図1　世�c半導�����]�����x場　出�Z：SEMI

来�Qはマイナス成長としたのは、�f国の設��投�@が23%��と�j(lu┛)きく後��することを見込んだためだ。メモリバブルの反動が来�Q間違いなく�`立つようになる。2019�Qの�����x場から�f国を除くと、19�Qは�k転して3.1%成長となる。このことは、メモリに投�@してきた�f国が来�Q、メモリ投�@を抑えることを�T味する。2017�Qは3D-NANDへの投�@が��発に行われていたが、18�Qはやや落とし、19�Qは�j(lu┛)きく落とすことになる。

実際、�f国Samsungの投�@�YをIC Insightsが見積もっており、2017�Qは�i�Q比で2倍以�屬�242億ドルを投�@したが、18�Qは226億ドルに��る見通しだ（図2)。19�Qはさらに20%��の180億ドルに落ち込むという。SK Hynixは、2018�QにSamsungとは逆に、58%�\の155億ドルにしたものの、19�Qは22%��の100億ドルに下がると見ている。

図2　Samsungの設��投�@の推�　―儘Z: IC Insights

SEMIの見通しによると、半導�����]����の内のウェーハプロセス(�i工��)�����x場は、18�Qに10.2%�\の502億ドルとなる。ウェーハプロセスでの���]����以外の、純水����や搬送設�△覆匹寮�������や、�T晶ウェーハ���]����、マスク/レチクル���]����などのユーティリティ����は、0.9%�\の25億ドル、組み立ておよびパッケージング�����x場は1.9%�\の40億ドル、テスト�����x場が15.6%�\の54億ドルとなる見込みだ。

19�Qは�f国が�j(lu┛)きくマイナスになるものの、それでも132億ドルでトップを維�eすると見ている。2020�Qには19�Qに抑えた設��投�@を再開し、20.7%�\の719億ドルに達すると予�Rする。ただし、メモリバブルのような人為的なメモリ単価の高�Vまりがない限り、IoTやディープラーニング（AI）のようなメモリ、��にDRAM応��は、�x場は次��に膨らんでいく。

参考�@料
1. 半導�����]����、今�Qも2桁成長、とSEMI予�R (2018/07/10)