DRAMランキング、3位Micron(旧エルピーダ)は2位との差が開く
��湾の�x場調�h会社TrendForce傘下のDRAMeXchangeによると、2016�Q��1四半期におけるDRAM�x場は、�i四半期比16.6%��(f┫)の85億6200万�櫂疋襪膨祺爾靴燭犯�表した。DRAMメーカーのトップスリーは昨�Qと変わらず、Samsung、SK Hynix、Micron（旧エルピーダ）の順となっている。
表1 DRAMのトップ6社 出�Z：TrendForce
トップのSamsungはDRAM����の落ち込み率と同じ16.6%��(f┫)の39億7200万ドル、2位のSK Hynixは19.2%��(f┫)の23億1700万ドル、3位Micronは18.4%��(f┫)の15億8800万ドルと3社とも落ちた。元々��1四半期は�i�Qの��4四半期から数％低下するものだが、今�vは在�Uの�埔蠅�解��せず、このため価格も下落したことが�j(lu┛)きく低下した要因。DRAMeXchangeによると、中国でスマートフォンの����在�Uを�\やしておきたいという��要が少しあったものの、ノートパソコンとiPhoneの出荷が低下しているため、DRAMの供給�埔蠅麓�まらないという。
このような�X況だからこそ、��(g┛u)なるコストダウンの�}法として、Samsungは微細化して20nmプロセスの����を�\やす��(sh┫)針だ。トップ3社の中でSamsungが最も���]コストが�WいとDRAMeXchangeは見ている。Samsungはさらなる微細化に��を入れており、今�Qの半ばまでに18nmプロセスへシフトし始める予定だという。
SK Hynixは、2015�Qの��4四半期に21nmプロセスを始めたばかりで、今�Qの��1四半期は�攵癉ち�屬欧鮠�いできた。しかし、21nm����はまだ主要顧客のテスト段階に�里泙辰討�り、��1四半期の売り�屬欧砲蝋弩イ靴覆�った。
Micronも20nmプロセスを昨�Q��4四半期に始めたばかりで、パソコンとサーバー向けのDRAM����のテストを終えたが、まだ歩�里泙蠅��屬�らずコスト削��(f┫)には至らなかったと見ている。Micronは2014�Qの��1四半期はSamsungの次の2位だったが、2015�Q��1四半期にSK Hynixにわずか�sかれて3位に落ちた。今�Qの��1四半期は2位のSK Hynixとの差がさらに開いた形になった。
4位以下のNanya、Winbond、Powerchipなどはそれほど�j(lu┛)きな落ち込みはなく、しかもプロセスも30nm��という緩いプロセスを使っている。
参考�@料
1. Micron(旧エルピーダ)、モバイルDRAMでHynixに�`される (2015/08/18)
