脱炭素とSDGs実現のカギは、半導��
脱炭素や、SDGs（�e��可�Δ�17項�`の�`�Y）を達成するために半導��が�_要な役割を果たすことが��確になってきた。10月25日の日本経済新聞は、人工ﾅ星を使ったSDGsの�Dり組みを紹介している。脱炭素は��議院��挙の争点の�kつにもなっているが、半導��はそれを達成するためのテクノロジーの�kつだ。EV向け電池�攵�にトヨタも��を�Rぐ。 [→��きを読む]
セミコンポータルによる分析
ミリ�Sレーダーがプライバシー遵守、防�瓩覆豹洋�・人感センサに（1）
77GHzのミリ�Sレーダーは�O動�Z向けに�i�妓―个忙箸錣貉呂瓩討い襪�、レーダーがいよいよ本格的に立ちあがりそうだ。77GHz帯では帯域4GHz、60GHz帯は7GHzと広い帯域を�eつことが日本で認められ、半導���Q社が人感センサや人流センサなど��接触のセンサとして����を相次いで出してきた。先行するInfineonに��き、Texas Instruments、Analog Devicesが��々リリース。ミリ�Sレーダーセンサ動向を3�vに分けて紹介していく。 [→��きを読む]
Appleの新型SoC、GPU・ビデオ機�Δ鮟室造靴覆�ら消�J電��を削��
Appleの新ノートコンピュータMacBook Pro向けプロセッサM1 ProとM1 Maxの消�J電��あたりの性�Δ篭砲瓩胴發ぁ�2�Q�iに初めて設��したM1と比べ、�i�vは3倍、後�vは6倍の性�Δ世箸いΑ�M1でCPUとGPUのコアがそれぞれ別チップだったのを1チップに集積、トランジスタ数は�i�vで333億個、後�vは570億個となった。5nmプロセス採��。 [→��きを読む]
��湾の半導�����]�ξ�がいかに高いか、IC Insightsが定量的に分析
![��湾の半導�����]�ξ�がいかに高いか、IC Insightsが定量的に分析](/assets_c/900px/211019-chinataiwan.png "��湾の半導�����]�ξ�がいかに高いか、IC Insightsが定量的に分析")
�毫x場調�h会社のIC Insightsは、世�c半導���噞の�攵��ξ�を設��ルール別に��した（参考�@料1）。同社は�盜颪���点で、��湾が世�cの半導���噞にとっていかに�_要なのかを再認識させている。中国において半導���噞が思うように発�tしないと輸入���圓砲茲觀从儺�失をいつまで我慢できるか。さもないと��湾侵��が現実的な脅威となってくる、と��唆している。 [→��きを読む]
TSMCの日本工場が��定、脱炭素への半導���噞の動きも顕著に
TSMCがついに日本にも半導��工場を設立することを��式に発表した。日本で22nmおよび28nmのチップを2022�Qに建設を開始、24�Qに操業する��画だ。また、脱炭素に向けた行動��画の開��を企業に求める新指針をTCFD（気�t関連財��情報開��タスクフォース）が発表した。また、量子アニーリングが実証実�xから実��化に�k歩�i進した。 [→��きを読む]
「独�Oチップは脱炭素を実行する�屬派垈弟L」Nokia、新プロセッサ開発の理�y
かつて世�cの携帯電�Bを��配していたNokiaが通信インフラに��を入れているが、このほど新型ネットワークプロセッサチップ「FP 5」を開発（図1）、通信基地局の消�J電��を下げると共にセキュリティも�啣修靴拭��@��のネットワークプロセッサチップでは、性�Δ眈嫡J電��も満たされないからだ。 [→��きを読む]
性�Δ罰板ダ�の高いMIMDアーキテクチャのAIチップで�M負するGraphcore
AIプロセッサチップからAIコンピュータシステム（図1）まで�}�XけるGraphcoreが2021�Qに入り日本でも��動に��を入れている。機械学�{に適した��並�`処理のMIMDアーキテクチャを使い、AI性�Δ�極めて高いのが��長だ。すでに�f国通信オペレータのKTでネットワーク効率を�屬押�Microsoft Azureクラウド�屬任琉綢�画�喫�類認識で最新GPUよりも12倍も高�]という実績を見せている。 [→��きを読む]
TSMC･ソニー合弁工場、ニュースの裏を読む
週��10月9日の土曜日、日本経済新聞の「TSMC・ソニー、�y本に工場、8000億��投�@、デンソーも参画、半導��確保へ���B���\」と��したニュースには驚かされた読�vも�Hいだろう。TSMCもソニーも�y本工場を新設するとは�k言も発表していない。にもかかわらず何度もこのようなニュースが流れる背景は何か。 [→��きを読む]
Samsungファウンドリ、3nm量�凮始を22�Q�i半、2nmは25�Q後半と�o表
�f国Samsungのファウンドリ�靆腓�3nmプロセスでGAA（Gate All Around）構�]のMOSFETを基本トランジスタとして使うプロセスを2022�Q�嵌彰�までに提供すると発表した。TSMCの基本ロードマップ、さらにIntelも20Åプロセスを発表したのに��き、��ればせながらSamsungも��画を発表した。 [→��きを読む]
GaNパワーデバイスの世�cランキング、トップはNavitas社
GaNパワーデバイスのサプライヤーの最新の�岼魅薀鵐�ングを�x場調�h会社のTrendForceが発表した。これによると、1位はNavias社になりそうだとしている。2位には昨�Q1位だったPower Integrations社となっている。GaNパワーデバイス�x場はスマートフォンの���]充電�_に使われるようになって�x場が立ち�屬�ってきている。 [→��きを読む]
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