���B中科信電子���≪~限�o司の孫勇副総経理は、「企業が革新の主��であり、�M��的な革新こそ衰��期に陥ることはない」と��している。中国の半導�����]����メーカーは、�J�Tの���]����に基づいて、新しい�\術や新しい��識を����して、中国����の����・性�Δ鯑�々革新してきた。

　今�v、100nm の�j角度イオン�R入����の開発に成功したことで、これまで�L外勢に独��されていたハイエンド半導�����]�����x場に参入することが可�Δ箸覆蝓�中国の半導�����]�����噞を向�屬気擦拭�また、現�X0.18um から0.13um、90nm へと�々圓垢觝櫃法�中国��半導�����]����の�W��が実現できた。孫副総経理によると、この100nm�j角度イオン�R入����は、すべて�O�iの�\術を��いて、初の中国��8 インチイオン�R入����の���]が実現、初めて中国��イオン�R入����による�j量�攵�とテストが成功、イオン�R入����の���O動コントロール機�Δ�実現・・・など。

　���B�D星華創電子の微電子設�∋匆饉辧��r金竜総経理によると、�O社の半導�����]����の�\術革新により、PECVD 設�△粒�発に成功したという。同社は、薄膜関連の���]�\術と���]����に�Dり組んでおり、応��分野が��来のIC �噞から�陵枦澱喨�野へと拡�jしている。同社は、���]����を開発する際に、�L外����を専らに参考にし、世�cの�\術レベルと同等の����開発に�{い��いてきた。

　中国��の半導�����]����は、���吉�電子と���B中科信電子の��挙、そして中国の国家��策と�@金�Cの�Г┐砲茲蝓���なる進化と革新が見られる。

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