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シリコンウェーハは2021Qまで実に成長、とSEMIが予R

2017Q〜2018Qはメモリバブルに浮かれて半導噞、]噞、シリコンウェーハ噞ともjきく成長したが、バブルははじけながらもシリコンウェーハは実に成長していきそうだ。こんな見通しをSEMIが発表した。

表1 シリコンウェーハの出荷C積拡jの予[ MSIは万平汽ぅ鵐繊―儘Z:SEMI

表1 シリコンウェーハの出荷C積拡jの予[ MSIは万平汽ぅ鵐繊―儘Z:SEMI


SEMIによると、シリコンウェーハは2017QにQ成長率9.8%、とこれまでにないほどの割合で成長したが、この後もウェーハC積はえる妓にあると予[した。に2017Qは64層3D-NANDフラッシュの量癉ち屬欧坊Q社奮hしており、歩里泙蠅呂修譴曚氷發なかったためにをAいそろえ、ウェーハ材料もたくさんJやした。

今Qもメモリバブルはいてきたが、NANDフラッシュの歩里泙蠅屬り、DRAMは攵盋をやっと\やす妓に向かっているため、2019Qは常の成長曲線に戻る。このため、実な成長が期待できる。半導はDRAMもNANDフラッシュも徐々に値下がりという常な半導攵{^曲線に乗っていき、新x場としてのAIやIoT、クルマ半導なども徐々に成長していく。2021Qまでは「モバイルと高性Ε灰鵐團紂璽謄ング、O動Z、IoTなどの応がけん引していく」とSEMIは見ている。

シリコンウェーハは半導チップの材料である。ウェーハのPびに比べ、半導チップは毎Q少しずつシュリンクしていく、すなわちチップC積は小さくなる妓である。つまり、半導チップ噞のPびはウェーハC積のPびよりももっとjきいことになる。IC Insightsは、今Qの半導チップは1兆個を突破すると予Rしており、半導の売り屬欧呂發舛蹐鷸\えるが、数量もjを突破する見込みだ。

(2018/10/17)
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