3MとIBMが100シリコン積層チップ向け接剤の共同開発で合T
盜颪3M社とIBM社は、3次元実の接剤を共同で開発することで合Tしたと発表した。半導チップを100でも1000でも高層ビルのように積んでいくようにすることが狙いである。IBMはこれによって高性Δ離廛蹈札奪気魍発する。3次元実△鯆礇灰好箸納存修垢襪燭瓩両}段となりうる。

図1 3MとIBMが共同開発する接材により100チップの実△魏Δ砲垢
3次元実\術はロジックチップを中心に考えると、解すべき放Xの問がある。共同で開発しようとしている接剤はX伝導性が良好な材料であることは言うまでもない。IBMの研|開発の責任vでVPでもあるBernard Meyersonは、「今の半導チップは3次元トランジスタと言っても所詮は2次元の枠をsけきれないフラットな構]だ。IBMが狙っているのは、とてつもないほどのコンピューティングξをeつ半導チップを常に小型にしてシリコン高層構]を作ることである。実\術を進化させることにより、これまでにないような半導、高]・高機Αδ秕嫡J電のチップを作れると信じている」と語る。
今vの提携では、IBMが独Oの半導パッケージを擇濬个浩賁膕箸任△、3Mは接材料を開発]する専門家であることを発ァして、画期的な\術を擇濬个垢海箸砲覆襦3Mの電子x場材料靆腓VPであるHerve Gindreは、「IBMとはこれまでもk緒に仕してきたが、今vの提携はにく新しいレベルにeちあげてくれるので、革新的な3Dパッケージ\術を構築するのが楽しみだ」と語る。
接材というテーマは3Mにとって46のコア\術プラットフォームのkつであり、3Mの接剤は顧客ニーズにぴったり合う\術テーマだという。