図1　Samsungの64層3D-NAND����　出�Z：�^真提供Business Wire

このセルは3ビット/セル��(sh┫)式で、メモリチャンネルの穴の数は256G個の1/3ですむ。電源電圧は、48層の時の3.3Vより下げ、2.5Vとした。この�T果、エネルギー効率は30%向�屬靴燭箸靴討い襦�また、低電圧化したことでセルの信頼性も48層の256Gビット��よりも20%向�屬靴燭箸いΑ�

64層の3D-NANDフラッシュのデータ転送�]度は1Gbpsと�]い。ページ単位のプログラム時間は500µs、と10nm��のプレーナNANDの�Z型的なスピードよりも4倍�]く、しかも同社の��来の48層の3ビット/セルの256Gビット��と比べても、1.5倍�]い。

��来の48層から64層に層数を�\やすことで、���]プロセスは�Mしくなり、��にMNOS構�]（チャージトラップ��(sh┫)式）の�Qチャンネルの穴を均�kにし、しかも�Qメモリセルの絶縁��を薄く均�kに作ることが�Mしい。Samsungはこの問��を�ﾀKしたとだけ述べている。

Samsungは64層3D-NANDの量��を��いだ背景には東��社内のゴタゴタがある。Samsungはストレージメモリ�x場で、��合とのリードを�wめるため、64層の量��を��いだとみられ、�Q��までにNANDフラッシュの�攵盋の50%以�屬鬚海���4世代の64層V-NAND（Samsungは3D-NANDをV-NANDと�}んでいる）に�eっていきたいとしている。

5月29日にはSamsungは中国の3D-NANDフラッシュ工場への投�@を見送ったと発表した。当初、同社は中国の3D-NAND工場にも89億1000万ドル（約1兆��弱）を投�@すると表��していた。これも中国勢の巨�j(lu┛)な投�@による�{い�屬欧魴搦�しているためであろう。中国の半導���噞は、ファウンドリよりもDRAMとNANDフラッシュに絞り込んで��を入れるように半導��戦�Sを変��(g┛u)してきている。中国ではDRAM工場に巨�j(lu┛)投�@をすでにしているが、NANDフラッシュ工場にも同様の�}を使うことは時間の問��だ。

Samsungとしては当�Cのライバルである東��を2016�Q��4四半期に差を広げた。��3四半期では東��との差は、�x場シェアで16.8%ポイントだったが、��4四半期には18.8%ポイントへと広げた。今�vの64層の量�僝によって、この差をさらに広げようとしている。同時に3D-NAND�\術では、下位集団にいたMicronがSamsungの次にのし�屬�り、SamsungとしてはMicron/Intel組からも差を広げたい。Samsungは、中国投�@よりも64層の量�癉ち�屬欧鮠�ぎ、�f国国内への投�@に��を�Rいでいくことになろう。東��は、メモリ会社の売却でもたもたしているヒマはないはずだが。