Samsung、史嶌能jのメモリ工場をf国内に建設
Samsung Electronicsが156兆ウォン(147億ドル:)という巨Yの投@をモバイルデバイス向けのチップ]のためにソウルの南75kmの平u(ピョンテク)という場所に新たな半導工場を作る画を発表した。この工場はSamsungのどの工場よりもjきなものになるという。
半導チップ]工場の建設は2015Qのi半にスタートし、2017Qの後半に完成する画である。Samsungのいうモバイルデバイス向けのチップとは何か、憶Rが飛んでいる。メモリのx場価格を定点莟Rしている調h会社DRAMeXchangeの副社長佐のAvril Wuによると、「DRAMとNANDフラッシュに集中するのならT味がある。内のアプリケーションプロセッサならSamsungのスマートフォンに使われる数がしれているからだ」と語る。
Samsungの業績はこのところ下T気味。スマホビジネスが、華為\術やZTE、小櫺紛\(シャウミー)など中国メーカーに食われつつあり、下Tしているからだ。このため、スマホからメモリへのり戻し時期に来ていると見える。半導とはいえ、Samsungのアプリケーションプロセッサにjきな差別化要素は少なく、AppleのファウンドリR文がやってくるとは考えにくい。
しかしk気如iPhoneの次のアプリケーションプロセッサA9のファウンドリR文をSamsungがDったといううわさがあり、これが本当だとすると新設する半導工場はアプリケーションプロセッサも含まれるといえる。A9は14nmFinFETプロセスで作ることが確定しており、Samsungが確立したといううわさがその理yの根fにある。実際、Intelの14nmFinFETプロセスはまだW定していないというmも聞くが、もう完成したといううわさもあり、どちらが真実か今の所わからない。
いずれにしても、NANDフラッシュの\は間違いなく、今度のx場として来のカメラやスマホからサーバーやストレージへ広がっていくことはもう間違いない。ストレージの拡jはIBMの10億ドルの投@の発表を見ても金融x場でのミリ秒を争うインターネット株式D引などからSSDへの要求は咾ぁただ、DRAM(図1)は給関係ではなく、「x場を独する」というT味合いが咾い茲Δ澄
図1 2014Q2四半期におけるDRAMの世cマーケットシェア 出Z:DRAMXchange
Samsungのライン17棟は2015Qの後半に攵が立ち屬ると当初見られていた。しかしこの工場のn働は早くても2016Q後半にずれ込んでいる(図2)。DRAMの攵ξを拡jすることになっていた。DRAM価格はさまざまな工場がコストを下げることで下がっていく。その内、攵ξを調Dすることになろう。そのiの2015Qは少なくともDRAMメーカーはW益を出せるだろう。
図2 Samsungの月ξ 出Z:DRAMeXchange
恐らくSamsungが新工場の建設をめた理yは、DRAMやNANDフラッシュの\加する要を満Bさせるのではなく、Bからのプレシャーによるものではないかという推Rも飛んでいる。「数QiからSamsungは盜颪離謄サスΕースチンに巨jな投@を行ってきたことに瓦靴董∠f国Bは国内にもある度は投@せよと言われていたからだ」とDRAMeXchangeのWuは見る。
DRAM噞は寡化が進み、参入障壁が高まり、新企業は参入しにくい。ライン17棟と18棟を両砧ち屬押攵ξをjきく屬欧襪箸いΕ▲哀譽奪轡屬弊鐓SをSamsungがとれば、ライバル(SK HynixとMicron)はもはや{いつけなくなる。n働が始まり、DRAMの給関係はSamsungが保とうとするため、ライバルもSamsungに同調せざるをuなくなるだろう。