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Infineon、咾ぅ僖錙屡焼で積極投@、2019Qもプラス成長期待

Infineon Technologiesが咾ぅ僖錙屡焼を戦S的な投@によってさらに咾する。オーストリアのフィラハ工場に2番`の300mmラインを導入、硬いSiCのインゴットから~単にウェーハをカットできる\術をeつSiltectra社をA収、中国で電気O動Zの]・販売会社を合弁で設立するなど、クルマや噞向けに積極的に投@し未来を盤石にする。

Infineonはドイツのドレスデンxにパワー半導の300mm工場をeっているが、2021Qには攵ξが満Jになると見ている。このためフィラハに新設予定の300mm工場は2021Qにクリーンルームを完成させラインをn働できるように今から300mmライン新設に16億ユーロを投@する。この工場はこの拡張によりQ間18億ユーロの売り屬欧鮓込めるようになるという。また、300mmラインとして、社内のセカンドソースとしての役割もeつ。


図1 インフィニオンテクノロジーズジャパン代表D締役の川崎郁也

図1 インフィニオンテクノロジーズジャパン代表D締役の川崎郁也


Infineonは2014Q度から2018Q度(Q度は10月から翌Q9月まで)までの5Q間、実に\収\益をけてきた。W益率も14.4%から18Q度は17.8%まで少しずつ屬欧討た。日本のインフィニオンテクノロジーズジャパンの売幢Yも垉8Q間Q率平均(CAGR)12%で成長してきており、に2018Qは15%成長を果たした。2019Q度も昨Qをvる数Cを期待している、とインフィニオンジャパンの代表D締役社長の川崎郁也(図1)は言う。Infineonはメモリを}Xけていないため、2017Q、18Qとメモリバブルの恩Lには与れなかったものの、その反動が来る2019Qはメモリメーカーとは違い、成長を期待しており、実に成長するOを歩んでいる。

インフィニオンジャパンは、Infineon社売幢Yに瓦靴7%しかまだない。これは外@U半導メーカーによくみられる向で、日本でデザインインしても売り屬欧jきい量はL外であるため、どうしても社売り屬欧瓦垢詁本法人の売り屬欧呂擦い爾10%未満のところがHい。しかし、この情を本社に説uできるかどうかが日本法人社長の腕にかかっている。インフィニオンジャパンには200@の業^がおり、トヨタUのティア1サプライヤであるデンソーや、ホンダUのケイヒンなど_要な顧客とパートナーをeつ(図2)。そのプレゼンスは徐々に高まっており、]に関しても日本のサプライヤ約20社から]やウェーハなどをQ間400億ほどP入している。昨Q10月には\術開発拠点となる「東Bテクノロジーセンター」を新設し、これまでの管理に加え、ADASや噞モータU御\術の開発も行う。

図2 Infineonの日本の顧客やパートナー

図2 Infineonの日本の顧客やパートナー


Infineonの咾澆浪燭噺世辰討皀僖錙屡焼。ディスクリートだけではなく、ドライバICやIGBTモジュール、パワーICであるIPM(Integrated Power Module)でも世cの頂点に立っている(図3)。このパワーICをより咾するため、冒頭で述べた積極的に投@する。パワー半導のこれからのx場はやはりクルマ。Z載分野では、NXP Semiconductorにき2位であるが、もちろんトップを狙う。


2017念にはパワー半導x場のリーダーとしての位けをさらに啣

図3 Infineonはパワー半導の4つのx場でいずれもトップ 出Z:Infineon Technologies


パワー半導で世cをUするほど咾い里蓮Cool MOSと}ばれるX効率の良いパワーMOSFETやIGBT(Integrated Gate Bipolar Transistor)、GaN on Si、SiCと、耐圧、電流容量でさまざまなを揃えているためだ。しかもC積のjきなパワー半導をj量に使う場合にコスト的に~Wな300mmラインを揃えている。これまで、パワー半導のx場模はそれほどjきくはなく、300mmラインをeつ半導メーカーはInfineonだけである。

ところが、2021QごろからSiCやGaN on Siなどの高効率なパワートランジスタが世c的に立ち屬りそうになっている。いわゆるEV化だ。EVは来の内\エンジンZと比べ半導消J量が2倍にもなり、半導のコストは内\エンジンでは1当たり370ドルだが、EVになると750ドルになるという予[がある。また、中国のように国を挙げてEV化を進めている国では合弁会社を作り、膿覆靴討い。欧Δ任癲▲疋ぅ張櫂好DHL社は、8000のEV商Zを使っており、Volkswagenは2020Q以Tに最j踉{`550kmのEV社を発売する予定である。

さらに陵杆発電機や風発電機には直流から交流への変換にIGBTが使われ、さらにEVの充電ステーションでは、200kmの走行に要な電をわずか7分で充電できる350kWの]充電ステーションにもパワー半導が使われる。ロボットの}Bを動かすのにもパワー半導が要で、AI(人工Α謀觝椶龍働ロボット開発も始まっている。パワー半導のx場は、広がっているようだ。

SiC半導のx場模として、2016Qから2021Qまでの5Q間は、CAGR20%で成長するが、2025Qまでの10Q間は23%で成長すると、x場調h会社のIHSは予[する(図4)。この成長加]に△┐董SiCの]ラインをて6インチ化に向かう。また、Siltectra社をA収したことで、極めて硬いSiCインゴットからウェーハを切り出したり、プロセス処理の済んだウェーハを薄くグラインド研磨したりする場合に威を発ァするCold Split\術が入}可Δ砲覆蝓SiCの処理時間を]縮するのに~効だ。SiCT晶メーカーはeっていないが、複数のT晶メーカーと調達契約をTび、サプライチェーンを確保した。


SiCソリューションを採するアプリケーションがますます拡j

図4 SiCパワー半導のx場拡j予[ 出Z:IHS Markit


東Bテクノロジーセンターでは、iMOTIONと}ばれるマイコンを組み込んだ電変換にソフトウエアでカスタム化を図るほか、レーダーの開発、不良解析と保証も行う。4月から本格化させ、システムレベルの顧客へのソリューション提供をはじめ、研|開発の日本のX口となり、デザインインを耀uし、顧客との深い関係を構築する。

(2019/03/27)
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