��発なSiCパワー半導��：�T晶新工場の建設、MOSFET企業の�A収
SiCデバイスがようやく立ち�屬�ってきた。��(sh━)onsemiがニューハンプシャー�Ε魯疋愁鵑�SiC�T晶ブール（Siのインゴット相当）�攵�の新工場を設立、開所式を行った（図1）。��(sh━)商��省のジーナ・レモンド国��長官も出席するという��の入れようだった。また、GaNデバイス�x場で最�j(lu┛)�}のNavitasがSiCメーカーのGeneSiC Semiconductorを�A収した。
図1 onsemiのSiC�T晶���]新工場テープカット レモンド商��長官（中央ピンクの洋�K）と�峅識〃Q2�@ずつが参加 出�Z：onsemi
SiCは高耐圧と低オン�B�^を両立させられることから、EV（電気�O動�Z）だけではなく、EV���]充電�_(d│)や再�擴��Ε┘優襯�ー設�◆壁���やソーラーなどの発電機や蓄電池設�◆砲任��L(f┘ng)かせなくなっている。現在のSiCのTAM（Total available market）�x場は2021�Qの20億ドルから26�Qには65億ドルへと��成長するとonsemiは見ているが、調�h会社や企業によってバラつきがある。Infineon Technologiesの���Q報告のプレゼンテーション�@料中ではTAMは11.37億ドルというYole Developpementの�@料を紹介している（図2）。
図2 Yole DeveloppementとInfineon TechnologiesがみるSiC�x場は2011�Qに11.37億ドル 出�Z：Infineon Technologies
パワー半導��とセンサに��(d┛ng)いonsemiは、これまでシリコンのIGBTにフォーカスしてきたが、昨�QSiC�T晶やサファイヤ�T晶を�}�XけているGT Advanced Technologiesを4億ドルで�A収、SiC�T晶供給不?sh┤)Wを解消した。今�v、�A収したGTATの工場を拡張し、�攵��ξ�を5倍に�\�j(lu┛)、工場の��業�^も4倍に�\やすとしている（参考�@料1）。�攵��ξ�の拡�j(lu┛)により、今後3�Q間で40億ドルの売�幢Yを約�Jする、と8月�崕椶乏�かれた���Q報告の中でonsemiは述べている。パワー半導��トップのInfineonが2020�Q代半ばには10億ドルの売�幢Yが見えてきた、と表現することとは�款氾�だ。
Onsemiは、SiC�T晶作��のための炭化シリコン�g��やグラファイト材料、SiCデバイスをパッケージングする材料まで、SiCデバイスに��要なサプライチェーンを��て揃える。立ち�屬�り始めたSiCデバイスやモジュールなどのソリューションに�官�する。
今�vの工場開所式にはレモンド長官をはじめ、��(sh━)国議会の�岷ゝ剃^が2�@と下院議�^2�@も参加しており、onsemiと��(sh━)国議会が半導�����]に��を入れていることがわかる。もちろんonsemi�笋�CEOのHassane El-Khoury（ハッサーン・エルコーリー）��(hu━)が先頭に立って案内している。先日発行されたCHIPs法案による���\金を当てにした新工場とみられる。
SiCと並んで化合�颯僖錙屡焼���として期待されているGaNは、Navitas SemiconductorとPower Integrationsが��(c┬)半数を��めているが（参考�@料2）、NavitasがSiCも�}に入れることになった（参考�@料3）。Navitasが�A収するGeneSiC Semiconductorは、SiC MOSFETをはじめとするSiC����を提供する��(sh━)国のメーカー。
Navitasは、GeneSiCの�A収により2022�Qの売�幢Yは2500万ドルになると期待する。����で保護された開発��を�eつGeneSiCと、世�c�Q地にマーケティングと営業���U(ku┛)を築くNavitasが協��することで、新会社はさらに成長するとGeneSiCの社長のRanbir Singh��(hu━)は見ている。
NavitasのGaNパワーICは、モバイル���]充電�_(d│)に使われ、効率の良さから充電�_(d│)の小型化に貢献している。PMIC（パワーマネジメントIC）に��(d┛ng)いPower Integrationsと並んでGaNではトップを行くが、GaN�x場はまだ小さい。SiC�x場ももちろん小さいが、インフィニオンテクノロジーズジャパンのIPC��業�靆腓蓮∨蓊Q倍々で�Pびている、と表現する（参考�@料4）。GaNもSiCもようやく立ち�屬�り始めたといってよいだろう。
参考�@料
1. "onsemi Celebrates Expansion of Silicon Carbide Production Facility in New Hampshire", onsemi (2022/08/11)
2. 「GaNパワーデバイスの世�cランキング、トップはNavitas社」、セミコンポータル (2021/10/06)
3. "Navitas Semiconductor, Industry-Leader in Gallium Nitride Power ICs, Announces Acquisition of GeneSiC Semiconductor, Silicon Carbide Pioneer", Navitas (2022/08/15)
4. 「オン�B�^7mΩまで削��(f┫)した1200V のSiC MOSFETをInfineonが開発」、セミコンポータル (2022/04/21)
