SMIC、TSMCともTowerJazzとも違う独O戦Sをらかに
中国のファウンドリSMICがその最新X況についてらかにした。かつてDRAMメーカーの\мqという形のファウンドリをやっていたが、浮き沈みのしいDRAMに引きずられ業績も浮き沈みがしかった。6〜7QiにDRAMからし、ロジックや\мqでNANDフラッシュも}Xける。そのポジショニングをらかにする。

図1 SMIC Evening 2017の開iのkコマ
SMICは都内で「SMIC Evening 2017(SMICのDべ)」を開し(図1)、その戦Sと位づけを確にした。
中国では、半導の莫jな輸入圓鮓圓瓦擦覆い海箸ら、半導噞への投@を?q┗)発化させてきた?014Qの輸出入統では1500億ドル(16.5兆)という巨Yの易Cを半導で屬靴拭このため国家を屬欧董内化を啣修件易Cの少に努めてきた。5Q間で4兆とも言われる投@は、毎Q16〜17兆のCYから見るとしてjきくない数Cである。
当初、中国は外国の半導企業をA収しようとしてきたが、盜駭Bの咾と瓦鵬颪い曚念した。わずかに、小模の半導企業や、中メーカーをA収しただけにとどまる。そこで、中国BUファンドは国内のDRAMとNANDフラッシュの工場に投@することに切りえた。まだメモリ工場はn働していないX況だ。そのような中、SMICは2000Qi後の中国における最初の半導ブームに投@し、擇残ってきた唯kのj}半導企業である。
SMICは、TSMCやSamsungのような10nm以下の最先端プロセスには、Wassenaar Arrangement(旧ココムに代わる_輸出禁Vの申し合わせ)によるU約から投@できないが、それでも14nm FinFETプロセスまで開発屬砲△襦28nmプロセスはk靂名に入っている。最先端プロセスを使わないファウンドリとしてTower Jazzなどもあるが、90nm〜65nmまでで、28nmを量するξはない。しかもSMICはSiプロセスにこだわる。GaNやSiGeは}Xけないが、MEMS(Micro Electro Mechanical System)やSOI(Silicon on Insulator)プロセスは提供する。
官できるプロセスは、ロジックが28nmプロセスでk靂名しているが、RF向けの28nmプロセスも開発中だ。NANDフラッシュも24nmを開発中で38nmを量している。組み込みフラッシュは55nmプロセスでルネサスに次ぐ先端を行く。フラッシュを}XけるのはDRAMと違い、ロジックプロセスとの互換性かあるからだと、同社Euro/Asia Sales DirectorのMike Guo(図2)。は語る。また、NANDフラッシュ単も攵するが、顧客の攵ξを屬欧襪燭瓩涙k時的な\мqが`的で、NANDフラッシュの専ラインを作るつもりはないとする。
図2 SMIC Euro/Asia Sales DirectorのMike Guo
半導は今や微細化プロセスが差別化するテクノロジーではなく、ユーザーエクスペリエンスが差別化の咾ね廾になっている。このため、40/45nmプロセスでも科、争はある。ただし、RFのように、遮周S数(fTやfMAX)を高めるためにある度微細化が要な応には28nmプロセスを使う。SMICがこれからも独Oの地位をキープできるのは、10nm以下の微細化投@でTSMCやSamsung、GlobalFoundriesなどと争しなくても済むようなサービスポートフォリオを揃えているからだ。
スマートフォンx場でもAPU(Application Processor Unit)以外はそれほど微細な先端プロセスを使わないため、スマホビジネスでもM機があるとする。もちろんスマホ以外のビジネスで成長を見込めるところはAIだとして、SMICはAIの応分野のkつであるパターン認識をW(w┌ng)する顔認証やサーベイランスの監カメラ、駑モニター、ロボットなどのも今後の成長分野として期待している。
SMICはプロセス以外でも、SMICのPDKにpったデザインを}Xけるデザインハウスが\えたことも徴だとGuoは語り、また基本的にPDK(プロセス開発キット)しか認めないTSMCとは違い、顧客からのカスタマイズにも官するという。SMICはTSMC、TowerJazzとも違う独Oの地位確立に向けて、この戦Sを進めていく。