRAMのビット出荷量���をけん引していたモバイル向けがとって代わられることになる。 [→�きを読む]

2月に最もよく読まれた記�は「1200VのパワーGaNベンチャー」

2月に最もよく読まれた記�は「1200VのパワーGaNベンチャー」

2023�Q2月に最もよく読まれた記�は、「GaNの常識を�戮�1200Vの�\術でEV�x場を狙うパワー半導��ベンチャー」であった。GaNは650Vまで、SiCは1200V以�屬皺帖△箸いΔ海譴泙任両鐚韻�戮�GaN HEMT構�]を見直した�T果、横型HEMTでも1200V、20A�度のパワートランジスタを作れることを実証した。ソニー出身のエンジニアが設立したGaNのベンチャー「パウデック」を紹介した記�だ。GaNでも�e型にすれば1200Vは可�Δ世噺世錣譴討い襪�∈遒蠅笋垢�W価な可��④里△覯7燭嚢眤儖気鮗存修靴拭� [→�きを読む]

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