日本x場を狙い、フランスSoitecとLETIが3次元集積ウェーハを提供
SOIウェーハj}のフランスSoitecとフランスの研|開発機関LETIは、3次元ICをウェーハレベルで積層する\術を共同開発してきたが、このほどこの提携を拡jし顧客に瓦靴討發修離愁螢紂璽轡腑鵑鯆鷆,垢襪海箸砲覆辰拭3次元ICはもはや、1社ですべてうべき\術ではない。SOIウェーハの量庀績のあるSoitecとTSV\術開発を行ってきたLETIとが相互完する。彼らの狙いは日本x場だ。

Soitec CEOのAndre-Jacques Auberton-Herve(左)と
LETI CEOのLaurent Malier()
Soitecは、これまで単T晶メーカーからシリコンをP(gu─n)入し、SmartCut\術でSOIウェーハに加工して量するというビジネスをt開してきた。LETIは研|所とはいえ、この20Q間でベンチャー企業を35社設立してきた。Soitecもその1社である。
両社は、ウェーハツーウェーハで3次元ICを攵する\術を共同で開発してきた。i処理から、ウェーハ同士の接合、基を薄く削る\術、TSVエッチングまでの広J囲に及ぶソリューションを共同で提供する。LETIは1985QからTSVを研|してきており、現在は10:1の高アスペクト比のTSVを低aで形成できるまでになってきている。
3次元の集積化には200mmおよび300mmウェーハに官でき、]にはユーザーと互換性のあるを(li│n)定した。ドライフィルムラミネーター、スピンコーター、DRIE、SmartViewウェーハアライナー、マスクアライナー、ウェーハボンダー、ボンディング`などからなる。
このビジネスモデルは、┣祝譴妊ΕА璽脇瓜里鮴楾腓垢SmartStacking\術、ウェーハ同士の接合によって電極パッド同士を直接接合する\術、さらにSOIで実績のあるSmartCut\術という3つの要素\術を使い、顧客からの要求を満Bさせたウェーハツーウェーハのソリューションを提供する。もし薄いシリコン膜のウェーハがほしいのであれば薄いSOIウェーハを使って顧客に提供する。このビジネスではSOIは3つの要素\術のオプションのkつにすぎない。
STマイクロエレクトロニクスに提供したバックサイドからの光導入によるCMOSセンサーを紹介する。この\術は表Cのフォトダイオードの屬縫瓮織襪鯒枩する(sh┫)式では、フォトダイオードの屬縫瓮織襪かぶらないようにレイアウトする要があり、微細化には限りがある。裏Cから光が入oするような構]であれば、フォトダイオード屬離瓮織襪鬚匹設しようがく影xをpけない。このため画素数を\やしたりさらに微細化したりできる。
裏Cから光を入oさせるためには、フォトダイオードやv路を構成したウェーハ表Cをカバーした後、ストレスの少ない別のウェーハをその表Cに載せ、接合する。400℃以下の低aでX処理した後、v路が構成されているウェーハを削り、最終的に浄する。SOIにp光層を作り込み、シリコンのCMOSv路ウェーハと接させたCMOSイメージセンサーをSTマイクロに提供している。SoitecとLETIは今vの提携拡jを、ウェーハツーウェーハで作る3次元ICを提供するワンストップ\術ソリューションだと位づけている。