パナソニックが提案するエコプラットフォーム戦�S

この�D流平滑�v路は、コイルによって発�擇靴���電��をコンデンサに�Qめ、使��する電��が�Bりなくなるとコンデンサからの電荷を使って谷の�霾�を�mめる、という役割を果たす。コンデンサが電池に相当し、コイルは�陵杆�や風��で発電した電��に相当する。この平滑�v路で、創エネと畜エネが行われ電��を平滑にしている。

パナソニックは、�Mたちの����を��適でしかも環境にやさしいもう�kつの軸として省エネの3つを企業のミッションとしていることを講演した。省エネは低消�J電��の家電����や半導������を�擇濬个垢箸いΔ海譴泙任��疑砲修里發痢�パナソニックが社内のさまざまな�靆腓�らのLSIをUniphierというプラットフォーム�屬繭t開したように、低消�J電��のための家電設��にエコプラットフォームというコンセプトを発表している。これは家電の設��にもデバイスレイヤからミドルウェア、アプリケーションそれぞれの消�J電��を下げることで����を下げようとするもの。もちろん、システムLSIにおいてもUniphierをベースに、アーキテクチャも�v路設��もプロセスも��て低消�J電��に設��することを基本としている。

高耐圧・高�]のパワーデバイスとしては、GaNトランジスタの開発を進めており、ノーマリオフ型のGaNトランジスタを6個1チップに集積して3相モーター�~動可�Δ淵僖錙璽妊丱ぅ垢魍�発中だ。�陵枦澱咾料魯┘佑筌螢船Ε爛ぅ�ン電池の畜エネに関しては��洋電機とのシナジー効果を狙い進めていくとしている。

基調講演ではこのほか、IBMのクリストファー・クーパー��が電��ネットワークの�W定化にコンピュータ、ITの��を借りることがいかに�_要か、そしてITを発電所から配電�Uネットワーク、さらには家庭や工場など��端までコンピュータで�U御することで電��が�W定になることを説いた。

また、インドの�陵杆�企業であるモーザーベア社のグループCTOであるゴバラン・レジスヴァラン��は、シリコン�T晶�Uの80MWラインとアモーファスシリコン�Uの40MWラインを紹介した。同��は、元々�盜�DoE傘下のブルックス国立研�|所にいてアモーファス�陵枦澱咾慮��|をしていた。その後コダックに�，蝓▲灰瀬奪�と��洋電機が�~機EL�\術で提携したことをきっかけに��洋の元社長だった桑野�m徳��とも�瑤蟾腓い砲覆蝓��陵枦澱唹奮阿任盧��Z、�~機EL照��にも乗り出し始めている。

電��中央研�|所の芹澤��積��は、次世代の電����は�a暖化�敢�だけではなく送電��の��命劣化や電気エネルギーへの�咾ぅ轡侫函�ICTの����、という要求に答える形になってきているとし、��来のような電����要に�{い��くという考え�気�ら脱却しているとした。今後のスマートグリッドは、発電�U、配電�U、家庭・工場�Uなどの�Q電��ネットワーク・アーキテクチャ別に進める��要があるとする。家庭・工場�Uなどで��要なものは、�陵枦澱咾世韻任呂覆�蓄電池とコントローラも含まれる。加えてICTネットワークではコンピュータや通信だけではなく設�△鬟船Д奪�するための保����センサーネットワークも�_要であると述べた。送電��や��給地域のデザインはできるだけ新しいデバイスでモジュール�擬阿砲垢戮�と提案した。これは電��インフラを作り�屬欧襪里�10�Q��度かかり、最初に設��した設�△聾鼎�なってしまうため、モジュール交換で済ませるためである。

東��の横田�t志��は、スマートグリッドはネットワークを作るフィロソフィーがこれまでの�k�議鵡團薀ぅ鵑箸���く異なり、�陵杆�発電も電気�O動�Zも蓄電池施設もすべてプラグインでいつでもどこでも接��できる双�妓�ネットワークだと定�Iした。このネットワークにつながる��ての負荷の変動、供給サイドの変動、などを�U御する。そのようなネットワークに接��される�陵杆�発電、エネルギーを溜める蓄電池、発電所からの電��などがばらついた時に����の電��がどの��度ばらつくのか、を定量的に実�xで�uている。スマートグリッドはスマートメータだけではないことを�喞瓦靴拭�

パワーコントローラは、地�屬���くような��来のような�_い����ではなく、電柱に�屬欧蕕譴襪茲Δ雰變眠修鮨泙蠅燭い氾杜�中研の芹澤��は述べたが、オフ時に少数キャリヤの蓄積時間を伴うIGBTではなく、SiCのMOSFETなら高�]スイッチングが可�Δ砲覆蝓∋箸Ε肇薀鵐垢鮠�型軽量にすることができる。

新日本��鉄の藤本辰�d��は、パワー半導��にこれから使われるSiC材料の作り�気砲弔い得���した。高�aで�]��にならない性��や、ダイヤモンドの次に��いなど加工しにくいSiCを�L陥少なく、�j口径にいかにして�eっていくかについて�Bされた。4インチ(直径100mm）のウェーハは完成しており、マイクロパイプと�}ばれる�T晶�L陥はもはやほとんどは入らないレベルにまで到達したとしている。