2010Qの半導]・材料x場はjきくリバウンド、11Qは4%のPび
2010Qの半導]x場はjきくリバウンドしてきている。SEMIは、1Qiは]x場を53%\と見ていたが、今vは130%\とj幅に巨Tした。同様に半導関連材料も1Qiの15%\から24%\へとTした。jきくPばした地域は、f国の231%\、中国の248%\、湾の130%\と2倍以屬Pびをしたこところである(図1)。
![図1 SEMIが発表した2012Qまでの半導]の予R](/archive/editorial/market/img/MKT101202-02a.gif)
図1 SEMIが発表した2012Qまでの半導]の予R
SEMIが発表した2012Qまでの予Rでは、2010Qはj幅なリバウンドを見込んでいるものの、2011Q、2012Qは共に4%のPびにとどまる。に2011QのPびは湾の-10%というマイナス成長に引きずられ、のPび率を下げている。
別では、ウェーハ処理プロセス、テスト、組立およびパッケージングとして見た場合、2011Qにはプロセスは7%のプラス成長だが、テスターは-5%、パッケージングは-17%とマイナス成長になると見ている。これに瓦靴董SEMIの業cリサーチ統グループのDan Tracyは、アセンブリコントラクタの集まっている湾の影xをpけているためだろうと見ており、DRAMの価格下落見通しによる攵盋の低下向も反映している。
材料では、2010Qのリバウンドの後、2011Qに4.3%\、2012Qは3.1%\と緩やかな成長を~げると見ている(図2)。
図2 半導]材料のx場予R 出Z:SEMI
これはプロセス処理工に使う材料が2011Qに5.5%\、2012Qには4.3%\とPびるものの、後工の材料のPびが緩くなるからだ。シリコンウェーハは200mmから300mmへと世代が交代するlではなく、200mmも共Tしてしかも300mmとk緒に成長していくという長がある(図3)。
図3 200mmウェーハは300mmと共T成長していく 出Z:SEMI
200mmと300mmが共Tするのは、200mmウェーハがアナログICやディスクリート、MEMSなどの半導でPびていくからだ、とTracyは見る。
後工のPびが鈍るのは、主にボンディングワイヤーのx場だ。にj}半導デバイスメーカーはAuワイヤーからCuワイヤーへと切りえが進み、売り屬欧下がる、とTracyは言う。同によると2007QにCuワイヤーx場は2%だったが201Qに11%、2011Qには20%へとx場シェアはjきくPびて行く。Auワイヤーx場が縮むため、ワイヤーx場としては縮んでいくという。
図4 パッケージング材料x場の予R 出Z:SEMI
国別には、材料最jの消J国が日本から湾へとわっていく、とTracyは見ており、これはBGAパッケージを湾が\やしていくことと関係していると見る。