図1　2017�Qの半導�����]����は36%成長　出�Z：SEMI

地域別では、�f国の設��投�@�Yが最�jで、�i�Q比132.6%�\の178億9000万ドルに達した。2番�`が��湾で126億2000万ドルとなっている。��湾は�i�Qも122億3000万ドルを投�@したため�Pび率は小さいが、金�Yは�jきい。��3位は�i�Qと同様、中国で17.5%�\の75億9000万ドルと��く。
　
ファウンドリとメモリがけん引しており、300mmの設�△枠�細化の先頭を切るファウンドリと、3次元の深い溝を形成、その溝を�mめる�\積�\術が��要な3D-NAND�\術が主となる。最�Zでは200mmウェーハ����も�rり�屬�りを見せているが、���]�����x場は300mmと200mmの比率は9:1で300mm����の�気�圧倒的に�Hい、とSEMIで�x場調�hを担当するDan Tracy��は述べている。また、この1�Qの半導��ブームは、供給不�Bに�Dるメモリ単価の値�屬�りによるものが�jきいが、���]����はファウンドリの投�@が�jきい。

設�∧未任蓮▲ΕА璽魯廛蹈札構萢������x場が最�jで、2017�Qは37.5%�\の450億ドルに成長しそうだ。組み立ておよびパッケージング�����x場は25.8%�\の38億ドル、テスト�����x場は22%�\の45億ドル、純水����や搬送����などの設�△筌ΕА璽��T晶���]����、マスク/レチクル���]などのその他の�i工������は、45.8%�\の26億ドルとみている。
SEMIは2018�Qも7.5%成長し、601億ドルになると予�[する。