図1　半導��シリコンウェーハの出荷総�C積　�e軸は��万平�汽ぅ鵐繊―儘Z：SEMI

発表されたシリコンウェーハには�陵枦澱咾牢泙泙譴討い覆ぁ�ウェーハメーカーから出荷された���Cウェーハとエピタキシャルウェーハを合��した数�Cである。バージンテストウェーハを含むが、テストウェーハ後に加工した再�W��ウェーハは含まない。純粋の半導��ウェーハが出荷された総�C積を表している。

ウェーハ�C積としては2010�Qがピークになっているが、今�Qは�C積ベースで4%成長すると仮定するなら、2010�Qのレベルを�sき�垉邵能jの�C積になる。��るい材料としては、2012�Qは�{�Jのマイナス成長だった中で、300mmウェーハの出荷�C積は�垉邵嚢皀譽戰襪肪�したとSEMI SMGのチェアマンのBrad Hong��は語る。

ウェーハの出荷金�Yは2012�Qに�i�Q比12%��の87億ドルだった。2011�Qのウェーハ�C積は�i�Qよりも��少したが、その販売�Yは2%�\の99億ドルと�Pびた。