図1　英国スコットランドのグレンローゼズに工場を�eつ　出�Z：Raytheon UK

SiCはエネルギーバンドギャップが広く、また絶縁耐圧が高いことから高�a動作可�Δ如�高耐圧・低オン�B�^が可�Δ淵僖錙質濃劼����]できる。このため日本ではSiCパワートランジスタの����化が��発に行われている。Raytheon（レイセオン）UKのファウンドリビジネスではパワートランジスタだけではなく、アナログやミクストシグナルICも含み、高�aの劣�K環境で動作する機�_に向けたSiCデバイスも��野に入れている。同社は、�O動�Zはもちろん、宇宙・�豢�、地�X探�h、石��・ガスのエネルギーなどの応��分野を�[定している。

親会社であるRaytheonは、もともと�盜颪�DoD（国防総省）と関係の深い企業であり、宇宙�豢�・防ﾅ・工業分野に�咾ぁｒ�業�^6万8000人、2012�Qの連�T売�幢Y240億ドル(2兆4000億��)という��模の企業である。この英国法人であるRaytheon UK（��業�^500�@以�屐砲蓮�SiC���]に設��投�@して10�Q、これまでSiCのプロセス開発に��を入れてきた。親会社からの�R文を�pけ、これまでは社内向けのSiCチップ(図2)を���]してきた。量�庀績に�O信を��けてきたため、今�Qの1月にファウンドリとして�k般�x場にも開放することになった。

図2　半透��なSiプロセスウェーハ　出�Z：Raytheon UK

�\術的には、SiC基���屬�pn接合を形成する経�xを積んできており、�j(lu┛)�}ユーザーから����を認定されたという。すでにISO/TS 16949:2009とAutomotive Standardを�D�uしている。だからこそ、パワー半導��だけではなく、pn接合をフル����するCMOS IC、それも高�aの劣�K環境で動作するミクストシグナル�v路も���]する。センサとパワートランジスタの組み合わせや、センサからアナログ、ドライバ段からパワーとの組み合わせなどをセットにして使うという����でSiC半導��が�擇�てくる。

この工場で現在���]しているSiCデバイスは、MOSFET、バイポーラトランジスタ、ショットキダイオード、RF MESFET、パワーおよび小信��(gu┤)JFETなど。プロセス����としては、リソグラフィ(1μm以��)、ウェットおよびドライエッチング、1800℃までの拡�g炉・アニール炉、N2Oガスなどを含む1200℃までの�┣熟А�RTA、メタライゼーションなどの����を�eつ。イオン�]ち込みにはP・N・Alのイオンを扱い、室�aから600℃の�a度で行う。検�h����では、4kV・40Aのパルス印加、および最�j(lu┛)2kVを印加できるウェーハプローバなどを�△┐討い襦�

日本に�瓦靴討蓮⊇j(lu┛)きな�O動�Z�x場があると見るが、�O動�Z向けだけではなく、ミクストシグナルASIC向けも狙えるとしている。

実際に試作した�v路はまだ、分周�_や�~単なロジック�v路を形成したICにとどまっているが、アナログ���▲▲鵐廚筌僖錙璽肇薀鵐献好燭離疋薀ぅ崔福△気蕕�LSIやASICへとロードマップを�Wいている（図3）。

図3　SiC CMOS半導��の����ロードマップ　出�Z：Raytheon UK

＊�{加情報

Raytheon UKから以下のような情報が送られてきました：
・SiCウェーハサイズ：4インチ
・�攵��ξ�：2,500��/月
・6インチ化の予定：2015�Q後半
・�攵�している����の���`：パワー半導��がほとんど。最初のデジタルIC＋アナログIC����はサンプル出荷中、2014�Qに量��?f┫)縦?/p>