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2018Qの世c半導は16%成長へ、WSTSが予R

2018Qの世c半導x場の成長率は、15.9%になる見込みだとWSTS(世c半導x場統)が発表した。今Qも二けた成長を維eしそうだ。別では、今Qもi半まではメモリバブルのX況がき、33.2%\とx場をけん引した。メモリ、にDRAM単価の値屬りにより半導売幢Yにめるメモリの割合は34.5%にまで跳ね屬った。

図1 世c半導x場は2019Q4779億ドル 今Qもメモリが高成長 出Z:WSTS

図1 世c半導x場は2019Q4779億ドル 今Qもメモリが高成長 出Z:WSTS


半導x場の模は2018Qには4779億3600万ドルに達しそうだ。2016Qまで半導に瓦垢襯瓮皀蠅糧耄┐23%i後で推,靴討い燭、この2Q間のメモリバブルの影xによって2017Qには30.1%にはね屬り、今Qは34.5%にまで高まった。金YベースではiQの1239億7400万ドルから1651億1000万ドルとなっている。

WSTSはメモリの内lを会^外にo表していないため、DRAMとNANDフラッシュそれぞれの成長率はわからないが、NANDフラッシュは2018Q初から単価の値下がりが始まっていたのに瓦靴董DRAMの単価はこの10月になってようやく下がり始めたところだ。このため、DRAMの成長率の(sh┫)が高く、NANDフラッシュの成長率はそれほど高くはなさそうだ。ちなみに2017QのDRAMは75%成長、NANDフラッシュは45%成長だった。メモリ平均で60%成長となっていた。


図2 ディスクリート半導もメモリの次に高成長 出Z:WSTS

図2 ディスクリート半導もメモリの次に高成長 出Z:WSTS


メモリの次に成長率が高いのは、ディスクリート半導の241億9400万ドルで11.7%となっている。ディスクリートの内の7~8割がパワートランジスタと言われており、パワーMOSFETやIGBTなどがPびているとみられる。ただし、ディスクリート半導のx場模は半導の内の5%しかないため、半導噞に瓦垢覬惇xは少ない。ディスクリートの次がイメージセンサやLED、レーザーなどのオプトエレクトロニクスの387億1500万ドル、その次がアナログICの10.8%成長であり、その金Yは588億300万ドルとなっている。

のx場模では2016Qまではロジックが最もj(lu┛)きかったが、2017Qにメモリにsかれ、2018Qは7.3%\の1096億7200万ドルとなっている。

来Qは半導x場で2.6%\の4901億4200万ドルとみており、このうちICは2.0%\の4095億5300万ドルと予Rしている。にメモリは完にバブルがはじけ、0.3%(f┫)と{J(f┫)少すると見ている。だからといってt、不況というlではないだろう。むしろ健な数%成長に戻るだろう。というのは、これからがIoTやAIチップなどが本格的に登場してくるからだ。加えて、メモリ単価の値屬りでデバイスもk緒に値屬欧靴Pびなくなったスマホやパソコンは、単価の値下がりによってこれから成長しやすくなる。

(2018/11/29)
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