パワー半導の槐vInfineonが語る、これからのパワー業に要なもの
在日ドイツ商工会議所が主し、インフィニオンテクノロジーズジャパンが企画局となっている日独オクトーバー\術交流会(通称オクトーバーテック)が開された。Infineon TechnologiesのCMO(チーフマーケティングオフィサー)でありD締役会メンバーでもあるAndreas Urschitz(図1)が基調講演を行い、パワー半導世cトップの実の理yがわかった。

図1 OktoberTech Japan 2023の基調講演v;@古屋j学のW野浩教b(左)とInfineonのAndreas Urschitz CMO() 出Z: インフィニオンテクノロジーズジャパン
Infineonの進むべきOは極めて確だ「気t変動、地球a暖化はかつてないほどのスピードで進んでいる。社会、経済、すべてがエネルギーを使い、それも化石\料をj量に消Jしてきた。このa暖化をらせることができるものは革新的な\術しかない。イノベーションはシステム設からソフトウエア、半導、そしてOEMなど、さまざまな分野や機Δ魏切って互いにコラボレーションしなければ実現できない」と同は語り、「インフィニオンジャパンがオクトーバーテックというプラットフォームを考案した。このプラットフォームをエコシステムに提供すると、みんなが\術を共~できるようになる。オクトーバーテックをすることでインスピレーションが湧き、イノベーションのパワーをuることができる」とオクトーバーテックのTIを語った。
今vのオクトーバーテックでのテーマは、「脱炭素(Decarbonization)とデジタル化(Digitalization)をk緒に推進」である。基調講演の後のパネルディスカッションでも、InfineonのPower &Sensor Systems業陬廛譽献妊鵐箸Adam White(図2)は、「欧Δ凌覆爐戮妓はまず脱炭素化に向いている。来の化石\料から風やソーラーの再擴Ε┘優襯ーにシフトしていくことが求められており、Infineonは再擴Ε┘優襯ー向け半導を提供していく。それだけではない。これらインフラU以外にも消J電の削には、アダプティブ充電をはじめ、サーバーやAI向けの電を下げるために機械学{データを~使して消J電を下げる要がある。日本をはじめとする国際協でこれを成し~げる」と述べている。
図2 Infineon TechnologiesのPower &Sensor Systems業陬廛譽献妊鵐箸Adam White 出Z:筆v撮影
デジタル化が消J電の削に寄与することの例も挙げている「例えばスマートビルディングでは、センサ、例えばレーダーのイメージング\術をWすると、隹阿鵬真佑い襪がわかり、人数がればO動的に室aを下げる。また、陵杆がAめから指してきた時はO動的にブラインドを下げるなどのテクノロジーを提供する」(White)。
これらの言から、Infineonはパワー半導の売幢Yが世cのトップを行くが、パワートランジスタだけを設・]しているわけではないことがわかる。パワートランジスタを~動するためのドライバICやドライバICに指令を出すためのマイコンなどもパワートランジスタとセットで使われる。Infineonが咾い里、マイコンからアナログのドライバIC、パワートランジスタとワンストップで提供できる点だ。パワートランジスタを使うシステムを^瑤靴討い襪らできることだ。
今vのオクトーバーテックのもうk人の基調講演vである、ノーベル賞p賞vで@古屋j学未来材料・システム研|所未来エレクトロニクス集積研|センター長のW野浩教bは、「人間でいえばパワー半導は}Bだから、頭N(マイコンやCPU)もk緒に開発すべき」と述べている。頭NとなるU御霾ではマイコンのCPUだけではなく機械学{(ML)も集積するチップの_要性についてもWhiteは触れており、今後InfineonがエネルギーU御のためのAI/MLをチップに載せてくる可性は科ある。
さらに、マイコンのようにCPUをベースにするコンピュータではソフトウエアはLかせない。顧客の欲しい機Δ鯆鷆,垢襪燭瓩縫愁侫肇Ε┘△鯊靴┐襪海箸当求められる。そして、マイコンにデータを送るためのA-Dコンバータ、センサやその信、鮟萢するアナログICもセットで要になる。Infineonはセンサにも咾。これらのシグナルチェーンを構成する半導をどれだけ提供できるかで、パワー半導のM負がまる。
このようなシグナルルチェーンだけではなく、パワー半導笋らのインテリジェント化、すなわちパワーICも提供する。さらにパワー半導そのものをシリコンのIGBTだけではなくSiCやGaNも揃えている。SiCはもともとB都j学の松S弘之@誉教bが開発した半導だが、ロームとInfineonが松S教bに教えを个の匹ぐにつけた。
k口にパワートランジスタといっても、コスト効率の良いシリコンIGBTや高耐圧のSiCのパワーMOSFET、さらに高]のGaNのパワーHEMTなどの|類があり、それぞれがuT・不uTをeつ。SiCやGaNは次世代半導ではなく、シリコンIGBTと共Tしていく。Infineonはやや弱いGaNに関しては、カナダのGaN SystemsとA収で合Tしていたが、10月24日にA収完了を発表した。これにより、どのようなパワー半導でも提供できるようになった。