��二次調�h��(sh┫)法
研�|テーマ「LSIの微細化はいつ�Vまるのか？」と、世�cのリソ・キーパーソンのリストを携えて、筆�vは、2007�Q7月16日から、世�c�k周調�h旅行に出発した。��行��48日間、日本を出発した後、カナダ→�盜顴�ブラジル→欧�Β�インド→東南アジア→中国→��湾と調�hを��け、9月2日に帰国した（図7）。この間、13カ国で、合��40社を訪問し、ヒアリングを��行した。

��二次調�h�T果
図8〜11に��す��問について、2007�Q2月SPIEから世�c�k周終了の9月まで、ヒアリングで�uた�v答を時�U�`的にグラフ化して見た。図8の横軸は、ある�k人のリソ・キーパソン（�k�陝▲妊丱ぅ攻\術�vも含まれる）が�v答した日��を��す。また、�靴ぅ弌爾��盜饋諭��Eいバーが日本人、黄色いバーが欧��人、�u色のバーがアジア人を��す。

2007�Q2月のSPIE時点に�瓦靴董△修海�ら半�Q経�圓靴�2007�Q7−9月時点では微細化の限�cが�j(lu┛)きく�P�tしていることがわかる。ロジックLSIの限�cは、2007�Q2月時点で45‐32nmだったが、2007�Q7-9月時点では22‐10nmになった。

メモリーLSIの限�c（図9）も同様に、2007�Q2月のSPIE時点で32‐22nmだったが、2007�Q7−9月時点では22‐10nmになった。図8と9の二つに��問に�瓦靴董���筆すべき�v答としては、ファンドリーの最�j(lu┛)�}メーカーで、「�Jにhp22nmの�\術開発は済んでいる。現在h(yu┌n)p16nmを開発している。限�cはhp10nmぐらいになるのではないか？」と発言した�\術�v達がいた。また、彼等に、���k次調�h�T果の図1および図2を見せると、「LSIの限�cが45nmとか32nmとか、どこの誰が、そんな（間�sけな）答えをしているのか？」と�j(lu┛)笑いされた。

このコメントからもわかるように、このファンドリーの微細加工�\術は、他国および他社と比較しても、��常に進んでいるように感じられた。また、ファンドリー�\術�v達の、「22nm〜16nmの微細加工�\術を開発している」という発言は、�T味深長であり、�_い。なぜなら、彼らファンドリーは、ファブレスからの依頼がなければ闇雲に微細加工�\術を進める��要がないからである。その彼らが、22nmを完了し、今や16nmに�Dり組んでいるという。つまり、16nmの微細加工を��要とするLSIのビジネスが、�Jに�T在している可��性があるということだ。

では、彼らファンドリーは、22nm〜16nmの微細加工を行うための露光����としては、何を�[定しているのだろうか？

2007�Q2月のSPIE時点では、リソ・キーパーソン達の�T見は割れていた。そこから半�Q経�圓靴�2007�Q7−9月時点では、ほとんどの�T見がOtherになった。����的には、「�\術的にできるかもしれないが、タイミングが間に合わない」、または、「できたとしても、1世代しか使えない。そんな����や�\術を開発する�T味がない」と言うコメントであった。

2007�Q2月のSPIE時点では、リソ・キーパーソン達の�T見は悲�菘�(Impossible)であった。そこから半�Q経�圓靴�2007�Q7−9月時点では、ほとんどの�T見が”できる（Possible）“に変わった。図8および図9に��したように、わずか半�Q間で、ロジックLSIとメモリーLSIの限�cが�P�tしたのは、EUVLの量�僯��性に期待が�eてるようになったからだと推�Rできる。この半�Q間に何が��きたのだろうか？

�i出の�K崎��によれば、次の��つのトピックスがあったとのことである。
1)2007�Q7月、日本で開��されたEUVLの国際シンポジウムで、サイマーが、LPP(Laser Produced Plasma)��(sh┫)式の光源で、実��化レベルに�Zい100Wの出��を達成した(�R1) 。
2)�盜�AMDが、�盜�AlbanyのCNSE(College of Nanoscale Science and Engineering)に設��してあるASMLのEUVL露光����（ADT：アルファ・デモ・ツール）を使って、LSIの試作に成功した(�R2)。
3)日本のコンソーシアムである半導��先端テクノロジーズ(Selete)が、ニコンのEUVL露光����EUV1を使って、hp30nm以下のパターンを実現した。

これらのトピックスから、EUVLの量�橑��に�瓦垢覺�待感が膨らみ、微細化の限�cが�k挙に進�tした。その�T果、世�cのリソ・キーパーソン達の集合�T識が、EUVLの性�Ω堕cまで（hp10nm辺りか？）微細化できるというものに変化しつつある。

経済的な限�cは？
�\術的なブレークスルーが連��的に発表されるようになり、��るい�t望が見えてきたEUVLであるが、経済的な問��が�T在する。EUVLの量�咁が実現したとしても、その価格は100億���Zくなると噂されている。果たして、100億��の露光����をずらりと並べたLSI工場で、ビジネスの採�Qが合うのだろうか？�\術的に可�Δ砲覆辰燭�、価格が高すぎて使えない、つまり、経済的な問��が、微細化の限�cを��定することにはならないのだろうか？

この問��の答えの�kつは、�i出の世�c最�j(lu┛)�}のファンドリーの�\術�vが��してくれた。「EUVLが1��100億��？　問��ない。その答えはギガファブだよ。月�捓10万��のギガファブならば、1��100億��のEUVLであっても、ノープロブレムだ」。

こうして、世�cの半導���噞は、EUVL &ギガファブの時代に突入するのであろうか？日本半導���噞はどう�官�するのか？半導��先端テクノロジーズ(Selete)およびニコンが開発しているEUVL露光����を、実際に導入して、LSIを量��する日本半導��メーカーは、本当に�T在するのだろうか？今後も、微細化の行��(sh┫)から�`が�`せない。

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�R1：実際には、Cymerのデータは、バーストモードと�}ばれる�]時間(1ms)の�T果であった。運転時間に��める発光時間の割合は�爐�5%であり、��って、平均出��に換�Qすると5Wにしかならなかった。しかし、それでも、�j(lu┛)きな進�tであった。

�R2：hp45nmで設��されたLSIのメタル���k層（M1）を、EUVLで露光しただけであるが、“実際に使った”ことが�j(lu┛)きなインパクトとなった。