» セミコンポータルによる分析 » �噞分析
![�櫂侫．Ε鵐疋�3社が半導�����]サービスの�p�R�耀u��発に](/assets_c/900px/220809-usfoundries.png "�櫂侫．Ε鵐疋�3社が半導�����]サービスの�p�R�耀u��発に")
半導�����]が弱��化していた�盜颪妊侫．Ε鵐疋螢咼献優垢��i向きに動き出した。Intelのファウンドリ�靆腓���湾MediTekにファウンドリサービスを提供することで合�Tした。�櫂潺優愁��Δ�SkyWater Technologyがインディアナ�Α�Purdue（パデュー）�j学と共同で半導�����]工場を建設する。GlobalFoundriesはSTMicroelectronicsと共同でFD-SOI新工場をクロルに設立することで合�Tした。 [→��きを読む]
LTEや5G基地局向けの通信機�_メーカーであるNokiaが独�Oのシリコンチップを開発していることをすでに報じていたが（参考�@料1）、独�Oチップをさらに高集積化・微細化を進めることが��らかになった。通信機�_は�_く20〜30kgもあるが、独�Oチップを使うともっと�j容量で、もっと軽くなる。独�Oチップで通信機�_を進化させることが同社の狙い。 [→��きを読む]
IBM Researchは、東�Bエレクトロンとパートナーシップを�Tび、�櫂縫紂璽茵璽��Δ離▲襯丱法爾砲�いて共同で300mmウェーハ同士を接��するための3D-ICスタック�\術を開発したとブログで��らかにした。3D-ICは、TSV（through silicon via）�\術で2��以�屬離ΕА璽脇瓜里鮴橙�して3次元的に集積する�\術。薄いウェーハを容易に�Dり扱えるようにした。 [→��きを読む]
Boschの300mmウェーハのドレスデン工場にはEUとドイツ���B、ザクセン地�杵��Bの3�vの�мqがあったことを��らかにした。「イノベーションを達成させるためには投�@が��要」と同社会長のStefan Hartung��は述べる。2021�Qは売り�屬欧�8%に当たる61億ユーロ、22�Qは70億ユーロを研�|開発に投�@する。Boschは新半導��時代に向けた投�@戦�Sを��らかにした。 [→��きを読む]
Macパソコン向けのSoCの新チップ「M2」が新型ノートパソコン「MacBook Pro 13"」と「MacBook Air」に搭載された。最初の独�O開発チップであるM1と比べMacBook Proは39%高性�Δ如�Airでは20%高�]である。内��GPUはM1よりも25%も高�]で、CPU�O身はM1よりも18%高�]だとしている。M1よりも25%�Hい200億トランジスタを集積している。 [→��きを読む]
日本電��は半導��ソリューションセンターを設立、半導��の調達、開発の両�Cから�O社の半導��戦�Sを��らかにした。最�Z同社に入社した、ルネサスの�Z載��業のトップを経て、ソニーの�i執行役�^も経�xした執行役�^の�j��隆司��がプレゼンを行い、半導��メーカーを�A収する・内��化するといったうわさを�k蹴、日本電��の戦�Sを��確にした。 [→��きを読む]
ルネサスエレクトロニクスは、�冤�県甲�Bにある空っぽの建屋を改�]し300mmウェーハの�攵�ラインを作ることを発表した。元々甲�B工場は150mmと200mmウェーハの�攵�ラインの工場であったが、工場の売却先が見つからず、2014�Q10月に閉鎖された。半導��不�Bがまだ解消されないこの折、ここに半導���攵�ラインを作ることを��めた。 [→��きを読む]
通信インフラ�U機�_�j�}のNokiaが東�B六本�vの先端�\術センターにローカル5Gテスト局を開局した（図1）。同社がローカル5Gを実�xできる試�x局の免��を�D�uしたことで、ローカル5Gの実証実�xのプラットフォームを提供する。Lab as a Serviceと�}んでいる。そこには通信機�_をはじめ、機�_を操作するコンピュータとソフトウエア、サービスなどを揃えている。 [→��きを読む]
医薬��や化学薬��に�咾ぅ疋ぅ弔�Merck社は、日本の電子材料分野に1億ユーロ（約135億��）を2025�Qまでに投�@すると発表した。��に日本は、半導��が�咾ぼf国と��湾に�Zい国であり、�_要な拠点だと同社は位��づけている。1億ユーロは半導��とディスプレイ材料に投�@する。Merckは半導��プロセスに使われる材料をほぼカバーしているという。 [→��きを読む]
デンソーと、��湾UMCの日本子会社であるUSJC（United Semiconductor Japan Co., Ltd）は、USJCの300mmウェーハプロセスラインを使ってパワー半導��の�k�|であるIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）の�攵�を行うことで合�Tに達した。USJCの工場内にIGBTの専��ラインを新設し、2023�Q�i半に量��する��画だ。 [→��きを読む]
<<�iのページ 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 次のページ »
