SPI主 半導エグゼクティブフォーラム・レポート(2)
東執行役崟幣、セミコンダクター社社長齋藤による「東の半導ビジネス戦S〜めの経営〜」の基調講演は、NANDフラッシュの戦Sへとく。以下、NANDフラッシュ、システムLSI、ディスクリートのQ戦Sについて述べている。
コスト争啣
徹fしたコスト削による争啣修伴益確保が_要である。このためには、他社に先行した微細化がキーだと考えている。現在は57nmであるが、43nmは今月から出荷する予定だ。いて、3×nm、2×nmと次々と開発して行く。
また、H値化\術の開発を推進する。3ビット/セルは2008Q3月に量を開始し、4ビット/セルは現在開発を進めている。さらに、CRのスループット向屬_要だ。四日x工場の3]棟の攵ξは、15万/月であり、4棟を昨Qからn働させているが、4棟の攵ξは、3棟の1.4倍で21万/月になる。マーケットのX況により立ち屬歌未亙僂錣襪、2009Q中にフル攵ξになる予定だ。これにより、四日x工場では、合わせて37万/月の攵ξとなる。
しかし、今後のx況を考えるとこの攵ξではBりなくなると予[しているため、さらなる攵ξ向屬鮗画した。1Q議bしたT果、今vは5棟と7棟を同時に建設することになった。5棟は、四日xに、7棟は岩}に立てることを定した。ただしまだ時期は、確ではないが、これらの新棟は、2009Q春には工し、2010Qから攵したいと考えている。また、サンディスクとは、4棟まで共同攵をしたが、5棟もk緒に攵することがまっている。しかし、7棟に関してはまだ定はしていない。
このように、]攵ξを\やすことでさらなるコストをける。
屬凌泙蓮東の微細化のロードマップである。現在は、57nm、17GBが主流だが、次には43nm、32Gの出荷をそろそろ開始する。この図にすように、ロードマップ屬蓮74GBまでの線が引かれており、フローティングゲートタイプのNANDフラッシュで、そこまでは行けると思っている。
微細化だけでコストダウンができるかは分からないが、新設△砲録刑猯舛鯑Dり入れ、可Δ覆箸海蹐泙埜俊Xの\術で微細化する。今後フローティングゲートタイプの微細化はMしいかもしれないが、Q率50%のコストダウンに耐えられる\術を開発する予定である。
屬凌泙NANDフラッシュのアプリケーション別x場推,鮨す。現在NANDフラッシュのx場は、いろいろな分野で使われており、2007Qから2010QにおけるCAGRは133%のPびをしている。現在東は、デジタルカメラ、オーディオ/PMP、携帯電B、デジタルコンシューマ、USB、PCx場にR`している。また、内天織泪ぅロSDの要が\えて行くと予[している。マイクロSDは、USBにも、携帯電Bやオーディオに使え、さらにビデオレコーダの動画にも使われている。
さらに、もうkつのキラーアプリとしては、「SSD(wディスク)」が挙げられる。フラッシュを始めた時には、HDDをいつか越えたいと思っていたが、SSDでその`Yにもうk度チャレンジしたい。出荷の初期段階では、価格が高いため数量は少ないと思うが、2010Q頃にはリーズナブルな値段になり、低価格になればユーザーは使ってくれると思う。このことから、SSDには、2010Qで25%度のPびを期待している。つまりこの当時、携帯などが和Xとなり、SSDのx場が来ると予[している。
HDDと比較したSSDの徴は、_さが1/3、衝撃耐性は3倍、アクティブモードでの消J電は1/3、アイドルモードでは1/7である。SSDのWにより、バッテリの時間がびる(図5)。
SSDは、当初SLC(1ビット/セル)\術で開発していたが、最初からNAND\術をいている。現在は、32、74、128Gが出荷されている。書き込み]度は最j40MB/sであり、HDDの1から2倍の性Δ魴eち、読み出し]度に至っては100MB/sの高]化を実現し、HDDに比べ2.5から5倍の性差である。このような高]化により、Windowが、現在の1/3のスピードで立ち屬ることになる。
図6に、SSDモジュールの外菴泙鮨す。8段スタックしたBGAを8個並べることにより、127GBを実現した。チップをH層にする\術に徴がある。来のウェーハ作りから、ソリューションまで半導メーカーが提供する妓に軸Bが,辰討い襦
システムLSIビジネスでも先端\術
システムLSI業の戦Sは、下記である。
1)プロダクトポートフォリオの最適化による業拡j
2)\術先行性の維eと開発効率向
3)]の啣
先端\術の維eは_要であり、75nmの次に45nm、40nm\術を先行する。32nm以Tの世代では、IBMと共同基礎研|を行い、さらに他社とのアライアンスを組みながら攵\術に繋げていく。日本でのインテグレーションでは、NECエレクトロニクスと共同開発を行う。
]では、j分の300mmクリーンルームの攵ξの拡jを行い、後工は、L外へ拠点を,硬のアロケーションの最適化を図る。また、ソニー長崎との新たな協業U構築を行う。
システムLSI業における2009Qのビジョンは、世cx場でのトップ3入りを`指すことである。このためには、クリーンルーム攵ξの拡jが要であり、さらに、同時にRへの集中を行う。しかしながら、IDMモデルは今後も維eして行く。
Pばしたい\術の1つは、イメージセンサーである。現在この分野では世cx場でトップを維eしている。今までは、良いチップを作ることに専念し、かなり実がいてきた。しかし、イメージセンサーをいてカメラにするためには、モジュールにしなければならない。今までこのモジュール化は外陲鮠Wしていたが、そろそろ東内にDり組みたいと考えている。つまり、モジュールまで提供するCSCM(チップスケールカメラモジュール)を、東のクリーンルーム中でk]するのだ。
来モジュールは、ワイヤーでボンディングし、これにカメラをけていた。この]桔,両豺隋▲船奪]後にゴミの問が擇犬襪燭瓠△覆なかコストダウンができないという問があった。これを、楉夢韶で直接ハンダボールをけ、光学レンズも直けし、てクリーンルーム内で]を行うことでコストダウンと性Ω屬図られる。つまり、CSCMの徴は、クリーンルームでのk]とソケットが不要なため、コスト的にも~Wなことである。
先端SoCの主としては、「SpursEngine」だ。ソニーとCellを開発して来たが、このCellの\術をいて画欺萢や認識をリアルタイムで処理でき、この機Δ化した低消J電なチップを開発した。デジタル家電やPCの複合に搭載する予定である。
例として、「顔deナビ」をここでは紹介する。この機Δ蓮映汽灰鵐謄鵐弔涼罎僚弍蘿vの顔をO動的に抽出し、抽出された顔のデータをクリックするとその場Cから再擇任るアプリケーションである。映汽灰鵐謄鵐弔鮟萢すると、通常のプロセッサでは何時間も時間を要したが、SpursEngineをいると瞬時に処理ができることが徴だ。映欺萢に化したプロセッサだといえる。
j分工場の攵ξの拡jを`的として、ソニー長崎を約900億でP入した。今後は、32nmのプロセスが_要であり、JにIBMとの基礎研|を行っている。また、イーストフィッシュキルのIBMキャンプでインテグレーションを行い、日本ではNECエレクトロニクスとアライアンスを組んで量\術を確立している。そして、この32nmプロセスをj分や長崎にt開し、IDMとしての先端\術を確立して行く。
ディスクリートビジネスも主でトップへ
ディスクリートデバイスの業戦Sは、以下のとおりである。
1)業模の拡jと世cNo1シェアの維e
2)M的、W定的W益の創出
3)最適投@の実行によるタイムリーな攵ξの拡j
東は、ディスクリート分野では、世cNo1のシェアを維eしている。しかしながら、個々のデバイスの順位は3位や4位にVまっており、総出荷数量で1位の座をuているだけである。今後は、主分野で世cNo1を`指したい。
ディスクリートの分野では、新しい]を導入していなかった。しかし、昨Q加賀東に新棟を建設した。また、集中とIのk棖箸靴董後工はタイなどのL外に出すことをめた。
主としては、パワーデバイス、光デバイス、@ロジック、小信・妊丱ぅ垢任△蝓△海譴蕕鮴つcx場シェア1位にしたいと思っている。現在世cx場で8%のシェアだが、これを10%へeって行きたい。
加賀の200mm]棟は、現在5,000/月の攵ξだが、月7万までeち屬欧詬縦蠅任△襦
最後に、2008Qの業環境は厳しいと予[している。しかし東は、リーディングイノベーションを掲げ、W益ある成長を`指して進んでいる。先に挙げた3つの主分野において、IDMのを最j限に発ァし、最先端\術と攵ξ拡jの戦Sにより2010Q2兆を`指す。