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��IDT（Integrated Device Technology）社は、かつて微細化を優先、そこに価値を�eたせた高�]SRAMのIDM（�貭湘�合半導��メーカー）だった。昨�Qからファブライト戦�Sを�]ち出し、今�Q��にはオレゴンの工場を売却し完��なファブレスを�`指す。アナログを�啣修靴織ぅ鵐拭璽侫А璽紅焼���をコア�\術として�eつメーカーへと脱皮する。 [→��きを読む]
�櫂謄�サス・インスツルメンツ（TI）社は、�盜颪離▲淵蹈鞍焼���メーカーの�鬩F、ナショナルセミコンダクター社を総�Y65億ドルで�A収することで��式契約した。TIによると、この�A収は、両社の�D締役会において��会�k致で�R認されたとニュースリリースでは述べている。 [→��きを読む]
水平分業と、�u�T分野の�啣修海宗�他社を寄せ��けない圧倒的な��になる。半導��メーカーとしては日本の�j�}よりもずっと小さなファブレス半導��や機�_メーカーが�O分の�u�Tな�\術をソフトウエアに落として、限られた�x場だが�jきなシェアを収めようとしている。 [→��きを読む]
半導���噞における地震被害の実��が少しずつ判��してきたと同時に、被�u�v�мqを行う��動も半導��エレクトロニクス�噞から�擇泙譴討�ている。操業を開始した半導��メーカーも現れた。 [→��きを読む]
![TIの美浦工場の被害は相当�jきく、再�n働は最�]でも5月になりそう](/assets_c/900px/110315-timiho.png "TIの美浦工場の被害は相当�jきく、再�n働は最�]でも5月になりそう")
�櫂謄�サス・インスツルメンツ（Texas Instruments）社の日本における工場の�kつ茨城県稲敷郡美浦��にある美浦工場が今�vの東��地���諒人硫�地震の影�xにより相当の被害を�pけたことを��らかにした。半導��工場の被害�X況を����的に調べ、いつ�v復できるかを��したのは地震が��きて以来、これが初めてである。 [→��きを読む]
英国は国を挙げてワイヤレスとモバイルビジネスを�мqし、�擇泙譴憧屬發覆ぅ戰鵐船磧爾���業家たちを勇気づけている。3GSM Congressという�@称からスタートしたMobile World Congress（MWC）では、開��当初からUKパビリオンを設��、�O社でブースを出すほどの�@金��のないベンチャーをここに集めてきた。 [→��きを読む]
福�K県および福�K先端システムLSI開発拠点推進会議、九�θ焼���・エレクトロニクスイノベーション協議会が主��するシリコンシーベルトサミット福�K2011において、IBMフェローでありIBMシステム&テクノロジーグループのJohn Cohn�F士は、その��別講演の中で、理�U�`れを食い�Vめるためのソリューションを提案した。 [→��きを読む]
3GからHSPA（high speed packet access）、HSPA+へと進みLTE（long term evolution）の世�cが開かれることは疑いのない��実になってきた。逆に、このMWC2011でLTEだけの発表はもはやニュース価値はなくなってきた。�k�機�端��はどうか。アップルがiPhone5をリリースするかと思われたものの発表はなかった。新しい端��の�妓�がアンドロイドであることは誰も疑わなくなってきた。新しい端��はもはやニュース価値はない。 [→��きを読む]
![NANDフラッシュの�j容量化と高�]化が進む背景にデジカメの動画化がある](/assets_c/900px/110207-sandisk.png "NANDフラッシュの�j容量化と高�]化が進む背景にデジカメの動画化がある")
�櫂侫薀奪轡絅�ード�j�}のサンディスク社は書き込み・読み�Dり�]度が最�j45MB/秒で、SD ver3.0仕様に��拠したUHS-Iインターフェースを�eつ8GB、16GB、32GBのSDカードを�k般向けに発売した。UHS（Ultra High Speed）-Iインターフェースは最�j104MB/秒の転送�]度まで�官�する��格。 [→��きを読む]
エルピーダメモリは同社の���Q発表会において、タブレットやスマートフォン向けの「モバイルDRAM」がコンピュータ向けのDRAMの�x場��模と同じ��度になることを期待している、と述べた。アイサプライは、メディアタブレット向けのDRAM��要が9倍に�\えると発表した。 [→��きを読む]
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