東、GaN-on-Siの白色LEDを10月から200mmラインで量凮始
東が、関連会社の加賀東エレクトロニクスにおいて10月から白色LEDの量を始める、と発表した(参考@料1)。東はこの1月から、GaN-on-Siウェーハを使った白色LEDの櫂戰鵐船磧Bridgelux社(参考@料2)と共同開発を進めてきた。

図1 Bridgeluxが攵しているLED群 出Z:Bridgelux
共同開発開始後、この5月には、8インチ(200mm)Siウェーハを使った白色LEDで光出614mWと極めて高い性Δ鰓uたと発表している(参考@料3)。この時のR定条Pは順電圧3.1V、順電流350mAであった。チップサイズは1.1mmとjきい。
常に]い開発期間での成果であり、東はBridgelux社に株式投@を行うこともめた。BridgeluxのCEOであるBill Watkinsは「東の株式投@によって両社はもっと深い戦S的なパートナー関係を築くことができ、共通の`YであるLED照の低価格化を膿覆垢襪世蹐Α廚5月のプレスリリース(参考@料3)で述べている。
LEDを照やO動Zのヘッドランプなど、光の出を\加させたいというに使う場合には、パワートランジスタと同様、LEDチップC積の拡jは須である。しかし、チップC積を\やすと1のウェーハから採れるチップ数がるため、ウェーハの口径を拡jしそれをカバーする。このようにしてjC積のLEDチップをj量に攵でき、コストを下げることができる。
T晶価格の高いGaNで200mmウェーハというjC積をuることは\術的にはMしくコストがかかってしまう。このため基コストがWいシリコンを使い、格子定数の異なるGaNをエピタキシャル成長させるためにSi屬縫丱奪侫〜悗魴狙し、クラックが入らないようにする桔,鮖箸辰。GaN-on-SiのLEDはこれまでのLEDよりも低価格にできる可性が期待されている。Bridgelux社は、低価格LEDによって現在400億ドルの照噞を1000億ドルx場に拡jしていくことを`Yに掲げている。
今v、東の動きは極めて早い。2012Q1月に共同開発をはじめ、5月に試作の成果を出し、7月に量妌場を発表した。10月には量凮始する。今後に期待したい。
参考@料:
1. 白色LED素子の量凮始について (2012/07/25)
2. 8インチSiウェーハ屬坊狙した白色LEDが160 lm/Wの度を達成 (2011/08/15)
3. Bridgelux and Toshiba Achieve World Class Performance for 8" GaN-on-Si LEDs (2012/05/10)