SamsungファウンドリとAmkorが2.5Dパッケージ\術を共同開発

Samsungのファウンドリ靆腓最j6個のHBM(High Bandwidth Memory)メモリとプロセッサやSoCを2.5D(2.5次元)で集積するパッケージング\術をAmkorと共同で開発した。半導ユーザーがデータセンターやAI、HPC(高性Ε灰鵐團紂璽謄ング)、ネットワークへ参入するのをмqする。 [→きを読む]
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Samsungのファウンドリ靆腓最j6個のHBM(High Bandwidth Memory)メモリとプロセッサやSoCを2.5D(2.5次元)で集積するパッケージング\術をAmkorと共同で開発した。半導ユーザーがデータセンターやAI、HPC(高性Ε灰鵐團紂璽謄ング)、ネットワークへ参入するのをмqする。 [→きを読む]
5G通信が光ファイバ並みのデータレートを提供できることから、光ファイバに代わる家庭w定ワイヤレス要でjきくPびている。日本でもT外と要が期待されており、家庭やモバイルの5Gルータ要を見越し、湾MediaTekは5G向けチップセット「T750」をリリースした(参考@料1)。すでにNECプラットフォームズが採した(参考@料2)。 [→きを読む]
OSATメーカー世c2位のAmkorが2億〜2.5億ドルを投@、ベトナムのバクニン工場を拡張すると発表した。昨今の半導不Bおよび、半導ビジネスの拡jをにらんで工場の攵ξを拡張する。にハイテクのSiP(システムインパッケージ)のアセンブリとテスト工のサービスを提供する。 [→きを読む]
かつて世cの携帯電Bを配していたNokiaが通信インフラにを入れているが、このほど新型ネットワークプロセッサチップ「FP 5」を開発(図1)、通信基地局の消J電を下げると共にセキュリティも啣修靴拭@のネットワークプロセッサチップでは、性Δ眈嫡J電も満たされないからだ。 [→きを読む]
f国Samsungのファウンドリ靆腓3nmプロセスでGAA(Gate All Around)構]のMOSFETを基本トランジスタとして使うプロセスを2022Q嵌彰までに提供すると発表した。TSMCの基本ロードマップ、さらにIntelも20Åプロセスを発表したのにき、ればせながらSamsungも画を発表した。 [→きを読む]
ドイツInfineon Technologiesがオーストリアのフィラハに建設していた300mm完O動化の新工場をn働させた(図1)。9月17日(同日日本時間20時30分)にオープニングセレモニーを開、セレモニーの最後に、クリーンルームから完成ウェーハをeち出して~けけるというデモまで披露した(参考@料1)。300mmの薄いウェーハを攵するが、2022〜23QのEVや再擴Ε┘優襯ー要拡jを予[して建設した。 [→きを読む]
SiCパワートランジスタ(MOSFET)のx場がようやく立ち屬り始めた。パワー半導にを入れてきたonsemiは、SiCT晶メーカーであるGT Advanced TechnologyをA収、SiCパワートランジスタを貭湘合として攵する疑砲鮨した。またSiCのスタートアップであるUnitedSiCはすでにO動Zメーカーに納入していることをらかにした。 [→きを読む]
東Bj学は、学擇業動をмqするため、アントレプレナーシップ教育の寄講座を開設する。この講座は、経営共創基盤とKDDI、東Bj学エッジキャピタルパートナーズ、松_研|所が寄企業となり、著@業家などの講Iと、業会社(ダイキン工業、日本たばこ噞、サントリーなど)の社^を交えたフィールドワークを行う。10月7日から開始する。 [→きを読む]
Amazonのクラウドコンピューティング会社であるAWS(Amazon Web Service)がO社設の半導を拡jしている。最新版マイクロプロセッサであるGraviton 2に加え、機械学{のチップAWS Inferentia、ハードウエアセキュリティチップNitro Security ChipをクラウドでWしており、さらに学{チップAWS Trainiumを開発中だ。 [→きを読む]
かつて松下電_噞でビデオのA-Dコンバータを開発、2003Qに東B工業j学教bとなった松澤昭がIEEEソリッドステート靆腑疋淵襯鼻O・ペダーソン賞をp賞した(参考@料1)。半導LSIで~@なv路シミュレータSPICEを発したカリフォルニアj学バークレー鬚離撻澄璽愁鵝Pederson)教bにちなんだLSIv路の賞である。p賞式は来Q2月のISSCC(国際wv路会議)で行う。 [→きを読む]
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