図1　世�cのパワートランジスタ販売�Y　2015�Q以�Tは予�R　出�Z：IC Insights

最�Zの6�Q間、パワートランジスタ�x場は2008〜2009�Qのリーマンショックで落ち込んだ後、オーバーシュートとも言うべき2010�Qに43%�\の120億ドル、2011�Qにはさらに12.5%�\の135億ドルと��成長した。2012�Q、2013�Qはその反動でアンダーシュートが��こり、2�Q連��マイナス成長した。2014�Qに�v復し、さらに2015�Qも緩く成長すると見ている。

パワートランジスタは、元々�j電流を流してモーターやスピーカーなどのアクチュエータを�~動し、電源などにも使われる。このため、交通や電��インフラ�Uなどの����が�Hかった。��成長してきたスマートフォンやタブレットなどのモバイルデバイスなどとは��く異なる�x場��性を�eつ。例えば半導������の�x場は、リーマンショック後の�v復では2010�Qにオーバーシュート的に�v復した後はすぐにアンダーシュートが現れ、2013�Qごろから�v復が始まっていたが、パワートランジスタの�v復は約1�Q��かった。

メモリやプロセッサなどのデジタルICの動向からもこの先�jきく落ちるという見�気呂覆���実に成長することは間違いなさそうだ。このため、IC Insightsは2019�Qまでに緩やかな成長を見込んでいる。パワートランジスタの�x場として、�O動�Z、�c�據�工業機�_、無線通信などの�x場の��実な成長と共に、2014�Qから2019�Qまでの間の�Q平均成長率CAGR5.3%で成長すると予�[している。1994�Qから2014�QまでのCAGRは6.2%だった。

パワートランジスタは、ディスクリート半導��の中で、1994�Qに36%を��めていたが、この比率は徐々に高まり、2004�Qに51%、2014�Qには58%を��めるようになった。これは例えばオーディオアンプなどではIC化が進んできたことや、小信�･肇薀鵐献好燭覆匹�IC化で�Dり込まれるようになったことが�jきい。ただし、JEITAやWSTSでは、モーター�U御��にはパワートランジスタ2個あるいは6個単位のモジュールも、ディスクリートトランジスタの�J疇に入れている。

2015�Qのパワートランジスタ�x場の内�lは、パワーFETが6%�\の74億ドル、IGBTモジュールが8%�\の31億ドル、IGBTトランジスタは6%�\の11億ドル、バイポーラトランジスタは4%�\の8億9300万ドルになると同調�h会社は予�Rしている。