HBMの成功の次はNANDフラッシュへ、と成長へT気込むSK hynix
SK hynixは、次世代スマートフォン向けのストレージとなるNANDフラッシュの新格Zoned UFS(あるいはZUFS 4.0)を開発した。エッジAI向けのストレージとして、2024Q3四半期に量する画である。経時劣化を改良し命は40%長くなるという。SK HynixはHBMの成功にき、NANDでもAI応メモリでの成長を狙う。

図1 SK hynixの次世代スマホNANDフラッシュのZoned UFS 出Z:SK hynix
hynixが開発したZoned Universal Flash Storage(ZUFS)は、データを効率よく管理するNANDフラッシュ。OS(Operating System)とストレージ間のデータ転送]度を最適化し、エッジAI向けに開発した\術だという。UFSはk般的なカメラやスマホなどに採されているNANDフラッシュに使われている格。
ZUFS\術は、性に応じてデータを異なる覦茲吠類し格納する\術。来のUFS\術とは違い、同様な`的と頻度のデータをグループ分けして別々の覦茲乏頁爾垢襪海箸如▲如璽薪樵]度を屬押⇔磴┐丱好泪曚らkつのアプリを走らせる]度を、長い期間Wすると約45%]縮するという。同じメモリセルへの書き込み(W)読み出し(R)をcけられるため、WRの繰り返しによる劣化を4倍以峅できるとして、命が40%Pびるとしている。
同社は、この\術を收AIがブームになるiの2019Qから世c的なプラットフォームサービス企業と共同開発してきており、その顧客と共にZUFS 4.0の格をJEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)Yとして認証されたとしている。
巨jテック企業は、Oiの收AI\術を搭載したデバイスにRしているため、もっといろいろなメモリのI肢を望んでいる、とSK hynixのN-Sコミッティ委^長であるAhn Hyunは語っている。さらに、j}ICT企業とより喇wなパートナーシップを築き、適切な時期に要求を満たす高性ΔNANDソリューションを提供することによって、グローバルなAIメモリメーカーとしての地位を喇wにしていく、と咾くTを述べている。