TIが会�塙�場でGaNを�攵凮始、Infineonは厚さ20µmの300mmウェーハ�\術
パワー半導���\術が��発になっている。Texas Instrumentsは、テキサス�Ε瀬薀更�場に加え、日本の会�塙�場でもGaNパワー半導��の工場を�n働させたことを発表した。ダラスのGaN��1工場だけでなく会�箸���2工場がフル�攵�するようになると�攵��ξ�は4倍になるという。またInfineon Technologiesは厚さがわずか20µmのSi 300mmウェーハを使える�攵�を構築した。
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