図1　世�cの半導���x場の予�R　出�Z：WSTS

2011�Qの地域別（図1）では�盜颪�8.2%、��いて欧�Δ�8.0%、アジア�諒人里�7.2%と高い�Pびを��したが、日本�x場は-6.2%とした。日本�x場だけがマイナス成長だが、震�uの影�xはそれほど�jきくはなく、日本����が世�cのビジネス構�]変革についていけなくて�Dり残されているとみている。というのは、世�cの統��はドルベースだから日本は��高の影�xでこれでもまだましなのである。2010�Qの為��は1ドル=87.7��で���Qしているが、2011�Qは82.3��で���Qしている。��ベースに換�Qすると、2011�Qは-12%にもなる。しかも、2010�Qから2013�Qまでの�Q平均成長率CAGRは世�c平均が6.1%で成長していくのに�瓦靴篤�本は��ベースで0.3%しか成長しないのである。ちなみにCAGRでの�盜颪�7.5%、欧�Δ�8.1%、アジア�諒人里�6.2%となり、日本はドルベースとしても2.5%にしか行かない。

ここでの�x場とは、半導������が販売された地域、とWSTSは定�Iしており、日本��･外国��を問わず日本の電子機�_メーカーに販売した所が日本�x場だとしている。つまり�L外�攵�が�\えれば�\えるほど、�攵�している地域の�x場が�jきくなる。このため、アジア�諒人里箸い辰討皀▲奪廛襪�iPhoneやiPadのように中国でEMS（コントラクトメーカー）に半導��を販売していれば、中国�x場が�\えるということになる。

図2　����別の半導���x場　出�Z：WSTS

2011�Qに����別（図2）で�Pびが�jきいのは、MOSマイクロの11.7%をトップにアナログが6.8%、ロジックは5.6%で、MOSメモリは-2.7%となっている。MOSマイクロはマイクロプロセッサ（MPU）やアプリケーションプロセッサと、マイクロコントローラ（マイコン）、DSPなどからなり、売�嵌耄┐虜任盻jきいのはプロセッサの68%、数量はプロセッサよりも2ケタも�Hいマイコンは23%、DSPは9%という構成比である。

2011�QのMOSメモリは-2.7%とマイナスだが、実はNANDフラッシュとDRAMの成長率が��く違うことに�R�Tしよう。フラッシュは15.5%成長だが、DRAMは-11.5%となりそうだ。これはコンピュータに搭載されるDRAM容量があまり�\えないためだ。��にパソコンは頭�]ちだが、タブレットやスマートフォンが���\するためである。32ビットシステムのタブレットやスマホは512Mバイトから1Gバイト��度が中心となっている。残念ながら、この成長�x場に日本の携帯機�_メーカーが出��れてビジネス機会を失っていることも日本の�k人沈みをよく反映しているだろう。