図1　NANDフラッシュ�x場におけるサムスンと東��の差　出�Z：DRAMeXchangeの数�C(j┤)を元に�氾弔�データを加工

ただし、最も差が縮まった2011�Q��1四半期の5800万ドル差にはまだ及ばない。�i�vの落ち込みは東日本�j(lu┛)震�uにおけるサプライチェーンの影�xによるものだろうが、�v復が早く、リベンジが始まったとみてよいだろう。

DRAMeXchangeによると、欧�Ε�リシアの債��問��と�盜颪虜���問��の影�xを�pけ、この7月〜8月は�p�Rが��(f┫)り、在�U��充による�p�R�v復が9月初めまでズレ込んだ。スマートフォンやタブレットのような�W定なOEM��要は別にして、メモリーカードとUSBメモリー�x場はこの7〜8月は弱含みだった。しかし、今�Qの�Q��商戦に向け、在�U��充��要が9月から始まり、NANDフラッシュの価格が�W定した。この��3四半期は、�j(lu┛)�}メーカーによるNANDフラッシュの平均単価（ASP）は�i四半期比で14%下がったが、ビット��要は同比で28%�\加した。この�T果、フラッシュ�j(lu┛)�}5社の合��売り�屬欧�9.6%�\加した(表1)。

表1　�j(lu┛)�}NANDフラッシュ5社の売り�屬殴薀鵐�ング　出�Z：DRAMexChange

�j(lu┛)�}5社のランキングでは、トップのサムスンの売り�屬欧�20億300万ドルで37.5%のシェア、2位東��は16億9200万ドルで31.6%シェア、3位のハイニックスは6億3300万ドルの11.8%シェアである。

サムスンはスマホとタブレットの�j(lu┛)�}OEMメーカーからの�p�Rがあり、2.3%�\と業績を�Pばした。ビット��要は�i四半期比20%�\だが、ASPは15%��(f┫)になり、�T局微�\に�里泙辰拭��x場シェアは�i四半期の40.1%から37.5%に落ちている。27nmと21nm����の�攵捓量を�\やし��けていくと同時に、新しいeMMCカードを開発しSSDカードの比率を�\やしていくとしている。

東��は�i四半期13億5700万ドルの売り�屬欧�ら��3四半期には16億9200万ドルに�\やし、�x場シェアを27.8%から31.6%に�Pばした。やはりスマホとタブレットメーカーからの��要と、カードメーカーからの��要がけん引した。東��も微細化を推し進め、24nmと19nmの����を�\やしていく。